5511 D11 Search Results

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55118J/B	Rochester Electronics LLC	55118J/B
ISL55110IVZ	Renesas Electronics Corporation	Dual, High Speed MOSFET Driver
ISL55110IRZ	Renesas Electronics Corporation	Dual, High Speed MOSFET Driver
ISL55111IRZ	Renesas Electronics Corporation	Dual, High Speed MOSFET Driver
ISL55111IRZ-T	Renesas Electronics Corporation	Dual, High Speed MOSFET Driver

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Samtec Inc ZW-10-14-L-D-1155-115 Samtec Flexible Board Stacking Header, 0.100" Pitch Free Sample
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Mouser Electronics	ZW-10-14-L-D-1155-115					1 $2.86 10 $2.86 100 $2.86 1000 $2.86 10000 $2.86	Get Quote

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Catalog Datasheet	MFG & Type	Document Tags	PDF
MAX2064 Abstract: MAX2062 Text: 19-5511; Rev 1; 11/10 Dual 50MHz to 1000MHz High-Linearity, Serial/Parallel-Controlled Analog/Digital VGA The MAX2062 high-linearity, dual analog/digital variablegain amplifier VGA operates in the 50MHz to 1000MHz frequency range with two independent attenuators in	Original	50MHz 1000MHz MAX2062 1000MHz MAX2062 MAX2064	PDF
1008CS-821XJLC Abstract: MAX2064 max2062 Text: 19-5511; Rev 1; 11/10 Dual 50MHz to 1000MHz High-Linearity, Serial/Parallel-Controlled Analog/Digital VGA The MAX2062 high-linearity, dual analog/digital variablegain amplifier VGA operates in the 50MHz to 1000MHz frequency range with two independent attenuators in	Original	50MHz 1000MHz MAX2062 1000MHz MAX2062 1008CS-821XJLC MAX2064	PDF
MAX2064 Abstract: No abstract text available Text: 19-5511; Rev 0; 9/10 Dual 50MHz to 1000MHz High-Linearity, Serial/Parallel-Controlled Analog/Digital VGA The MAX2062 high-linearity, dual analog/digital variablegain amplifier VGA operates in the 50MHz to 1000MHz frequency range with two independent attenuators in	Original	50MHz 1000MHz MAX2062 1000MHz MAX2062 MAX2064	PDF
D1164 Abstract: NEC IEI-620 NNCD27G IEI-620 NNCD5.6G MEI-603 NNCD7.5G C10535J NNCD6.2G IEC1000 Text: データ・シート静電気ノイズクリッピングダイオード NNCD3.3G~NNCD7.5G,NNCD27G ESD ノイズクリッピングダイオード（クワットタイプ，アノード共通）外形図（単位：mm）本製品シリーズは，ESDノイズ保護用に開発したダイオードで	Original	NNCD27G IEC1000-4-230 IEC1000-4-2 EIAJSC-74A D11645JJ1V0DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC D1164 NEC IEI-620 NNCD27G IEI-620 NNCD5.6G MEI-603 NNCD7.5G C10535J NNCD6.2G IEC1000	PDF
TEB-528 Abstract: 2SJ462 C10535J TEB-537 MEI-603 Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SJ462 PチャネルMOS FET スイッチング用 2SJ462はPチャネル縦形MOS FETで，3 V電源系ICの出力による直接駆動が可能なスイッチング素子です。	Original	2SJ462 2SJ462PMOS 29MAX. 19MAX. D11449JJ1V0DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC TEB-528 2SJ462 C10535J TEB-537 MEI-603	PDF
7824 3A Abstract: 2SK2359 2SK2360 2SK2360-Z UPC1100 UPC1150 Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2359, 2SK2359-Z/2SK2360, 2SK2360-Z Nチャネルパワー MOS FET スイッチング用工業用 2SK2359, 2SK2359-Z/2SK2360, 2SK2360-ZはNチャネル縦型パワー MOS FETでスイッチング特性が優れており，	Original	2SK2359, 2SK2359-Z/2SK2360, 2SK2360-Z 2SK2360-ZN 2SK2360RDSon= 2SK2359RDSon= O-220AB MP-25 7824 3A 2SK2359 2SK2360 2SK2360-Z UPC1100 UPC1150	PDF
UPC1100 Abstract: UPC1150 2SK2140 2SK2140-Z Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2140, 2SK2140-Z NチャネルパワーMOS FET スイッチング用工業用 2SK2140，2SK2140-ZはNチャネル縦型パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種アクチュエータ	Original	2SK2140, 2SK2140-Z 2SK21402SK2140-ZN O-220AB MP-25 O-220) 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC UPC1100 UPC1150 2SK2140 2SK2140-Z	PDF
7824 5A Abstract: 2SK2139 uPC11 UPC1100 UPC1150 2sk2139n 10SD Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2139 Nチャネルパワー MOS FET スイッチング用工業用 2SK2139はNチャネル縦型パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種アクチュエータ駆動回路や	Original	2SK2139 2SK2139N MP-45FISOLATED O-220 D11386JJ2V0DS00 TC-8071 10sDuty 108-0171NEC 46017NEC 7824 5A 2SK2139 uPC11 UPC1100 UPC1150 2sk2139n 10SD	PDF
7824 5A Abstract: 2SK2138 2SK2138-Z UPC1100 UPC1150 Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2138, 2SK2138-Z Nチャネルパワー MOS FET スイッチング用工業用 2SK2138，2SK2138-ZはNチャネル縦型パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種アクチュエータ	Original	2SK2138, 2SK2138-Z 2SK21382SK2138-ZN O-220AB MP-25 O-220) 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 7824 5A 2SK2138 2SK2138-Z UPC1100 UPC1150	PDF
TEA 1090 Abstract: 2SK2341 TC-8070 UPC1100 UPC1150 15011A Transistor 5504 175 TEA-576 Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2341 NチャネルパワーMOS FET スイッチング用工業用 2SK2341はNチャネル縦型パワー MOS FETでオン抵抗が低くスイッチング特性が優れており高周波スイッチング電	Original	2SK2341 2SK2341N MP-45F O-220) D11389JJ2V0DS00 TC-8070 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC TEA 1090 2SK2341 TC-8070 UPC1100 UPC1150 15011A Transistor 5504 175 TEA-576	PDF
ic 7824 Abstract: 7824 k D1088 IC 4011 A135 TC-6163 PW350 C10535J C10943X Text: データ・シート複合トランジスタ Compound Transistor BB1シリーズ抵抗内蔵NPNエピタキシアル形シリコントランジスタ中速度スイッチング用 BB1シリーズは，Ｎ形小信号トランジスタで，抵抗を内蔵しているため部品点数の削減やセットの小形化が計れま	Original	NECIEI-620 D11739JJ2V0DS00 TC-6163 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC ic 7824 7824 k D1088 IC 4011 A135 TC-6163 PW350 C10535J C10943X	PDF
D1088 Abstract: ic 7824 5511 ic PW350 5bp1 C10535J C10943X IC 4011 IC TC 4011 7824 ic Text: データ・シート複合トランジスタ Compound Transistor BP1シリーズ抵抗内蔵PNPエピタキシアル形シリコントランジスタ中速度スイッチング用 BP1シリーズは，P形小信号トランジスタで，抵抗を内蔵しているため部品点数の削減やセットの小形化が計れま	Original	NECIEI-620 D11740JJ2V0DS00 TC-6164 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC D1088 ic 7824 5511 ic PW350 5bp1 C10535J C10943X IC 4011 IC TC 4011 7824 ic	PDF
vmos fet Abstract: 2SK2353 2SK2354 UPC1100 UPC1150 Text: データ・シート MOS形電界効果MOS FET MOS Field Effect Transistors 2SK2353/2SK2354 Nチャネルパワー MOS FET スイッチング用工業用外形図（単位：mm） 2SK2353/2SK2354はNチャネル縦型パワー MOS FETで，スイッチ	Original	2SK2353/2SK2354 2SK2353/2SK2354N 2SK2353RDSon 2SK2354RDSon 2SK2353 2SK2354 MP-45F O-220) PW10s, 108-0171NEC vmos fet 2SK2353 2SK2354 UPC1100 UPC1150	PDF
TC-8059 Abstract: vmos fet TC8059 2SK2355 2SK2356 2SK2356-Z MP-25 UPC1100 UPC1150 Text: データ・シート MOS形電界効果MOS FET MOS Field Effect Transistors 2SK2355, 2SK2355-Z/2SK2356, 2SK2356-Z NチャネルパワーMOS FET スイッチング用工業用外形図（単位：mm）縦型パワーMOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種	Original	2SK2355, 2SK2355-Z/2SK2356, 2SK2356-Z 2SK2355RDSon= 2SK2356RDSon= 2SK23552SK2355-Z/2SK23562SK2356-ZN O-220AB MP-25 O-220) 108-0171NEC TC-8059 vmos fet TC8059 2SK2355 2SK2356 2SK2356-Z MP-25 UPC1100 UPC1150	PDF

7824 5A Abstract: 7824 3A C10535J C10943X IEC1000 NNCD10A NNCD11A NNCD12A NEC NNCD4.7A Text: データ・シート静電気ノイズクリッピングダイオード NNCD3.3A~NNCD12A ESD ノイズクリッピング・ダイオード（400 mWタイプ）本製品シリーズは，ESDノイズ保護用に開発したダイオードで外形図（単位：mm）	Original	3ANNCD12A IEC1000-4-230 DO-34 D11769JJ2V1DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 7824 5A 7824 3A C10535J C10943X IEC1000 NNCD10A NNCD11A NNCD12A NEC NNCD4.7A	PDF
C10535J Abstract: C10943X IEC1000 NNCD10B NNCD11B NNCD12B 1N 043 diode Text: データ・シート静電気ノイズクリッピングダイオード NNCD3.3B~NNCD12B ESD ノイズクリッピング・ダイオード（500 mWタイプ）本製品シリーズは，ESDノイズ保護用に開発したダイオードで外形図（単位：mm）	Original	3BNNCD12B IEC1000-4-230 DO-35 D11770JJ2V1DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC C10535J C10943X IEC1000 NNCD10B NNCD11B NNCD12B 1N 043 diode	PDF
d6326 Abstract: PC1382 tda 5511 TDA 4141 16DIP300 DA1 7824 PD6336 PD6326C PD6336C 6326 Text: データ・シート MOS集積回路 MOS Integrated Circuits µPD6325,6326,6335,6336 ４回路／８回路６ビットD/Aコンバータ CMOS LSI PD6325シリーズは主にテレビセットの音量，明るさ，コントラスト，カラー，トーン等のコントロールを目的と	Original	PD6325 PD6325 PD6325C, 6325G PD6326C PD6335C, 6335G PD6336C 12DATA VCC15 d6326 PC1382 tda 5511 TDA 4141 16DIP300 DA1 7824 PD6336 PD6326C PD6336C 6326	PDF
NNCD3.3E Abstract: C10535J C10943X IEC1000 NNCD10E NNCD11E NNCD12E NNCD6.2E TF-128 Text: データ・シート静電気ノイズクリッピングダイオード NNCD3.3E~NNCD12E ESD ノイズクリッピング・ダイオード（200 mWタイプ）本製品シリーズは，ESDノイズ保護用に開発したダイオードで外形図（単位：mm）	Original	3ENNCD12E IEC1000-4-230 SC-59EIAJ D11773JJ2V1DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC NNCD3.3E C10535J C10943X IEC1000 NNCD10E NNCD11E NNCD12E NNCD6.2E TF-128	PDF
C10535J Abstract: C10943X IEC1000 NNCD10D NNCD11D NNCD12D TF-128 Text: データ・シート静電気ノイズクリッピングダイオード NNCD3.3D~NNCD12D ESD ノイズクリッピング・ダイオード（200 mWタイプ）外形図（単位：mm）オードです。電磁妨害に対するIEC1000-4-2試験に基づき	Original	3DNNCD12D IEC1000-4-2 SC-59 D11772JJ2V1DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC C10535J C10943X IEC1000 NNCD10D NNCD11D NNCD12D TF-128	PDF
NEC IEI-620 Abstract: TF-128 C10943X NNCD27G NNCD5.6G NNCD7.5G C10535J IEC1000 MEI-603 EIAJ-SC74A Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	NNCD27G IEC1000-4-230 IEC1000-4-2 EIAJSC-74A 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC NEC IEI-620 TF-128 C10943X NNCD27G NNCD5.6G NNCD7.5G C10535J IEC1000 MEI-603 EIAJ-SC74A	PDF
C10535J Abstract: C10943X IEC1000 NNCD10F NNCD11F NNCD12F 1F marking k1sc 3F 7824 Text: データ・シート静電気ノイズクリッピングダイオード NNCD3.3F~NNCD12F ESD ノイズクリッピング・ダイオード（ダブルタイプ，アノード共通）本製品シリーズは，ESDノイズ保護用に開発したダイオードで	Original	3FNNCD12F IEC1000-4-230 K1SC-59EIAJ D11774JJ2V1DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC C10535J C10943X IEC1000 NNCD10F NNCD11F NNCD12F 1F marking k1sc 3F 7824	PDF
2SJ463A Abstract: C10535J 2SJ463A2 Text: データ・シート MOS形電解効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SJ463A PチャネルMOS FET スイッチング用外形図（単位：mm） ○ゲートを2.5 Vで駆動できる。 2 3 1 ○ゲートカットオフ電圧が低い。	Original	2SJ463A 2SJ463A2 PW10s, D11198JJ1V0DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 2SJ463A C10535J	PDF
1N07 Abstract: TF-128 C10535J C10943X IEC1000 NNCD10C NNCD11C NNCD12C TF128 Text: データ・シート静電気ノイズクリッピングダイオード NNCD3.3C~NNCD12C ESD ノイズクリッピング・ダイオード（150 mWタイプ）外形図（単位：mm）オードです。電磁妨害に対するIEC1000-4-2試験に基づき	Original	3CNNCD12C IEC1000-4-2 SC-59 D11771JJ2V1DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 1N07 TF-128 C10535J C10943X IEC1000 NNCD10C NNCD11C NNCD12C TF128	PDF
2SK2138 Abstract: 2SK2138-Z UPC1100 UPC1150 Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	2SK2138, 2SK2138-Z 2SK21382SK2138-ZN 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 2SK2138 2SK2138-Z UPC1100 UPC1150	PDF

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