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    CMOS-IS BEI ELEKTROSTAT Search Results

    CMOS-IS BEI ELEKTROSTAT Result Highlights (5)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Download Buy
    74HC4053FT Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation CMOS Logic IC, SPDT(1:2)/Analog Multiplexer, TSSOP16B, -40 to 125 degC Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    74HC4051FT Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation CMOS Logic IC, SP8T(1:8)/Analog Multiplexer, TSSOP16B, -40 to 125 degC Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    4104BDM Rochester Electronics LLC 4104B - TTL/CMOS to CMOS Translator, CMOS, CDIP16 Visit Rochester Electronics LLC Buy
    TN82C54-2 Rochester Electronics LLC 82C54 - CMOS Programmable Timer Visit Rochester Electronics LLC Buy
    MG80C286-10/R Rochester Electronics LLC 80C286 - Microprocessor, 16-Bit, CMOS Visit Rochester Electronics LLC Buy

    CMOS-IS BEI ELEKTROSTAT Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type Document Tags PDF

    Thyristor Tabelle

    Abstract: 74ACT11244 SN74ABT16501 SN74ABT244 induktiv schaltungen mit cmos cmosschaltungen
    Text: EB200 Widebus-Bustreiber EB200 Widebus-Bustreiber Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 22.05.1991 Überarbeitet Januar 1996 Rev.: A 1 Applikationslabor EB200 Widebus-Bustreiber Der Trend zu 16- und 32-Bit breiten Bussystemen in Verbindung mit kontinuierlichen


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    EB200 32-Bit Thyristor Tabelle 74ACT11244 SN74ABT16501 SN74ABT244 induktiv schaltungen mit cmos cmosschaltungen PDF

    lt 8202

    Abstract: 9716 9716-W2C 4X40 HD44780 44780 16 x 1 8204-B P162-N BF 194 bel CHR27
    Text: EA 9716-W2C 11.01.2002 REV.C SERIELLES INTERFACE FÜR ALPHANUMERISCHE DOTMATRIXMODULE Einfachste Montage: Huckepack-Platine für 2x16 stellige Displays wie z.B. EA W162-NLED Abmessungen: 84x44x13mm Abmessung: 84 x 44 x 10 mm TECHNISCHE DATEN * * * * * * *


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    9716-W2C W162-NLED 84x44x13mm 24-KOMPATIBEL RS-232C) HD44780 W162-NLED, P162-NLED 017-xxU lt 8202 9716 9716-W2C 4X40 HD44780 44780 16 x 1 8204-B P162-N BF 194 bel CHR27 PDF

    IC6963

    Abstract: EA IC6963 RS232 240x128 T6963 240x128 8051 240X64 max232 rs232 T6963 240*128 IC6963-PGH
    Text: EA IC6963 8.1.2002 HIGH-LEVEL GRAFIKKONTROLLER FÜR DISPLAYS MIT T6963 PLCC44J TECHNISCHE DATEN * * * * * * * * * * * * * * * * FÜR LC GRAFIKDISPLAYS MIT T6963 z.B. 240x64, 240x128, 128x128 etc. KEINE TIMINGPROBLEME MEHR BEI SCHNELLEM BUSSYSTEM PIXELGENAUE POSITIONIERUNG BEI ALLEN FUNKTIONEN


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    IC6963 T6963 PLCC44J T6963 240x64, 240x128, 128x128 RS-232 MAX232 1000mA IC6963 EA IC6963 RS232 240x128 240x128 8051 240X64 max232 rs232 T6963 240*128 IC6963-PGH PDF

    IC202

    Abstract: EA IC202 smd quarz 128X64 128x64 Grafik LCD 240X64 HD61202 LCD 128x128 LCD 128x64 hd61202 lcd 240x128
    Text: EA IC202 8.2000 HIGH-LEVEL GRAFIKKONTROLLER FÜR DISPLAYS MIT HD61202 KS0108B PLCC44J TECHNISCHE DATEN * * * * * * * * * * * * * * * * FÜR LC GRAFIKDISPLAYS 128x64 MIT HD 61202 ODER KOMPATIBEL KEINE TIMINGPROBLEME BEI SCHNELLEM BUSSYSTEM PROGRAMMIERUNG ÜBER DIVERSE EINGEBAUTE GRAFIKFUNKTIONEN:


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    IC202 HD61202 KS0108B) PLCC44J 128x64 RS-232 MAX232 PLCC44J; IC202 EA IC202 smd quarz 128x64 Grafik LCD 240X64 HD61202 LCD 128x128 LCD 128x64 hd61202 lcd 240x128 PDF

    W240-7KHLED

    Abstract: T6963 P2406 W240-6K2HLW MST7 P128-7KLED 8X16 MAX232 W240-7K IC6963
    Text: EA IC6963-PGV 12.09.2002 HIGH-LEVEL GRAFIKKONTROLLER FÜR VERTIKALEN EINBAU MIT T6963 PLCC44J TECHNISCHE DATEN * * * * * * * * * * * * * * * * FÜR LC GRAFIKDISPLAYS MIT T6963 z.B. 240x64, 240x128, 128x128 etc. FÜR VERTIKALEN EINBAU HOCHFORMAT 90° GEGEN DEN UHRZEIGERSINN


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    IC6963-PGV T6963 PLCC44J T6963 240x64, 240x128, 128x128 RS-23rtadresse 16-Bit) RS-232 W240-7KHLED P2406 W240-6K2HLW MST7 P128-7KLED 8X16 MAX232 W240-7K IC6963 PDF

    GE128

    Abstract: 8X16 HD61202 KS0108B MAX232 smd transistor JE 45 MAX232 smd IC202-PGV KS0108 quarz smd N
    Text: 29.05.2002 EA IC202-PGV HIGH-LEVEL GRAFIKKONTROLLER FÜR VERTIKALEN EINBAU 64X128 MIT HD61202 KS0108B PLCC44J TECHNISCHE DATEN * * * * * * * * * * * * * * * * * FÜR LC GRAFIKDISPLAYS 128x64 MIT HD 61202 ODER KOMPATIBEL FÜR VERTIKALEN EINBAU 64X128 HOCHFORMAT 90° GEGEN UHRZEIGERSINN


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    IC202-PGV 64X128 HD61202 KS0108B) PLCC44J 128x64 RS-232 MAX232 PLCC44J; GE128 8X16 HD61202 KS0108B smd transistor JE 45 MAX232 smd IC202-PGV KS0108 quarz smd N PDF

    IC1520

    Abstract: EA IC1520 P098-5NLED MAX232 SED1520 IC1520-2 120x32 MAX232 smd 6x8 font
    Text: EA IC1520 1.98 HIGH-LEVEL GRAFIKKONTROLLER FÜR DISPLAYS MIT SED 1520 PLCC44J TECHNISCHE DATEN * * * * * * * * * * * * * * FÜR LC GRAFIKDISPLAYS MIT SED 1520 z.B. 122x32, 120x32, 98x32 KEINE TIMINGPROBLEME MEHR BEI SCHNELLEM BUSSYSTEM PROGRAMMIERUNG ÜBER HOCHSPRACHENÄHNLICHE BEFEHLE:


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    IC1520 PLCC44J 122x32, 120x32, 98x32 RS-232 MAX232 100mA 120x32 IC1520 EA IC1520 P098-5NLED SED1520 IC1520-2 MAX232 smd 6x8 font PDF

    SR1550AL

    Abstract: SR1550ALSAS montage electrique european socket outlet symbol USAR ICES-003 S5000 S5000PAL SR1550 indigo
    Text: Intel Server System SR1550AL/ SR1550ALSAS User’s Guide A Guide for Technically Qualified Assemblers of Intel® Identified Subassemblies/ Products Intel Order Number D31972-002 Disclaimer Information in this document is provided in connection with Intel® products. No license, express or implied, by


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    SR1550AL/ SR1550ALSAS D31972-002 SR1550AL/SR1550ALSAS SR1550AL montage electrique european socket outlet symbol USAR ICES-003 S5000 S5000PAL SR1550 indigo PDF

    information applikation

    Abstract: Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation mikroelektronik 40098 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik applikation MIKROELEKTRONIK Frankfurt applikation heft 40511
    Text: in j^ D lk ^ im iB lB l- c t e n n r iil- c KaD Information Applikation CMOSLOGIKSCHALTKREISE i - : d o l - i t s n a n i l - c Information Applikation • Heft 12: CMOS-Logilc-IS ^ K»D T veb halbleiterwerkfrankfurt oder ' VEB ZENTRUM FÜR FO R SC H U N G


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    information applikation

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR U555C information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft mikroelektronik applikation Transistoren DDR
    Text: in n ilk a n í o J B lB t a L J I , L J n Í lH KáD Information Applikation Halbleiter Speicher Teil 1 SRAM [ n n ilk r a ^ e lE s k t s n a r iik Information Applikation HEFT 79- , HALBLEITERSPEiCHER TEIL li > < .1* • • r* - . SRAM * VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder


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    relais datenbuch siemens

    Abstract: siemens datenbuch triac zu 103 ma BSS97 diode sg 5 ts Scans-048 BUZ23 s489 DSAGER00059 Transistor Datenbuch
    Text: SIEMENS SIPMOS Kleinsignaltransistoren Technische Beschreibung Ausgabe September 1986 Inh alt 1. Einleitung 5 2. Technologie 5 3. Schaltverhalten 6 4. D atenblattangaben 8 4.1 4.2 4.3 Drainstrom lD Gate-Schwellenspannung VGS th Temperaturabhängigkeit 8 8


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    BRT12H BRT12M relais datenbuch siemens siemens datenbuch triac zu 103 ma BSS97 diode sg 5 ts Scans-048 BUZ23 s489 DSAGER00059 Transistor Datenbuch PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation MAA725 information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik applikation "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR applikation heft
    Text: LnnJütkilr'l; E l d - t = n a | - | i l - C Information Applikation D/A WandlerFamilie wvReferenz Stromquellen­ schalter /« Widerstands­ netzwerk 1 J • -CCI w f f i ni ö l k ä r i' t s i s l s S - t f c s n o r i i l - t i iforma t l o n pplikation


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    information applikation

    Abstract: information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik heft applikation heft mikroelektronik applikation DL374D VEB mikroelektronik
    Text: LnnJQ[]=<3r D ö]ElE 3l"<t3r ,LJI lilK Information Applikation in r # ^ o s J e k t 3r» ariik Information Applikation Heft Saue * 35 I S aus dem K i O 1 9 8 6 i I I 1 I . . \mb Halhi^iterw r k frankfurt/odai» imvebkombin mücroatektrontoc wt KAMMER DER TECHNIK


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    diode SY 192

    Abstract: KP902A Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik transistor kp mikroelektronik datenblattsammlung "halbleiterwerk frankfurt" KP306a mikroelektronik DDR
    Text: . • M ' - l ä r o u jk 1 U ’i m - í!Í'.>. "lA T T S A M M . 'Q elektronische Bauelemente IWT iO 1/87 I# %# S Die vorliegenden Datenblätter dienen nur zur Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente eingestuften Sortiments«


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr information applikation information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR SMY50 mikroelektronik applikation "Mikroelektronik" Heft
    Text: Information Applikation Fïn]o i=3rn(s]eiel-ctenoriil-c Information Applikation H E F T 56 : Verhalten von Elektronischen Baueleaenten bei E S D (Electrostatic discharge -Physikalische Grundlagen-Wi^kungen-Maßnahmen zum Schutz vor ESD- veb halbJoiterwork fronkfurt /oderb e t r ie b im v e b k o m b in a t m ik r o o t a k t r o m k


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    VEB mikroelektronik

    Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik applikation Mikroelektronik Information Applikation a4100d "information applikation" Dioden SY 250 "halbleiterwerk frankfurt" halbleiterwerk
    Text: m ö tk n n ^ e le l-c fa n a riil-c Information Applikation ~ in^joNFiggelB k tana n lk Information Applikation H e f t 4 2 : IBISÜIKSSELSKlHOlflK 5 j BijlQiaXßX leiatimgsgchalttranaiatpp ¡teil 1 vab hnlbleiterwark Trankfurt /od«f> im v a b k o m b in a t m ik r t M la k t r o n ü c


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    siemens BSM b2

    Abstract: smd zener GD AX transistor fp 1016 79 p Siemens anwendungsbeispiele siemens igbt BSM 25 gb 100 d BTS412A DIODE ZENER BZW 04 TRANSISTOR EN SMD TZ N-Kanal FET BTS542R
    Text: Technische Angaben SIPMOS-Leistungstransistoren und Dioden SIPMOS-Leistungstransistoren Transistoren im Bereich 50 V . 1000 V, 1,5 A . 60 A und 18 mQ . 8 Q. P -K a n a l N-Kanal Produktpalette • • • • • N- und P-Kanal-Anreicherungstypen FREDFET


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    B152-B6299-X-X-7400 siemens BSM b2 smd zener GD AX transistor fp 1016 79 p Siemens anwendungsbeispiele siemens igbt BSM 25 gb 100 d BTS412A DIODE ZENER BZW 04 TRANSISTOR EN SMD TZ N-Kanal FET BTS542R PDF

    VEB mikroelektronik

    Abstract: Datenblattsammlung SY 625 V40511D mikroelektronik datenblattsammlung Diode KD 514 KD512A mikroelektronik Berlin "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat mikroelektronik Erfurt
    Text: \ñ ñ lB rW *m X S á B Í4 ti& * 311' ill c e l e k t r o n i k - b a u e i e m e n t e ? 2/86 . Die vorliegenden Datenblätter beinhalten Listen i Infonmatic-aen ü b e r elektronischer Sie können abgeleitet beinhalten n ur z u r Information» Halbleiterbauelemente


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    information applikation

    Abstract: transistor vergleichsliste information applikation mikroelektronik c5658c DS8205D mikroelektronik DDR applikation heft VEB mikroelektronik 14-Bit-DAC mikroelektronik applikation
    Text: rr uni Information Applikation . m nlkif^eiBktana rTik / Information Applikation H E F T 51 : D/A - Wandler-Famili«H F 0 1988 v b hafcW t r w rk fmkfurfc loömr im v«t>kombinot mlcmiWiti Ontt KAMMER DER TECHNIK Ebartu u traB * 2, Frankfurt O tU r V o rilo n d d«> M iir k n « r b a n d « t


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    information applikation

    Abstract: information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft A4100D "Mikroelektronik" Heft applikation heft mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik
    Text: m o N n ^ e le l-c te n o r iil-c Kp Information Applikation m L r r t l k < I r J[ S J E 2 l E l - < f c i r ,a r - | i t < Information Applikation H e f t : 40 L S - T T L - R e l h e Teil 1 ueb Halbleiterwerk frankfurt /oder* b o t r - ie b im v e t k o m b m a t m ik r o o le k t r o n « k


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    UEI 20 SP 010

    Abstract: Datenblattsammlung u82720 mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik UB8820M "halbleiterwerk frankfurt" UEI 15 SP 020 Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2 B4207D
    Text: e l e k t r o m k - b a u e ì e m e n t e * W UKaÊÊi I Ä I L I I m V w •1 vît M •'4 n, ' I ill ■ DATEN BLATTSAMM LU NG elektronische bauelemente ?: V' I j| D A I Ï K B L A U S A MML ÜHG "E lektronische Bauelemente1' Ausgabe 1/89 14 : "Neue und weiterentwiekelte Bauelemente sowie ausgewählte Importbauelemente"


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    64-KBit-Sehreib--Iese-Speicher 086/11/B9 UEI 20 SP 010 Datenblattsammlung u82720 mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik UB8820M "halbleiterwerk frankfurt" UEI 15 SP 020 Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2 B4207D PDF

    information applikation mikroelektronik

    Abstract: information applikation Mikroelektronik Information Applikation applikation heft mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR radio fernsehen elektronik "information applikation"
    Text: m o lk ^ o e le l-c ts n a r iik c Information Applikation 31/2 DIGIT CMOS Analog-DigitalWandler G O Q . i m f l k i n i o e l B l H c f a p a r T B Inform ation Applikation Heft C 47: 7 13 6 A / D - W a n d l e r I 1 * *• vm b u w t L frrinkfu r f c / o d f


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    MSD 7818

    Abstract: MN9106 information applikation 7490 N TDA 5700 information applikation mikroelektronik udssr hefte 143KT1 Mikroelektronik Information Applikation K 176 LE, K 561 LN
    Text: In n in ik ü r Q fâ lI Information Applikation RGW Typen­ übersicht + Vergleich TeiM UdSSR JitfÆÊL JUUUUUUL&JJJUL i m i n i ^ r ^ c z l c i c b p o n Information Applikation , 9 H E F T 4 9 * R G W T y p e n ü b e r s i c h t + V e r g l e i c h Teil 1


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    6250b MSD 7818 MN9106 information applikation 7490 N TDA 5700 information applikation mikroelektronik udssr hefte 143KT1 Mikroelektronik Information Applikation K 176 LE, K 561 LN PDF

    information applikation

    Abstract: U2716C35 U214D30 U2732 V40511D K573P "information applikation" U2732C35 U555C 2732A INTEL
    Text: m o G ^ ^ e le l^ t e n o r iîl-i Information Applikation i m f l k F a i ° o l B l H t 3 n a r Information Applikation HEFT =41 MOS-Speicher 3 - E PROM v o b h a lb le it o r w r f c f r a n k f u r c / o d a r im v b ko m b in at m jkro a W tt r onMi KAMMER DER TECHNIK


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