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UPA678TB(0)-T1-AT		Renesas Electronics Corporation	Power MOSFETs for Automotive
UPA678TB-T1-A		Renesas Electronics Corporation	Power MOSFETs for Automotive

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Untitled Abstract: No abstract text available Text: データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA678TB P チャネル MOS FET スイッチング用 µ PA678TB は，2.5 V 電源系による直接駆動が可能なスイッ外形図（単位：mm）チング素子です。	Original	PDF	PA678TB SC-70 SC-88 G16607JJ1V0DS M8E02
marking xa Abstract: No abstract text available Text: DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR µ PA678TB P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION PACKAGE DRAWING Unit: mm The µ PA678TB is a switching device, which can be driven directly by a 2.5 V power source. The µ PA678TB features a low on-state resistance and excellent	Original	PDF	PA678TB PA678TB SC-70 marking xa
marking xa Abstract: No abstract text available Text: To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid	Original	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	PDF	PA678TB G16607JJ1V0DS M8E02