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Rochester Electronics LLC MCH5835-TL-E NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
DigiKey	MCH5835-TL-E	Bulk			4,438	1 - 10 - 100 - 1000 - 10000 $0.07	Buy Now
onsemi MCH5835-TL-E NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES '
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Rochester Electronics	MCH5835-TL-E		6,000		1	1 $0.065 10 $0.065 100 $0.0611 1000 $0.0553 10000 $0.0553	Buy Now
Win Source Electronics	MCH5835-TL-E		138,000			1 - 10 - 100 - 1000 $0.116 10000 $0.095	Buy Now

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Catalog Datasheet	MFG & Type	Document Tags	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: MCH5835 Ordering number : ENA0655 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5835 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET MCH3443 and a schottky barrier diode (SS0503SH)	Original	ENA0655 MCH5835 MCH3443) SS0503SH) A0655-6/6	PDF
MCH5835 Abstract: MCH3443 SS0503SH Text: MCH5835 注文コード No. N A 0 6 5 5 A 三洋半導体データシート半導体デ−タシート No.NA0655 をさしかえてください。 MCH5835 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード	Original	MCH5835 NA0655 MCH3443) SS0503SH) 900mm2 O3107 20707PE TC-00000517 A0655-1/6 MCH5835 MCH3443 SS0503SH	PDF
MCH5835 Abstract: MCH3443 SS0503SH Text: MCH5835 Ordering number : ENA0655A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5835 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET MCH3443 and a schottky barrier diode (SS0503SH)	Original	MCH5835 ENA0655A MCH3443) SS0503SH) A0655-6/6 MCH5835 MCH3443 SS0503SH	PDF
CPH5835 Abstract: MCH3309 MCH5835 SBS010M Text: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5835 汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに	Original	CPH5835 MCH3309) SBS010M) 600mm2 12805PE TB-00001006 IT05882 IT05881 CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M	PDF
82074 Abstract: CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M Text: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 三洋半導体データシート N CPH5835 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに	Original	CPH5835 MCH3309) SBS010M) 600mm2 12805PE TB-00001006 IT05882 IT05881 82074 CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M	PDF
CPH3309 Abstract: CPH5835 MCH5835 SBS010M Text: CPH5835 Ordering number : ENN8207 CPH5835 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET CPH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained	Original	CPH5835 ENN8207 CPH3309) SBS010M) CPH3309 CPH5835 MCH5835 SBS010M	PDF