STR WG 253
Abstract: WG 253 STR dioda LED C250 GZ11 PS11 R159 dioda led 15 v str 2652 dioda
Text: R15 przekaŸniki przemys³owe - ma³ogabarytowe 162 R15 2P R15 3P • Przekaźniki ogólnego zastosowania • Do gniazd wtykowych, montaż na szynie 35 mm wg EN 50022 lub na płycie • Styki bez kadmu - R15 2P, R15 3P • WT wskaźnik zadziałania, mechaniczny + przycisk testujący, czołowy z funkcją
|
Original
|
|
PDF
|
dwa 108 a
Abstract: E3NT-L37 dioda impulsowa semiconductors dwa 108 E3NT-L17 dioda LED e3nt dioda Silikon
Text: Czujnik fotoelektryczny z ustawianym zasięgiem 17/ Technologia “uczenia i działania” w połączeniu z łatwym w obsłudze wyświetlaczem i dużym zasięgiem wykrywania Przyk³ady aplikacji Czujnik E3NT-L może sprawdzić, czy w regale jest wolne miejsce na paletę.
|
Original
|
|
PDF
|
C250
Abstract: R3-2013-23-1024-WT
Text: R3 przekaŸniki przemys³owe - miniaturowe 10 A / 250 V AC 145 • Miniaturowe wymiary • Styki bez kadmu • Cewki AC i DC • Do gniazd wtykowych, montaż na szynie 35 mm wg EN 50022 lub na płycie • Przekaźniki ogólnego zastosowania • WT wskaźnik zadziałania, mechaniczny + przycisk testujący,
|
Original
|
R3-2013-23-1024-WT
C250
R3-2013-23-1024-WT
|
PDF
|
dioda
Abstract: Monta
Text: RY2 154 przekaŸniki przemys³owe - miniaturowe • Przekaźniki ogólnego zastosowania • Do gniazd wtykowych, montaż na szynie 35 mm wg EN 50022 lub na płycie • Połączenia wsuwkowe płaskie konektorowe - wsuwki 4,8 x 0,5 mm • Uznania, certyfikaty, dyrektywy: RoHS,
|
Original
|
RY2-2012-26-1024
RY2-2012-26-5230-L
dioda
Monta
|
PDF
|
dioda 1n4007
Abstract: diody i tyrystory dioda Silikon TSE6-1A3113100 schemat 1000ap dioda LED zasilacze TSE6-1A3213100 tyrystory
Text: TSE - urz¹dzenie do ³agodnego za³¹czania transformatora, jest przekanikiem elektronicznym z mikroprocesorem kontroluj¹cym warunki za³¹czania transformatora. Jako klucze elektroniczne zastosowane s¹ tu tyrystory mocy. £agodny rozruch transformatora bez udarowego pr¹du rozruchowego jest osi¹gniêty dziêki krótkotrwa³emu przemagnesowaniu rdzenia
|
Original
|
|
PDF
|
str wg 252
Abstract: WG 253 WG 253 STR dioda R4 dioda R4P-0001-A STR WG 253
Text: R4 przekaŸniki przemys³owe - miniaturowe 6 A / 250 V AC Dane styków 149 • Miniaturowe wymiary • Styki bez kadmu • Cewki AC i DC • Do gniazd wtykowych, montaż na szynie 35 mm wg EN 50022 lub na płycie • Do obwodów drukowanych i do połączeń lutowanych - opcja • Przekaźniki ogólnego zastosowania • WT wskaźnik
|
Original
|
R4-2014-23-5230-WTL
str wg 252
WG 253
WG 253 STR
dioda R4
dioda
R4P-0001-A
STR WG 253
|
PDF
|
dioda 1n4007
Abstract: trafo 1a dioda Silikon TSE6-1A1113100 TSE6-1A1213100 TSE6-1A2113100 TSE6-1A2213100 TSE6-1A3113100 TSE6-1A3213100 TSE6-1A4113100
Text: Urz¹dzenie do ³agodnego za³¹czania transformatorów 71 TSE - urz¹dzenie do ³agodnego za³¹czania transformatora Zalety stosowania TSE - ³agodnego za³¹czania transformatorów TSE jest przekanikiem elektronicznym z mikroprocesorem kontroluj¹cym warunki
|
Original
|
|
PDF
|
STR WG 253
Abstract: WG 253 STR 2003 dioda C250 dioda R2-2012-23-1024-WT
Text: R2 przekaŸniki przemys³owe - miniaturowe 140 12 A / 250 V AC • Miniaturowe wymiary • Styki bez kadmu • Cewki AC i DC • Do gniazd wtykowych, montaż na szynie 35 mm wg EN 50022 lub na płycie • Do obwodów drukowanych i do połączeń lutowanych - opcja • Przekaźniki ogólnego zastosowania • WT wskaźnik
|
Original
|
R2-2012-23-1024-WT
R2-2012-25-1024
STR WG 253
WG 253 STR
2003 dioda
C250
dioda
R2-2012-23-1024-WT
|
PDF
|
SOD-23
Abstract: BA182 SOD23 dioda CE37 45tamb
Text: 2 - 74/2 DIODA PRZEL4CZNIKOWA * BA182 SWW 1156-121 Dioda krzem ow a ep ip lan arn a charakteryzuje siç maJq opornosci^ w k ieru n k u przew odzenia. Jest ona przeznaczona do pracy glów nie jako dioda przel^cznikow a w glowicy UHF w odbiornikaeh telew izyjnych.
|
OCR Scan
|
BA182
SOD-23
BA182
SOD23
dioda
CE37
45tamb
|
PDF
|
dioda
Abstract: DIODA S 14 CQYP18
Text: 6-74/3 DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA CQYP18 SWW 1156-6 Dioda elektroluminescencyjna wykonana z arsenku galu stanowi zrodlo promieniowania podczerwonego o strumieniu ci^glym lub modulowanym. Stosuje siQ j$ w ukladach komutacji i lokacji optycznej, w ukiadach automatyki i kontroli oraz w technice pomiarowej.
|
OCR Scan
|
CQYP18
dioda
DIODA S 14
CQYP18
|
PDF
|
dioda
Abstract: k 4070 CQYP31 CEMI
Text: 8 -7 4 /3 DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA * CQYP31 SWW 1156-6 Dioda elektrolum inescencyjna ep itak sjaln a z fosforku galu em ituje sw iatlo czerwone. Stosuje siQ w ukladach w skaznik ptyczny. DANE TECHNICZNE w ykonana Dopuszczalne wartosci parametröw eksploatacyjnych
|
OCR Scan
|
CQYP31
dioda
k 4070
CQYP31
CEMI
|
PDF
|
AAP152
Abstract: cemi
Text: DIODA UNIWERSALNA AÄP152 2 - 74/1 SWW 1156-121 Dioda germanowa ostrzowa AAP152 charakteryzuje siç maiym napiçciem przewodzenia. Jest ona przeznaczona glównie do stosowania w ukladach zabezpieczaj^cych, pomiarowych i automatyki. HI» '' 2,71 SS h 5,85 r w
|
OCR Scan
|
AAP152
cemi
|
PDF
|
uf135
Abstract: BAP815 telefoni
Text: 4 - 74/2 DIODA STABILIZACYJNA * BAP815 * SWW 1156-141 Dioda krzem ow a dyfuzyjna m alej mocy jest przeznaczona do stabilizacji punk tó w p racy w ukladaçh tranzystorowych. DAÑÉ TECHNICZNE Dopuszczalne w artosci p aram etrów eksploatacyjnych P rqd przew odzenia
|
OCR Scan
|
BAP815
10-Vdeg
25-zo
uf135
BAP815
telefoni
|
PDF
|
DG21
Abstract: dioda
Text: 8 - 74/1 DIODA UNIWERSALNA O DG21 SWW 1156-131 Dioda germ anow a ostrzow a DG21 jest kontrolow ana pod kqtem okreálonego przedzialu ch a rak tery sty k i przew odzenia. Je s t ona przeznaczona do stosow ania w u k ladach telefonii nosnej w m odulatorach pierscieniow ych oraz
|
OCR Scan
|
|
PDF
|
|
|
WARIKAP
Abstract: dioda BBP602 CI 7412
Text: 14 - 74/2 WARIKAP BBP602 SWW 1156-151 Dioda krzemowa epiplanarna o zmiennej pojemnoáci. W arikapy BBP602 s$ przeznaczone do pracy w ukiadach automatycznej regulacji czçstotliwoàci odbiorników radiowych i telewizyjnych w zakresie fai ultrakrótkich. c X
|
OCR Scan
|
BBP602
BBP602
WARIKAP
dioda
CI 7412
|
PDF
|
BYP401-50
Abstract: BYP401-100 BYP401-400 BYP401-1000 BYP401-600 BYP401-200 BYB401-50 BYP401-800 BYP401 dioda n 04
Text: — DIODA PROSTOWNICZA BYP401 -i m 4o o ? 22- 74/2 SWW 1156-112 D iada krzem ow a dyfuzyjna je st przeznaczona do stosow ania w ukíadach prostow niczych m alej i áredniej moey. K ierunek napisu oznaczenia n a obudow ie diody w skazuje k ierunek przew odzenia.
|
OCR Scan
|
BYP40X
BYB401-50
BYP401-1000
BYP401-800
BYP401-600
BYP401-400
BYP401-200
BYP401-100
BYP401-50
BYB401-50
BYP401
dioda n 04
|
PDF
|
AAP162
Abstract: AAP16
Text: DIODÄ UNIWERSALNA AAPI 62 6- 74/1 SWW 1156-121 Dioda germanowa ostrzowa AAP162 jest przéznâczona do stosowania w ukladach zabezpieczajqcych i detekcyjnych. DANE TECHNICZNE Dopuszczalne wartosci param etrów eksploatacyjnych Ur 10 V u RM If 30 V 16 mA I fM
|
OCR Scan
|
AAP162
tamb-60Â
AAP16
|
PDF
|
BAP795
Abstract: BAP795A dioda bap795 BAP794 ce37 DIODA BAP794A sod-23 8AP734A ML/82x33/587/OS/MB8R501-P/505-P/dioda bap795
Text: 6 - 74/2 DIODY IMPULSOWE * BAP794, BAP794A, BAP795, BAP795A SWW 1156-131 Diody krzem ow e ep ip lan arn e sq przeznaczone glów nie do stosow ania w bardzo szybkich ukladach przel^czajqcych oraz jako diody ogólnego zastosow ania, Dioda BAP794 P ara m e try statyczne;
|
OCR Scan
|
BAP794,
BAP794A,
BAP795,
BAP795A
e-74/2
BAP794
BAP795
BAP79SA
BAP794A
BAP795A
dioda bap795
BAP794
ce37
DIODA
BAP794A
sod-23
8AP734A
ML/82x33/587/OS/MB8R501-P/505-P/dioda bap795
|
PDF
|
AAP120
Abstract: 2XAAP120 APP120 ce01 DIOD AAP12 10 MHz diod
Text: 1-74/1 DIODA UtflWERSALNA AAP120 i 2XAAP120 SWW 1156-121 D ioda g e rm a n o w a o strz o w a A A P I 20 c h a ra k te ry z u je si^ w y so k im n ap i^ ciem w steczn y m . J e s t ona przezn aczo n a glów nie do sto so w an ia w u k la d a c h d e te k c y jn y c h i zabezpieczajqcych.
|
OCR Scan
|
AAP120
2XAAP120
2XAAP120
300pF
APP120
APP120
ce01
DIOD
AAP12
10 MHz diod
|
PDF
|
BYP660-100R
Abstract: BYP660-700R BYP660-300R BYP660 BYP660-50R BYP660-500 BYP660 dioda BYP660-300 BYP660-500R BYP660-700
Text: DIODA PROSTOWNICZA BYP660 R 23'74/2 SWW 1156-112 D ioda krzem ow a dyfu zyjn a je st przeznaczona g!6w n ie do stosow ania w ukladach prostow niczych m alej i Sredniej m ocy. A noda diody jest pol^czona galw aniczn ie z obudow g, co zakodow ane jest lite r s ,R” na koncu oznaczenia typu diody np.: BYP660— 7O0R.
|
OCR Scan
|
BYP660
BYP660â
BYP660-700R
BYP660-500R
BYP660-300R
BYP660-100R
BYP660-50R
BYP660
BYP660-500
BYP660 dioda
BYP660-300
BYP660-700
|
PDF
|
CNV17F-4
Abstract: CNV17 CNY 42 optocoupler dioda CNV17F
Text: SIEMENS FEATURES • H igh C urrent T ran sfer R atio C N Y 1 7F -1,40-80% C N Y 1 7F -2,63-125% C N Y 1 7 F -3 ,100-200% C N Y 1 7 F -4 ,160-320% 17 CNY F S E R IE S PHOTOTRAÑSÍSTOR NO BASE CONNECTION OPTOCOUPLER Package Dimensions in Inches mm t fa i fg] f t l
|
OCR Scan
|
SE52744
-X001
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F
CNV17F-4
CNV17
CNY 42 optocoupler
dioda
CNV17F
|
PDF
|
BAYP
Abstract: BAYP95 BAYP94 BAYP95A dioda BAYP94A BAYP-95
Text: 12- 74/2 DIODY IMPULSOWE * BAYP94, BAYP94A, BAYP95, BAYP95A SWW 1156-131 Diody krzem ow e epiplanarne przeznaczone do stosow ania w ukladach im pulsow ych i przelqczajqcych o b ardzo duzej szybkosci oraz innych zastosow aniach profesjonalnych. P aram etry dynam iczne; t amb = 298 K 25°C
|
OCR Scan
|
BAYP94,
BAYP94A,
BAYP95,
BAYP95A
12-T4/2
BAYP
BAYP95
BAYP94
BAYP95A
dioda
BAYP94A
BAYP-95
|
PDF
|
TRW OPB125A
Abstract: OPB125A 4G dioda opb 125a 2SC121 0PB125A OP123 OP300 2SC 1508 trw 810
Text: OPTEK TECHNOLOGY INC ObE D | bTTflSÖO 00D030Ö Ô | O p to e le c tro n ic s * D iv is io n T R W Electronic Components Group T Product Bulletin 5279 i l Y w ~ P // / '7 3 January 1965 Reflective Object Sensor Type OPB125A F e a tu re s A b s o lu te M a x im u m R a tin g s IT a - 25°C unless otherwise noted
|
OCR Scan
|
OPB125A
OPB125A
0PB125A
OP123
0P223
OP300
TRW OPB125A
4G dioda
opb 125a
2SC121
2SC 1508
trw 810
|
PDF
|
opto coupler siemens
Abstract: IC AL 6001
Text: C A P I T A L / OP TO 'D~"| ñ 2 3 b 3 a b G O G B B B S 7 j SIEM ENS D>Cy/-/3 SFH600 SERIES PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLER Package Dimensions in Inches mm 1 ? 3 4 5 6 ANODE CATHODE NOT CONNECTED EMITTER COLLECTOR B A SE M a x im u m R a tin g s FEATURES •
|
OCR Scan
|
SFH600
opto coupler siemens
IC AL 6001
|
PDF
|
