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    DDR BAUELEMENTE Search Results

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    DDR BAUELEMENTE Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type Document Tags PDF

    sy 164

    Abstract: sy 166 sy 160 OC870 sy-162 sy162 sy 103 OC824 SY164 OC872
    Text: UMSCHLÜSSELLUNGSLISTE DDR-TRANSISTOREN und -DIODEN gültig ab 01.01.1964 nach TGL 19 442 NEUER TYP ALTER TYP NEUER BASTELTYP ALTER BASTELTYP GC 100 GC 101 OC 870 F≤ 25 dB OC 870 F≤ 10 dB LC 810 LC 810 LA 25 LA 25 GC 115 GC 116 GC 117 GC 118 GC 121 GC 122


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    FTN256

    Abstract: ft324 LCMXO640C-3TN144C F324 EUROPE lattice machxo lcmxo1200c MachXO2280C cd 7231 BP5867 xo 640c LFXP3C demo
    Text: Avnet Memec – The Source of Innovation www.avnet-memec.eu THE NON-VOLATILE FPGA GUIDE 01/2008 - XO - XP - XP2 CREATE INNOVATE ACCELERATE MACHXO FAMILY CROSSOVER PROGRAMMABLE LOGIC DEVICES KEY FEATURES AND BENEFITS • Non-Volatile, Infinitely Reconfigurable


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    TR-34742 D-59439 PL-41-800 FTN256 ft324 LCMXO640C-3TN144C F324 EUROPE lattice machxo lcmxo1200c MachXO2280C cd 7231 BP5867 xo 640c LFXP3C demo PDF

    SAS 251

    Abstract: 4580d tda 2022 Tda 865 TDA 7650 CPA 7660 cmo 765 TAA 2761 A TCA4510 TAA761A
    Text: 1:UNKAMATEUR-Bauelementeinformation IS Vergleichslisten für integrierte Schaltkreise DDR/international IS für den Einsatz in Rundfunkempfängern und Recordern DDR-Typ Vergleichstyp Beschreibung DDR-Typ Vergleichstyp Beschreibung A 202 D A 22SD A 244 D/SD


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    A225D 1310P 1524D A273D 1818D A274D A4100D A277D TJAAI80) A4510D SAS 251 4580d tda 2022 Tda 865 TDA 7650 CPA 7660 cmo 765 TAA 2761 A TCA4510 TAA761A PDF

    Transistoren DDR

    Abstract: vergleichsliste TELEFUNKEN bux 127 aktive elektronische bauelemente ddr BUX 127 SF 127 vergleichsliste DDR "vergleichsliste" bauelemente DDR sf 369
    Text: VT FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Vergleichsliste für Transistoren DDR/international DDR-Typ Vergleichstyp Beschreibung Hinweise SC 237/238/239 SC 307/308/309 SCE 237 SD 335/337/339 BC 237/238/239 BC 307/308/309 BC 847 BCW 71/72 BCX 70 BC 848 BCW 31/32/33/60


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    SCE237 SCE238 SCE239 SCE308 Transistoren DDR vergleichsliste TELEFUNKEN bux 127 aktive elektronische bauelemente ddr BUX 127 SF 127 vergleichsliste DDR "vergleichsliste" bauelemente DDR sf 369 PDF

    SZ600

    Abstract: SZX19 SZX18 sz 600 SZX21 sz 515 Funkamateur FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation szx 18 30 SZ510
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Z-Dioden aus der DDR Z-Dioden kleiner und mittlerer Verlustleistung Kurzcharakteristik Grenzwerte Parameter Typ Gesamtverlustleistung Kurzzeichen [mW] SZX18/. SZX19/. SZX21/. Sperrschichttemperatur min. SZX18/19/. SZX21/.


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    SZX18/. SZX19/. SZX21/. SZX18/19/. SZ600/. ti-25 SZ600 SZX19 SZX18 sz 600 SZX21 sz 515 Funkamateur FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation szx 18 30 SZ510 PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
    Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


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    6x10x12 Halbleiterbauelemente DDR Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C PDF

    SSY20

    Abstract: SF828 VEB mikroelektronik funkamateur BUX 127 SF126 SF 127 SF128 SF826 SF 829 B
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation DDR-SiliziumTransistoren Typenübersicht Si-Transistoren des VEB Kombinat Mikroelektronik Grenzdaten Zonen­ Vorzugs­ anwendungen2 folge P,o, [mW, W ] Typ1 Kenndaten UcBO U ceO T • T * 1C , ACsat [V] [V] [mA, (A)] fiT3


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    mikroelektronik ddr

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
    Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn­ daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden


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    RGK13

    Abstract: rgk 13 RGS13 RGT13 mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik DDR FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation VEB mikroelektronik Funkamateur "Mikroelektronik" Heft
    Text: FUNKÂMATEUR-Bauelementeinformation RGK13 RGS13 RGT13 D IL - Dual In Line und S IL - (Single In Line) Relais in Flachbauform mit 13-mm-Schutzrohrkontakt T G L 42699/01 Hersteller: V E B Relaistechnik Großbreitenbach O Seit einiger Zeit werden in der DDR


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    13-mm-Schutzrohrkontakt RGK13 RGS13 RGT13 rgk 13 mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik DDR FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation VEB mikroelektronik Funkamateur "Mikroelektronik" Heft PDF

    VEB mikroelektronik

    Abstract: mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr TESLA Tesla katalog 74c915 V4093D 4502c mosfet 4040BC K561TM2
    Text: DATEN DIGITALER INTEGRIERTER SCHALTKREISE AMATEUR BIBLIOTHEK Klaus K.Streng Streng, Klaus K.: Daten digitaler integrierter Schaltkreise CMOS-Schaltkreise . Berlin: Militirverlag der DDR. 1987. - 192 S.: 314 Bilder (Amateurbibliothek) ISBN 3-327-00360-2 l. Auflage, 1987


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    HC4316 HC503 4351D/L VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr TESLA Tesla katalog 74c915 V4093D 4502c mosfet 4040BC K561TM2 PDF

    gruner

    Abstract: AF125 VEB Funkwerk Erfurt iran Erfurt Planschirm 20/RGI TGL
    Text: Pl.Nr. 1303 26 553 Einsprüche bU 30.6.66 andie durchfdhrende Stelle mit Kopieorrdis beauftragte ZfS Entwurf DDR-Standard OK 6 2 1 .3 8 5 .8 3 2 . Mai 966 TGL, Elektronenröhren OSZILLOGRAPHENRÖHRE B 13 S5 ?^76KTpOHHblB yJ9Mnbi OciiM^viorp^iMsecKaii ipyÍKa 613 55


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    11iiiitBiF gruner AF125 VEB Funkwerk Erfurt iran Erfurt Planschirm 20/RGI TGL PDF

    Funkamateur

    Abstract: SF128 sf126 SSY20 SU161 SF136 SF137 sf359 132 gd 120 sf358
    Text: Funkam ateur-Tabeilen Halbleiter-Bauelemente aus der DDR-Produktion 1980 Typ P« mW [W] UcBO V U ceO Ic [ U c e r ] mA V [A] hin Bei UCE und Ic mA V [A] MHz Silizium-NF-Transistoren 200 SC 206 SC 207 200 sc 236 200 sc 237 200 200 sc 238 sc 239 200 Silizium-HF-Transistoren


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    il21E Funkamateur SF128 sf126 SSY20 SU161 SF136 SF137 sf359 132 gd 120 sf358 PDF

    sy 170

    Abstract: SY 356 SY 360 05 sy 710 sy 360 Dioden SY 250 byx 21 SY 320 sy710 Halbleiterbauelemente DDR
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation VD Vergleichsliste für Dioden DDR/international D D R - Vergleichs­ Typ typ GA 100 G A 101 G A 102 GA 104 G A 105 GAY 61 GAY 64 SA 412 SA 415 SA 418 SAY 12 SAY 16 o SAY 17 SAY 18 SAY 20 SAY 30 SAY 32 SAY 40 SAY 42 SY 170


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    N4001. sy 170 SY 356 SY 360 05 sy 710 sy 360 Dioden SY 250 byx 21 SY 320 sy710 Halbleiterbauelemente DDR PDF

    sy 160

    Abstract: Scans-048 OC871 gf 122 DSAGER00037 GC101 OC870 OC883 LF 833
    Text: UMSCHLÜSSELLUNGSLISTE DDR-TRANSISTOREN und -DIODEN gültig ab 01.01.1964 nach TGL 19 442 NEUER ALTER NEUER TYP_ TYP_ BASTELTYP ALTER BASTELTYP GC 100 GC 101 OC 870 F< 25 dB OC 870 F< 10 dB LC 810 LC 810 LA 25 LA 25 GC GC GC GC GC GC


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    ker 221

    Abstract: elektronik DDR L8853 ddr veb hermsdorf Filter Hermsdorf Deutsche Post Scans-048 nf schaltungen bauelemente DDR
    Text: K > A U S G A B E 1965 Abbildungen und W e rte gelten nur bedingt als Unterlagen für Bestellungen. Rechtsverbindlich Ist |eweils die Auftragsbestätigung. Änderungen Vorbehalten. E x p o r t e u r : Heim electric, Deutsche Export- und Importgesellschaft m .b .H ., 102 Berlin 2, Liebknechtstraße 14, DDR


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    SAL 41

    Abstract: SMY52 SMY60 GAZ17 Funkamateur GY102 smy50 SMY51 germanium GY100
    Text: FUNKAMATEUR-Tabellen Halbleiterbauelemente aus der DDR-Produktion 1980 Typ Plot UDs U gs UGB V U DB mW V U dg Si-MOSFGT n-Kanal-Verarm ungstyp 20 SM 103 150 -1 5 /+ 5 SM 104 150 20 -1 5 /+ 5 U sb Id y 21 Bei V - U T Bei Re Id |aA T mA V erw endung A sc sc


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    SMY511 SMY52 SMY602 GY100 SAL 41 SMY60 GAZ17 Funkamateur GY102 smy50 SMY51 germanium PDF

    VQB71

    Abstract: vqb 71 Halbleiterbauelemente DDR "halbleiterwerk frankfurt" U105D diode sy-250 U107D u311d hfo frankfurt sy 170
    Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente D ie v o r lie g e n d e Ü b e rs ic h t e n t h ä l t i n g e d rä n g te r Form d ie w ic h tig s te n G renz- und K enndaten d e r i n d e r DDR g e f e r t i g t e n H a lb le ite r b a u e le m e n te . D ie K ennw erte werden im a llg e m e in e n f ü r e in e U m gebungstem peratur von


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: MAA 436 TESLA mikroelektronik applikation Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 IL709M mikroelektronik Heft MAA725 K553UD1A "Mikroelektronik" Heft Tesla katalog
    Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION K 159 INNENSCHALTUNG SONDERHEFT IMPORT­ BAUELEMENTE UDSSR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN INFORMATION-APPLIKATION SONDERHEFT IMPORTBAUELEMENTE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN MIKROELEKTRONIK HEFT 6 veb Halbleiterwerk frankfurt oder


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
    Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


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    DOR102 Halbleiterbauelemente DDR GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170 PDF

    SPF455

    Abstract: SPF 455 H 5 SPF 455 msf 38.9 SPF 455 h5 455-A6 SPF10700 455-B6 SFU 455 Y veb taschenbuch
    Text: Mechanische Frequenzfilter Sondererzeugnisse Kombinat VEB Elektronische Bauelemente F R E Q U E N Z S E L E K T IV E B A U E L E M E N T E In h alt Piezokeram ische B a ndfilte r O b e rflä ch e n w e lle n filte r Seite 6 16 S O N D E R E R Z E U G N IS S E


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    Ag05/23/87 SPF455 SPF 455 H 5 SPF 455 msf 38.9 SPF 455 h5 455-A6 SPF10700 455-B6 SFU 455 Y veb taschenbuch PDF

    2T6551

    Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft KD 605 KT825 transistoren KT 960 A Mikroelektronik Information Applikation KT827 mikroelektronik DDR
    Text: im S l^ is B le l- c t s n o r iil- c Information Informations- und Applikationshefte „ M IK R O E L E K T R O N IK " Bisher ersch ien en : Heft Heft Heft Heft Heft Heft Heft 1: 2: 3: 4: 5: 6: 7: A 210 und 211 A 301 A 290 A 202 A 244 und A281 Importbauelem ente RGW „IS"


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    diode E1110

    Abstract: lN4002 LN4003 ANA 618 20010 TDB 0123 km b3170 E1110 Diode UB8560D MAA723 moc 2030
    Text: elektronik-bauelem ente I WT VD AVL 1 /8 7 Bl. 2 E r l ä u t e r u n g e n z u m I n h a l t und zu d e n A n g a b e n d e r B a u e l e m e n t e - V e r g l e i c h s l i s t e D ie B a u e l e m e n t e - V e r g l e i c h s l i s t e e n t h ä l t a l l e in d e r B i l a n z v e r a n t w o r t u n g d e s V E B K o m b i n a t


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    sd 347

    Abstract: VEB mikroelektronik Transistoren DDR sd 346 Funkamateur FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation SD349 telefunken transistoren MIKROELEKTRONIK ERFURT aktive elektronische bauelemente ddr
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Silizium-npn- und -pnp-Leistungstransistoren in Epitaxie-Planar-Technologie A pplikationsschaltungen T G L 39125 H ersteller: V E B M ik ro e le k tro n ik „ A n n a S e g h e r s " N e u h a u s Kurzcharakteristik Grenzwerte im Betriebstemperaturbereich


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    Anzugsmomentvon50. 80Ncm sd 347 VEB mikroelektronik Transistoren DDR sd 346 Funkamateur FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation SD349 telefunken transistoren MIKROELEKTRONIK ERFURT aktive elektronische bauelemente ddr PDF

    information applikation

    Abstract: "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft CDB4151 mikroelektronik Heft 12 MH8475 MH7442 Mikroelektronik Information Applikation information applikation mikroelektronik CDB4153
    Text: ' 1 o lE h f c p o n ih Information Applikation s o c h a lH ü n o n il- c Information Applikation HEFT 25 I M P O R T - I S T E IL 1 Ivob Halbleiterwerk frankfurt/ader | b e trie b im m b kom binat m ikroelektronik ] KAMMER DER TECH N IK I Bezirksvorstand Frankfurt/O.


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