vqe 13
Abstract: APT75GL60BN BAVP VQE13
Text: A D VA NC E D POWER TECHNOLOGY b lE D • □ 2 5 7 T D CI □ □ □ □ a S f l ■R FM 244 BAVP ADVANCED P ow er Techno lo g y * APT75GL60BN 600V 75A POWER MQS IV IG B T N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
|
OCR Scan
|
PDF
|
APT75GL60BN
vqe 13
BAVP
VQE13
|
BAVP 21
Abstract: BAVP21 Bavp BAVP 17 BAVP17 diody BAVP18 BAVP20 BAVP19 D035
Text: 8 * 74/2 DIODY IMPULSOWE * BAVP17, BAVP18, BAVP19, BAVP20, BAVP21 SWW 1156-131 D iody k rzem o w e e p ip la n a rn e m a îe j m ocy przezn aczo n e do p ra c y w u k la d a c h p ro sto w n ic zy c h i p rz ei^czaj^cy ch . D iodç oznacza siç od stro n y k a to d y d w o m a barw nym d
|
OCR Scan
|
PDF
|
BAVP17,
BAVP18,
BAVP19,
BAVP20,
BAVP21
z61tym
BAVP 21
BAVP21
Bavp
BAVP 17
BAVP17
diody
BAVP18
BAVP20
BAVP19
D035
|
BTP 10/400
Abstract: C3V9 5T BTP 10/200 BZP C3V3 tyrystor btp 10/400 bzp 650 c10 BZP 683 C6V8 tyrystory BYBP 10-200 BB109
Text: DIODY I TYRYSTORY W ykaz oznaczeñ param etró w technicznych Cp pojemnoáó diody przy okreálonym napigciu wsteeznym W . V stoaunek pojemnoáci ÜR2/ di j» krytyczna stromosé naraatania prqdu przewodzenia fp Ip I HJ IPRM IPSM *0 •^GT *0 ZR ÍTT
|
OCR Scan
|
PDF
|
T0220
BACE95,
BAE795
BACE95R,
BAE795R
BADE95,
BAE995
BABE95,
BAE895
BAV70
BTP 10/400
C3V9 5T
BTP 10/200
BZP C3V3
tyrystor btp 10/400
bzp 650 c10
BZP 683 C6V8
tyrystory
BYBP 10-200
BB109
|
600B00
Abstract: rectifier 350v 60A APT60D40B APT60D50B APT60D60B BAVP 17 Bavp
Text: ADVANCED POWE R TECHNOLOGY b3E D □ E S 7 tì D ,ì Q001DMG 7MM B I A V P A dvanced P ow er Te c h n o l o g y * 1 • Cathode 2 - Anode Back of Case-Cathode APT60D60B APT60D50B APT60D40B 600V 500V 400V 60A 60A 60A ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
|
OCR Scan
|
PDF
|
000104G
APT60D60B
APT60D50B
APT60D40B
O-247
O-247AD
600B00
rectifier 350v 60A
BAVP 17
Bavp
|
bzp 650 c10
Abstract: bzp 650 c12 BDP286 C9VI 5t BZP 630 C9V1 bdp 286 BDP 284 BdP 285 BDP 283 BZP 630 C24
Text: NAUKOWO- PRODUKCYJNE CENTRUM PÓLPRZEWODNIKÓW ELEMENTY PÓLPRZEWODNIKOWE Katalog wyrobów CEMI 1983/1984 C z ç é é I ELEMENTY DYSKRETNE Warszawa 1983 r. SPI S TRECCI Str. Od Wydawcy .
|
OCR Scan
|
PDF
|
NTCI11
TC212
NTC220
NTC22I
NTC220
NTC50I
bzp 650 c10
bzp 650 c12
BDP286
C9VI 5t
BZP 630 C9V1
bdp 286
BDP 284
BdP 285
BDP 283
BZP 630 C24
|
BAVP
Abstract: No abstract text available
Text: ADVANCED POùlER TECHNOLOGY b lE D □ E S T 'IG 'i DDDDflDS TOT • AVP ADVANCED POW ER Te c h n o l o g y • .«<■> ill POWER MOS IV™ APT802R4GN APT752R4GN APT802R8GN APT752R8GN 800V 750V 800V 750V 4.3A 4.3A 4.0A 4.0A 2.40Q 2.40i2 2.80Q 2.80Q N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
|
OCR Scan
|
PDF
|
APT802R4GN
APT752R4GN
APT802R8GN
APT752R8GN
802R4GN
752R8GN
802R8GN
APT802R4/802R8GN
O-257AA
BAVP
|
TFK 680 CNY 70
Abstract: 7447n BTP-128-400 ITT TCA 700 Y btp 128 550 74151n Katalog CEMI SFC2741DC 4BYP250-400 TFK 227
Text: NAUKOWO-PRODUKCYJNE CENTRUM PÒLPRZEWODNIKÓW CEMI ELEMENTY PÓtPRZEWODNIKOWE I UKtADY SCALONE USTA PREFERENCYJNA 1982/84 Warszawa 1982 WPROWADZENIE LISTA PREFEREMCYJNA zawiera wykaz podzespolów kowanych aktualnle, przewldzianych do produkcji w w ramach urnów specjallzacyjnych 1 kooperacyjnych.
|
OCR Scan
|
PDF
|
|
Katalog CEMI
Abstract: OA81 diode byp 660-50r Philips BC147 p 181 transoptor Mullard oa81 Hitachi 12V MS 5A-181 OA81 BA102 diode telefunken hr 780 rds
Text: WSTIJP W ydaw nictw a Przem yslu M aszynowego WEMA przekazujq uzytkow nikom branzow y katalog pt. E l e m e n t y pólp rz e w o d n i k o w e , zaw ierajqcy dokladne inform acje techniczne dotycz^ce elem entów pólprzew odnikow ych produkow anych w Polsce n a skal^ przem yslow ^. W szystkie w yroby
|
OCR Scan
|
PDF
|
|
