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2MBI100U4H Datasheets (1)

Part	ECAD Model	Manufacturer	Description	Curated	Datasheet Type	PDF
2MBI100U4H-170		Fuji Electric	IGBT MODULE		Original	PDF

2MBI100U4H Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	MFG & Type	Document Tags	PDF
2MBI100U4H-170 Abstract: ED-4701 MT5F12959 Text: SPECIFICATION Device Name : Type Name : Spec. No. Jun. 01 ’05 S.Miyashita Jun. 01 ’05 T.Miyasaka K.Yamada : Y.Seki IGBT MODULE 2MBI100U4H-170 MS5F 6143 MS5F6143 1 13 a b H04-004-07b R e v i s e d R e c o r d s Date Classification Jun.-01 -’05 Enactment	Original	2MBI100U4H-170 MS5F6143 H04-004-07b P4/13) P8/13) H04-004-03a 2MBI100U4H-170 ED-4701 MT5F12959	PDF
mp2a5100 Abstract: ya868c12 YA868C15 2sk4004 YG865C10 F5049 diode 3a05 Diode SMD SJ 24 Diode SMD SJ 09 Diode SMD SJ 28 Text: 富士電機半導体総合カタログ FUJI SEMICONDUCTORS ● パワー MOSFET Power MOSFETs ● 整流ダイオード Rectifier diodes ● パワーデバイス Power devices ● 集積回路 Integrated circuits ● 圧力センサ Pressure sensors	Original	RH011h 2007-10B120FIS mp2a5100 ya868c12 YA868C15 2sk4004 YG865C10 F5049 diode 3a05 Diode SMD SJ 24 Diode SMD SJ 09 Diode SMD SJ 28	PDF
2MBI450U4E-120 Abstract: 2MBI400U4H-120 2MBI300U4H-120 THYRISTOR TC122 6MBP75RU2A120 2MBI75U4A-120 7MBP75RU2A120 2mbi75u4a120 7MBR25SA120 05 2MBI200U4H-120 Text: パワーデバイス/Power Devices IGBT • IGBTモジュールの特長 Features of the IGBT Module 第6世代IGBTモジュール Vシリーズ 6th Gen. IGBT Module V-series ■特長 Features パッケージ小型化と出力のパワー UP を実現！	Original	max175 2MBI600TN-060V 2MBI450UN-120V 2MBP600UN-120V 2MBI450U4E-120 2MBI400U4H-120 2MBI300U4H-120 THYRISTOR TC122 6MBP75RU2A120 2MBI75U4A-120 7MBP75RU2A120 2mbi75u4a120 7MBR25SA120 05 2MBI200U4H-120	PDF

Catalog Datasheet

MFG & Type

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2MBI100U4H-170

Abstract: ED-4701 MT5F12959
Text: SPECIFICATION Device Name : Type Name : Spec. No. Jun. 01 ’05 S.Miyashita Jun. 01 ’05 T.Miyasaka K.Yamada : Y.Seki IGBT MODULE 2MBI100U4H-170 MS5F 6143 MS5F6143 1 13 a b H04-004-07b R e v i s e d R e c o r d s Date Classification Jun.-01 -’05 Enactment

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2MBI100U4H-170 MS5F6143 H04-004-07b P4/13) P8/13) H04-004-03a 2MBI100U4H-170 ED-4701 MT5F12959

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mp2a5100

Abstract: ya868c12 YA868C15 2sk4004 YG865C10 F5049 diode 3a05 Diode SMD SJ 24 Diode SMD SJ 09 Diode SMD SJ 28
Text: 富士電機半導体総合カタログ FUJI SEMICONDUCTORS ● パワー MOSFET Power MOSFETs ● 整流ダイオード Rectifier diodes ● パワーデバイス Power devices ● 集積回路 Integrated circuits ● 圧力センサ Pressure sensors

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RH011h 2007-10B120FIS mp2a5100 ya868c12 YA868C15 2sk4004 YG865C10 F5049 diode 3a05 Diode SMD SJ 24 Diode SMD SJ 09 Diode SMD SJ 28

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2MBI450U4E-120

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Text: パワーデバイス/Power Devices IGBT • IGBTモジュールの特長 Features of the IGBT Module 第6世代IGBTモジュール Vシリーズ 6th Gen. IGBT Module V-series ■特長 Features パッケージ小型化と出力のパワー UP を実現！

Original

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