2SK331 Search Results
2SK331 Price and Stock
Panasonic Electronic Components 2SK3318MOSFET N-CH 600V 15A TOP-3F-A1 |
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2SK3318 | Bulk | 40 |
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Toshiba America Electronic Components 2SK3313(Q)MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2SK3313(Q) | Bulk | 50 |
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Toshiba America Electronic Components 2SK3312(FC,Q)2SK3312(FC,Q) |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2SK3312(FC,Q) | 50 | 50 |
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2SK331 Datasheets (20)
Part |
ECAD Model |
Manufacturer |
Description |
Curated |
Datasheet Type |
PDF |
PDF Size |
Page count |
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| 2SK331 | Unknown | FET Data Book | Scan | 99.85KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK331 | Sanyo Semiconductor | Sanyo Datasheets, Cross References and Circuit Examples | Scan | 79.38KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK331 | Sanyo Semiconductor | Discontinued Transistors | Scan | 41.68KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3310 |
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Original | 228.98KB | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3310 |
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Power MOSFET Selection Guide with Cross Reference Data | Original | 1.45MB | 45 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3312 |
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FETs - Nch 500V | Original | 319.15KB | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3312 |
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Power MOSFET Selection Guide with Cross Reference Data | Original | 1.45MB | 45 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3313 |
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FETs - Nch 250V | Original | 418.72KB | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3313 |
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Power MOSFET Selection Guide with Cross Reference Data | Original | 1.45MB | 45 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3313 |
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Scan | 289.24KB | 5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3313(Q) |
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FETs - Single, Discrete Semiconductor Products, MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS | Original | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3314 |
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FETs - Nch 250V | Original | 416.93KB | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3314 |
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Power MOSFET Selection Guide with Cross Reference Data | Original | 1.45MB | 45 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3314 |
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Scan | 289.79KB | 5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 2SK3314(Q) |
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2SK3314 - MOSFET N-CH 500V 15A 2-16C1B | Original | 417.13KB | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3316 |
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Power MOSFET Selection Guide with Cross Reference Data | Original | 1.45MB | 45 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3316 |
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FETs - Nch 250V | Original | 430.02KB | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3316 |
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Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Pi-MOS V) | Scan | 143.85KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3316 |
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Scan | 143.85KB | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3318 |
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TRANS MOSFET N-CH 600V 15A 3TOP-3F-A1 | Original | 66.77KB | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK331 Datasheets Context Search
Catalog Datasheet |
Type |
Document Tags |
PDF |
|---|---|---|---|
2SK3310Contextual Info: 2SK3310 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type π-MOSV 2SK3310 Switching Regulator Applications • Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.48 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.3 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 450 V) |
Original |
2SK3310 2SK3310 | |
2SK3310
Abstract: K3310
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Original |
2SK3310 SC-67 2-10R1B 2SK3310 K3310 | |
k3313
Abstract: 2SK3313
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Original |
2SK3313 k3313 2SK3313 | |
k3314
Abstract: 2SK3314
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Original |
2SK3314 k3314 2SK3314 | |
k3316
Abstract: 2SK3316
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Original |
2SK3316 k3316 2SK3316 | |
k3314Contextual Info: 2SK3314 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type π−MOSV 2SK3314 Chopper Regulator and DC−DC Converter Applications Motor Drive Applications z Fast reverse recovery time Unit: mm : trr = 105 ns (typ.) z Built-in high-speed free-wheeling diode |
Original |
2SK3314 15HIBA k3314 | |
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Contextual Info: 2SK3313 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type π−MOSV 2SK3313 Chopper Regulator, DC−DC Converter Applications Motor Drive Applications Fast reverse recovery time Unit: mm : trr = 90 ns (typ.) Built−in high−speed free−wheeling diode |
Original |
2SK3313 | |
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Contextual Info: 2SK3314 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type π−MOSV 2SK3314 Chopper Regulator, DC−DC Converter Applications Motor Drive Applications Fast reverse recovery time Unit: mm : trr = 105 ns (typ.) Built−in high−speed free−wheeling diode |
Original |
2SK3314 | |
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Contextual Info: 2SK3313 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type π−MOSV 2SK3313 Chopper Regulator, DC−DC Converter Applications Motor Drive Applications Fast reverse recovery time Unit: mm : trr = 90 ns (typ.) Built−in high−speed free−wheeling diode |
Original |
2SK3313 | |
K3314
Abstract: 2SK3314
|
Original |
2SK3314 K3314 2SK3314 | |
2SK3318Contextual Info: This product complies with the RoHS Directive EU 2002/95/EC . Power MOSFETs 2SK3318 Silicon N-channel power MOSFET Unit: mm 5.0±0.2 15.0±0.3 (0.7) For switching 21.0±0.5 φ 3.2±0.1 • Absolute Maximum Ratings TC = 25°C Symbol Rating Unit VDSS 600 V |
Original |
2002/95/EC) 2SK3318 2SK3318 | |
k3314
Abstract: 2SK3314
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Original |
2SK3314 k3314 2SK3314 | |
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Contextual Info: This product complies with the RoHS Directive EU 2002/95/EC . Power MOSFETs 2SK3318 Silicon N-channel power MOSFET Unit: mm 15.0±0.3 (0.7) For switching • Absolute Maximum Ratings TC = 25°C Parameter Symbol Rating Unit Drain-source surrender voltage VDSS |
Original |
2002/95/EC) 2SK3318 | |
k3314
Abstract: 2SK3314 SC-65
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OCR Scan |
2SK3314 k3314 2SK3314 SC-65 | |
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2SK3318Contextual Info: This product complies with the RoHS Directive EU 2002/95/EC . Power MOSFETs 2SK3318 Silicon N-channel power MOSFET Unit: mm 5.0±0.2 15.0±0.3 (0.7) For switching Parameter Symbol Rating Unit Drain-source surrender voltage VDSS 600 V Gate-source surrender voltage |
Original |
2002/95/EC) 2SK3318 2SK3318 | |
2SK3312Contextual Info: 2SK3312 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type π-−MOSV 2SK3312 Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications z Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.9 Ω (typ.) z High forward transfer admittance : |Yfs| = 3.5 S (typ.) |
Original |
2SK3312 2SK3312 | |
K3313
Abstract: 2SK3313
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Original |
2SK3313 K3313 2SK3313 | |
2SK3313Contextual Info: 2SK3313 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type π−MOSV 2SK3313 Chopper Regulator, DC−DC Converter Applications Motor Drive Applications l Fast reverse recovery time Unit: mm : trr = 90 ns (typ.) l Built−in high−speed free−wheeling diode |
Original |
2SK3313 2SK3313 | |
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Contextual Info: TOSHIBA 2SK3316 TO SHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE tt-M O SV 2SK3316 HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS INDUSTRIAL APPLICATIONS Unit in mm SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS TO-220 (NIS) 10 ± 0 .3 Fast Reverse Recovery Time |
OCR Scan |
2SK3316 O-220 | |
2SK3312
Abstract: D400T
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Original |
2SK3312 2SK3312 D400T | |
2SK3316
Abstract: k3316 2-10R1B
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OCR Scan |
2SK3316 VDD-400V, 2SK3316 k3316 2-10R1B | |
k3314
Abstract: 2SK3314 SC-65 jeita sc-65
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Original |
2SK3314 105ns 10VID SC-65 2-16C1B VDD400V, K3314 k3314 2SK3314 SC-65 jeita sc-65 | |
2SK3312Contextual Info: 2SK3312 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 π−MOS V 2SK3312 ○ スイッチングレギュレータ用 単位: mm : RDS (ON) = 0.9Ω(標準) z オン抵抗が低い。 z 順方向伝達アドミタンスが高い。 : |Yfs| = 3.5S (標準) |
Original |
2SK3312 10VID 2-10S1B 20070701-JA 2SK3312 | |
k3313
Abstract: 2SK3313
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Original |
2SK3313 k3313 2SK3313 | |