9680
Abstract: No abstract text available
Text: THYRISTOR 200A Avg 300 Volts •回路図 CIRCUIT 1 G1 2 K1 PFT2004N ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING 3 K2 K3 （単位 Dimension：mm） G2 G3 ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter くり返しピークオフ電圧 Repetitive Peak Off-State Voltage
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Original
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PFT2004N
150VDM
150VRM
25ITM
125VD
9680
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: PFT2004N THYRISTOR MODULE 200A / 400V OUTLINE DRAWING FEATURES * 3 Phase Anode Common Half Bridge Circuit * High Surge Capability * UL Recognized, File No. E187184 φ TYPICAL APPLICATIONS * Rectified For General Use φ Maximum Ratings Parameter Repetitive Peak Off-State Voltage
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Original
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PFT2004N
E187184
PFT200xN
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PFT2004N
Abstract: No abstract text available
Text: PFT2004N THYRISTOR MODULE 200A / 400V OUTLINE DRAWING FEATURES * 3 Phase Anode Common Half Bridge Circuit * High Surge Capability * UL Recognized, File No. E187184 φ TYPICAL APPLICATIONS * Rectified For General Use φ Maximum Ratings Parameter Repetitive Peak Off-State Voltage
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Original
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PFT2004N
E187184
PFT200xN
PFT2004N
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thyristor 200A
Abstract: PFT2004N
Text: THYRISTOR 200A Avg 300 Volts •回路図 CIRCUIT PFT2004N ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING φ 1 G1 2 K1 3 K2 K3 （単位 Dimension：mm） φ G2 G3 φ ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter くり返しピークオフ電圧 Repetitive Peak Off-State Voltage
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PFT2004N
150VRM
25ITM
150VDM
125VD
thyristor 200A
PFT2004N
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ARM251
Abstract: No abstract text available
Text: THYRISTOR 200A Avg 300 Volts •回路図 CIRCUIT PFT2004N ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING φ 1 G1 2 K1 3 K2 K3 （単位 Dimension：mm） φ G2 G3 φ ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter くり返しピークオフ電圧 Repetitive Peak Off-State Voltage
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PFT2004N
150VDM
150VRM
25ITM
125VD
ARM251
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PT76S16
Abstract: d2n203le 10ERB20 508RP FCHS20A 300MCB
Text: Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ
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Original
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508RP
Abstract: 10ERB20 d2n202le D2W220CD FCH10U15 FCU20A40
Text: NO. 42 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ
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Original
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PDM5001
Abstract: PDT400N16 pah60n8cm PHMB50E6CL PHT250N16 PHT400N16 PD100KN16 PAH100N8CM PT76S16 PAT400N16
Text: Contents Page Rectifier Diode PH PC PD PE PF PB PT C2 C3 C4,C5 C5 C6 C6 C7,C8 Fast Recovery Diode PH-F, PC-F, PD-F P2H-F C9 C10 Schottky Barrier Diode PC-Q, PE-Q, PQ-Q P2H-Q C11 C12 Thyristor plus Diode PHT PDT PAT PFT PAH PCH PDH PKH PBH, PBH-A, PBF PGH
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Original
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C3557
PH1503
PH150
PDM5001
PDT400N16
pah60n8cm
PHMB50E6CL
PHT250N16
PHT400N16
PD100KN16
PAH100N8CM
PT76S16
PAT400N16
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FCGS20A12
Abstract: FCHS10A12 EC10QS04 TE12L d2n203le 10ERA60 FCHS20A 20NFB60 FCU20A40 PAH100N8CM 10eda10
Text: NO. 43 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ
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