ifp 502
Abstract: triax ifp 502 Triax IFP 529 Triax ifp 529 ifp 501 IFP529 Avance STAA EN/triax ifp 502
Text: TRIAX UFO Antenn TRIAX UFO Antenne TRIAX nya UFO antenn är marknadens minsta rundstrålande antenn. Den eleganta, och kompakta antennen innehåller den mest avancerade tekniken till mottagning av såväl analoga som digitala tv- och radiosignaler under förhållanden som ändrar sig hela tiden.
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PE42692
Abstract: ps123 PE42694 D-82178 PE42693
Text: NEWS RELEASE Peregrine Semiconductor startet erste Familie von SP9T-Antennenumschaltern in UltraCMOS -Technologie Hochspezialisierte HF-CMOS-Schalter für Multi-Mode- und Multi-Band-Anwendungen ab sofort verfügbar. SP9T-Schalter in 0,5-µm- und 0,25-µm-Technologie rationalisieren
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PE42693
D-82178
PS123
PE42692
PE42694
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FEIG
Abstract: EN61000-6-3 EN60068-2-6 EN61000-6-2
Text: O B ID R Dynamischer Antennentuner ID ISC.DAT Dynamischer Antennentuner zum automatischen Ab- und Nachgleichen von RFID-Antennen mit einer Betriebsfrequenz von 13,56 MHz. Besondere Merkmale: Automatisches Ab- und Nachgleichen von HF Longrange-Antennen ohne zusätzliche
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EN61000-6-3
EN61000-6-2
EN60068-2-6
EN60068-2-27
D-35781
FEIG
EN61000-6-3
EN60068-2-6
EN61000-6-2
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D-82178
Abstract: PE42632 PE42674 pe4263
Text: NEWS RELEASE HF-ICs von Peregrine Semiconductor in Flip-Chip-Technik Hochwertige Antennenumschalter ermöglichen 40%-ige Verkleinerung von Front-EndModulen San Diego, Kalifornien, 5. Juni 2007 - Peregrine Semiconductor Corporation, Hersteller fortschrittlicher HF-CMOS- und Kommunikations-ICs für Mixed-Signal-Anwendungen, hat die
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PE42632
PE42674
D-82178
PS122
pe4263
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din 45325
Abstract: IEC 499
Text: SERIES Antenna Connectors DIN 45325 / IEC 169-2 Series Antenna Connectors DIN 45325 Serie Antennen Steckverbinder DIN 45325 Improved antenna connectors with snap-in locking system in accordance with DIN 45325 + IEC 169-2 for the connection of radio broadcasting and television antennas with good electrical and mechanical characteristics for use in test and measuring instruments and in laboratories.
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MIL-STD-202
204/B
204/G
101/B
D-84526
din 45325
IEC 499
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din 45325
Abstract: IEC 499
Text: Series IEC Antenna Connectors DIN 45325 IEC Antenna Connectors DIN 45325 IEC Antennen-Steckverbinder DIN 45325 Antenna connectors with snap-in locking system in accordance with DIN 45325 + IEC 169-2 for the connection of radio broadcasting and television antennas.
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MIL-STD-202
204/B
213/G
101/B
D-84526
din 45325
IEC 499
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tl072 spice
Abstract: D1N4007 QBC547B BF245B spice bf245b spice model inverter using irfz44n 2N5171 SPICE diode 1N750 LTspice 50HZ oscillator sinus vco
Text: SPICE-SchaltungsSimulation mit LTspice IV Tutorial zum erfolgreichen Umgang mit der frei im Internet www.linear.com erhältlichen SPICEVollversion der Firma Linear Technologies Tutorial-Version 2.2 Copyright by Gunthard Kraus, Oberstudienrat i.R. an der Elektronikschule Tettnang
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SAE AS33671
Abstract: stk 5340 MS3367-4-9 MS90387-1 AS23190 MS3367-4-4 B-1108 RAMH-S10-D Cinch 2 fach QPL-AS23190-2
Text: E LEKTROINSTALLATIONS L ÖSUNGEN A KABELBINDER PANDUIT bietet die umfangreichste Auswahl an Kabelbinderformen, -größen, -materialien und -farben für die verschiedensten Anforderungen unserer Kunden. Mit Kabelbindern von PANDUIT werden unzählige Anwendungen im Innen- und Außenbereich sowie unter schwierigen
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D2671
SAE AS33671
stk 5340
MS3367-4-9
MS90387-1
AS23190
MS3367-4-4
B-1108
RAMH-S10-D
Cinch 2 fach
QPL-AS23190-2
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en 50117
Abstract: 50117 telass 2002 telass bedea EN 50117-2-2 3ALF EN50117 TELASS 160-PE
Text: CATV-Kabel 75 Q TELASS BGAL C CATV cables 75 Q TELASS® BGAL C Für v e rlu s ta rm e n S ig n a ltra n s p o rt For low -lo ss sig n a l tra n s m is s io n bedea TELASS® BGAL CKabel sind für Antennen anlagen konzipiert, bei deren Planung und Errichtung
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BFX89
Abstract: F296 Q62702 Scans-0010548 transistor TO-72 Transistor BFX Transistor BFX 41
Text: NPIVI-Transistor fü r A n ten n en verstärker BFX 89 BFX 89 ist ein epitaktischer NPN-Silizium-HF-Transistor im Gehäuse 18 A 4 DIN 41 876 T O -7 2 . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Transistor ist für allge meine Anwendungen bis in den GHz-Bereich geeignet, z.B. für Antennen- und Hochfre
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BFX89
Q62702â
F296
Q62702
Scans-0010548
transistor TO-72
Transistor BFX
Transistor BFX 41
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AFY18D
Abstract: AFY18E AFY18C AFY18 K13 transistor Transistor C126 f6004 Q60I06-Y18-D mesa
Text: Nicht für N e u e n tw ick lu n g PIMP-Mesatransistor fü r Antennenverstärker 2,5 GHz AFY 18 AFY 18 ist ein epitaktischer PNP-Germanium-Hochfrequenz-Transistor in Mesa-Technik im Gehäuse 5 C 3 DIN 41 873 T O -3 9 . Der Collektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden.
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Q60106-Y18-C
Q60I06-Y18-D
Q60106-Y18-E
AFY18
-C12e
AFY18D
AFY18E
AFY18C
AFY18
K13 transistor
Transistor
C126
f6004
Q60I06-Y18-D
mesa
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BA176
Abstract: DIODE B2 51A-2 diode 12 kv aerial 2J26
Text: KEN BA 176 'W Silizium-Diode Silicon diode Anwendungen : Antennenschutzdiode Applications: Aerial protection Abmessungen in mm Dimensions in mm Normgehäuse Case - 7, 2 - 5 1 A 2 DIN 4 1 880 JEDEC DO 7 Gewicht • Weight max. 0,2 g Kenngrößen Min. Typ. Max.
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BFY90
Abstract: Scans-0010548 BFy 90 transistor
Text: IMPIM-Transistor fü r A n ten n en verstärker B F Y 90 BFY 90 ist ein epitaktischer NPN-Silizium-HF-Transistor im Gehäuse 18 A 4 DIN 41 876 TO-72 . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Transistor ist für allgemeine Anwendungen bis in den GHz-Bereich geeignet z.B. für Antennen- und Hochfrequenz
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BFY90
Q62702-F297
Scans-0010548
BFy 90 transistor
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ir 319
Abstract: BFS55A ir319
Text: IMP N -S iliz iu m -B re itb a n d tra n s isto r B F S 55A B F S 5 5 A ist ein N PN -Silizium -H F-Transistor im Gehäuse 18 A 4 D IN 41 8 7 6 T O -7 2 . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Transistor ist besonders für H F -A n w e n dungen bis in den GH z-Bereich geeignet. z.B. in Antennenverstärkern sow ie für Radar-ZFVerstärker und Satellitentechnik.
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BFS55A
Q62702-F454
ir 319
ir319
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mesa
Abstract: No abstract text available
Text: Nicht für Neuentwicklung PN P~M esatransistor für Antennenverstärker bis 900 M Hz A F Y 37 AFY 37 ist ein epitaktischer PNP-Germanium-HF-Transistor in Mesa-Technik im Gehäuse 18A 4 DIN 41 876 TO-72 . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. DerTransistor
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Q60106-Y37
-C12e
mesa
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TDA1061
Abstract: tda 1061
Text: TDA1061 Silizium-Planar-PIN-Dioden als ;r-Glied geschaltet Silicon Planar PIN Diodes as a n-circuit Anwendungen: Als Dämpfungsvierpol für elektronische Amplitudenregelung der Eingangs signale in Fernsehtunern und Antennenverstärkern. Applications: Attenuator two-port for AGC input signal in television tuners and antenna
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TDA1061
kBC238B
TDA1061
tda 1061
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Q62702-F320
Abstract: BFW 72
Text: N P IM -S iliz iu m -P la n a r-H F -T ra n sisto r B F W 30 BFW 30 ist ein epitaktischer NPN-Silizium-Planar-HF-Transistor im Gehäuse 18 A 4 DIN 41 876 TO-72 für allgemeine Verwendung bis in den GHz-Bereich, z.B. für Vertikal verstärker in Breitband-Oszillografen und für Breitband-Antennenverstärker. Die Anschlüsse
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Q62702-F320
Q62702-F320
BFW 72
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TDA1061
Abstract: din 867
Text: TDA1061 Silizium-Planar-PIN-Dioden als ^-Glied geschaltet Silicon Planar PIN Diodes as a n-circuit Anwendungen: Als D äm pfungsvierpol fü r e lektronische Am plitudenregelung der Eingangs signale in Fernsehtunern und Antennenverstärkern. Applications:
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TDA1061
TDA1061
din 867
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BFR15A
Abstract: 200MHZ S70C
Text: IMPN -Transistor für rauscharme Breitband- und Antennenverstärker BFR 15A B F R 1 5 A ist ein epitaktischer NPN-Silizium-Planar-HF-Transistor im Gehäuse 18A 4 DIN 41876 TO-72 für allgemeine Verwendung bis in den GHz-Bereich, z. B. für rauscharme Breitband- und Antennenverstärker.
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BFR15A
Q62702-F460
200MHZ
200MHZ
S70C
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: EMV-Labor EMC Laboratory Um eine Vielzahl elektrischer Geräte und Anlagen nebenein ander betreiben zu können, muß das Schutzziel „Elektroma gnetische Verträglichkeit“ EMV erreicht werden. Das deutsche EMV-Gesetz sowie die Europäische EMV-Richtlinie schreiben dieses Schutzziel zwingend vor. Europäische
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2. ¿-o. i < I CM Ll. LU f 01 <J V* V* CD CO • I \ > o r* O o CM Nf r~ o in KONTAKTBUCHSE AUSSENLEITER SCHLITZMUTTER FAECHERSCHEIBE ISOLIERUNG WERKSTOFFE OBERFLAECHEN C97 G D -Z n A l4 C u 1 C u Z n39P b3F50 Cu Sn 6 PTFE UL94-V0) TRIBOR Z n /C u 6 N (G mi
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b3F50
UL94-V0)
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UNG 230
Abstract: antenne
Text: VEBWERK FÜR FERNMELDEWESEN 1» I P -— « 5 - - Ci N. v. \ # 5 0 UKW-SENDEPENTODE eignet sich auch für Impulsbetrieb und N F-Verstärkung 8 4 b2 'njyii i I - i f 0-— Koibenabm essun e TECHNISCHE DATEN Heizung: Uf lf 12,6 0,7 > < Heizspannung Heizstrom
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/V/4/26
UNG 230
antenne
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antenne
Abstract: No abstract text available
Text: - KENS 1214 2 - Exponentialröhre. Diese HF und ZF Röhre gestattet eine bequeme Regulierung der Lautstarke durch Veränderung der Gittervorspannung. Für Fadingkompensationsschaltungen geeignet. RENS 1224 Mischhexode. Als Eingangsröhre für Ueberlagerungsempfänger geeignet.
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rk 306
Abstract: RK220 antenne EF14 EF 14 erfurt
Text: VEB FUNKW ERK ERFURT EF 14 STEILE P E NT O D E 's m = Außenbelag mit bedingter Schirmwirkung ¡ TU Sockelschaltschema Kolbenabmessungen TECHNISCHE Heizung: Heizspannung Heizstrom u. 'f DATEN 6,3 ca. 450 Betriebswerte: a Bremsgitter an Kathode Breitband-Verstärker):
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/V/4/26
rk 306
RK220
antenne
EF14
EF 14
erfurt
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