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    MG50H2YM1 Search Results

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    MG50H2YM1 Price and Stock

    Toshiba America Electronic Components MG50H2YM1

    SILICON N CHANNEL MOS TYPE GTR MODULE Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 500V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    ComSIT USA MG50H2YM1 31
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    MG50H2YM1 Datasheets (2)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Datasheet Type PDF
    MG50H2YM1 Unknown Catalog Scans - Shortform Datasheet Scan PDF
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    MG50H2YM1 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type Document Tags PDF

    TOSHIBA MG150N2YS40

    Abstract: mg75n2ys40 MG15N6ES42 mg150n2ys40 2SK150A toshiba s2530a 2sk270a MG8N6ES42 MG15G1AL2 mg75j2ys40
    Text: 小信号トランジスタ SMD ● 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動した り故障することがあります。当社半導体製品をご使用いただく場合は、半導体製 品の誤作動や故障により、生命・身体・財産が侵害されることのないように、購入


    Original
    050106DAA1 /SC-70 YTF612 2SK2381 YTF841 2SK2387 YTF442 2SK2149 YTF613 TOSHIBA MG150N2YS40 mg75n2ys40 MG15N6ES42 mg150n2ys40 2SK150A toshiba s2530a 2sk270a MG8N6ES42 MG15G1AL2 mg75j2ys40 PDF

    tbf819

    Abstract: mg50g2cl4 MG30T1AL1 GT60J101 2SD1678 ths102a MG60M1AL1 MG150N2CK1 YTF541 THS106A
    Text: 保守品種一覧表 [9] [ 9 ] 保守品種一覧表 次の品種が保守品種となっております。新規採用は代替品種にてご検討くださいますようお願い申し上 げます。 保守品種 1 形 名 代替品種 形 名 代替品種


    Original
    04AZ3 02CZ3 1SV186 1SV245 2SC2391 05AZ3 1SV204 1SV216 2SC2483 tbf819 mg50g2cl4 MG30T1AL1 GT60J101 2SD1678 ths102a MG60M1AL1 MG150N2CK1 YTF541 THS106A PDF

    mg75n2ys40

    Abstract: 2N3055 TOSHIBA mg150n2ys40 TLR103 TOSHIBA 2N3055 MG15N6ES42 2SK150A TOSHIBA MG150N2YS40 2sk270a S2530A
    Text: 小信号ダイオード SMD ● 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動した り故障することがあります。当社半導体製品をご使用いただく場合は、半導体製 品の誤作動や故障により、生命・身体・財産が侵害されることのないように、購入


    Original
    050106DAA1 YTF842 2SK2387 YTF441 2SK2149 YTF613 2SK2381 YTF843 YTF442 mg75n2ys40 2N3055 TOSHIBA mg150n2ys40 TLR103 TOSHIBA 2N3055 MG15N6ES42 2SK150A TOSHIBA MG150N2YS40 2sk270a S2530A PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MG50H2DM1 MG50H2YM1 GTR MODULE SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. MOTOR CONTROL APPLICATIONS. • The Drain is Isolated from Case. • 2 MOS FETs are Built-in to 1 Package. • With Built-in Free Wheeling Diode.: trr=0.12[is Typ.


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    MG50H2DM1 MG50H2YM1 MG50H2YM1 MG50H2 1/MG50H2 MG50H2DM1/MG50H2YM1 PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MG50H2DM1/ MG50H2YM1 GTR MODULE SILICON N CHANNEL MOS TYPE H IG H POWER S W IT CHING A P P L I C A T I O N S . MOTOR CO NTROL A P P L I C A T I O N S . • The D r a i n i s Iso la te d fro m C a s e . • 2 MOS FETs a r e B u i l t - i n t o 1 P a c k a g e .


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    MG50H2DM1/ MG50H2YM1 MG50H2DM1 MG50H2YM1 MG50H2DM1/MG50H2YM1 PDF

    2sk1029

    Abstract: MP6702 2sk1513 2SK56 MG30G2YM1 MG15G1AM1 MG15C4HM1 MG50D2DM1
    Text: MOS-FET Connection Clrcua Symbol <D <z AM ZM YM DM Maximum Rating VODS V 8 15 10 150 2SK578* 260 2SK447"* 460 2SK568* 500 2SK1513" 25 250 MG30D1ZM1 250 MG30D2YM1 MG50D2YM1 460 MG30G2YM1 MG50G2YM1 500 MG30H2YM1 MG50H2YM1 260 MG30D2DM1 MG50D2DM1 4S0 MG30G2DM1


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    2SK578* 2SK447" 2SK568* 2SK1513" 2SK1029* MG15G1AM1 2SK1333* MG30D1ZM1 MG30D2YM1 MG30G2YM1 2sk1029 MP6702 2sk1513 2SK56 MG15C4HM1 MG50D2DM1 PDF

    j2y transistor

    Abstract: T15J10 MP4704 MG100M2CK1 2sb834 MP3103 MG50J6ES91 MP3002 mp4505 2sc497
    Text: As you well know, semiconductors are today essential for use in a very wide range of applications— from consumer to industrial use. In any application, your choice of Toshiba semiconductors will always be correct. To help you choose which semi­ conductor is correct for your application, this brochure outlines maximum ratings,


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    O220AB O-126 j2y transistor T15J10 MP4704 MG100M2CK1 2sb834 MP3103 MG50J6ES91 MP3002 mp4505 2sc497 PDF

    MG30H1BL1

    Abstract: s3885 MG100H2ZS1 MG100g2ys1 MG100N2YS1 MP6502 MG150J2YS1 MP6101 MG25Q6ES1 MG15J6ES1
    Text: BIPOLAR DARLINGTON I 400-600V # : NON IS OI .A TF R T Y P E T O - 3 P I . * : UNDKR D E V E L O P M E N T BIPOLAR DARLINGTON II (10 00 -1400V) * : UNDER D EVELOPM ENT MOS FET MODULE MATRIX S : NON ISOLATED TY PE * : UNDER DEVELOPM ENT IGBT MODULE MATRIX


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    00-600V) -1400V) GT8N101 GT8Q101* GT25H101P MG25H1BS1 GT25JI01 GT50G102* MG50H1BS1 GT50J101 MG30H1BL1 s3885 MG100H2ZS1 MG100g2ys1 MG100N2YS1 MP6502 MG150J2YS1 MP6101 MG25Q6ES1 MG15J6ES1 PDF