TMS44C256
Abstract: widerstandsnetzwerke Bergeron-Diagramm widerstandsnetz fast dioden 400 v 74AC11240 SN74S1050 TMS4256 MikroC
Text: EB194A Schottky-Dioden-Arrays EB194A SCHOTTKY DIODEN ARRAYS UND NETZWERKE Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 7. Februar 1990 Rev.:A Überarbeitet 30.08.1995 1 Applikationslabor EB194A Schottky-Dioden-Arrays Der Trend zu immer schnelleren Systemen zwingt den Schaltungsentwickler sich
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EB194A
TMS44C256
widerstandsnetzwerke
Bergeron-Diagramm
widerstandsnetz
fast dioden 400 v
74AC11240
SN74S1050
TMS4256
MikroC
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schottky 400v
Abstract: P600 diode P600 P600 PACKAGE fast recovery diode 400v 5A diode sb5 SCHOTTKY diode 400V 1A P1200 UF600 rectifier 400V 5A
Text: „Low Vf“ Bipolar Dioden Eine interessante Alternative zu hochsperrenden Schottky-Dioden “Low Vf“ Bipolar Diodes An interesting alternative to high blocking Schottky diodes 1 Diotec Semiconductor AG 2005 V04 US Anwendungsbeispiele von Schottky-Dioden,
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Silic200
P600-Geh
O-220AC
schottky 400v
P600 diode
P600
P600 PACKAGE
fast recovery diode 400v 5A
diode sb5
SCHOTTKY diode 400V 1A
P1200
UF600
rectifier 400V 5A
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Semipack skfh
Abstract: semikron skkt 56/14e semipack 1 skkt 19 semikron skkt 19 Semipack 1 skfh SKKD semikron semipack skkt 56/14 e Thyristor Tabelle skfh Z 151 VARISTOR
Text: 1. SEMIPACK Thyristor/Dioden - Module Besondere Merkmale Typische Anwendungen • Wärmeabfuhr über keramikisolierte Metall-Bodenplatte • Sanftanlaufgeräte für Wechselstrommotoren • Hartgelötete Verbindungen für höchste • Ungesteuerte Eingangs-Gleichrichter für
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SKiiP 33 NEC 125 To
Abstract: semikron skiip 33 NEC 125 skiip 33 nec 125 t semikron ASIC SKIC semikron skiip 33 nec Semikron Semitop sk 70 kq 12 skiip 11 nec 06 1 Semikron Semitop sk 45 kq 12 MiniSKiiP 8 semikron skiip 33
Text: MiniSKiiP Technologie Druckkontakte bei allen Leistungs- und Hilfsanschlüssen anstelle von Lötverbindungen. Integration der neuesten Chiptechnologie: • • • • Niedrige Schaltverluste bei 600 V oder 1200 V, homogene NPT IGBTs mit antiparallel geschalteten CAL-Dioden
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DCA50e
Abstract: DCA50 germanium transistors NPN 6F22 MN1604 SK17 germanium transistoren
Text: DCA50e Komponenten-Analysator erweitert Hergestellt in Großbritannien. Peak Electronic Design Ltd. Atlas House, Kiln Lane, Harpur Ind. Est, Buxton, SK17 9JL, U.K. Einleitung Der DCA50e KomponentenAnalysator ist ein zukunftsweisendes Instrument, das eine Vielzahl von
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DCA50e
DCA50e
DCA50
germanium transistors NPN
6F22
MN1604
SK17
germanium transistoren
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TVS diode MELF
Abstract: MELF Dioden 5kp microsemi tvs diode sma MOTOROLA p6ke schaltungen DIODES CROSS tvs DO-213A BZW04-5V8 BZW06-5V8
Text: TVS diodes - Überspannungs-Schutzdioden unidirektional – bidirektional Through-hole mount - Bedrahtete Ausführung Typ Type Referencevoltage Bezugsspg. VBR / VWM DO-15 6.3 Ø 0.8 DO-201 Ø3 Stand-off: 5.8 V . 376 V P4KE6.8. P4KE440CA Break down: 6.8 V .
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DO-15
BZW04-5V8.
BZW04-376B
5KP110A
DO-201
BZW06-5V8.
BZW06-376B
5KE440CA
P6KE440CA
P4KE440CA
TVS diode MELF
MELF Dioden
5kp microsemi
tvs diode sma
MOTOROLA p6ke
schaltungen
DIODES CROSS tvs
DO-213A
BZW04-5V8
BZW06-5V8
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semikron thyristor
Abstract: GAL -700E -1 Thyristor Tabelle Dioden Tabelle Dioden GA 100 Semikron Semitop 3 Thyristor 3kV kode diode BT thyristor GAH 3
Text: 17. SEMITOP : Das innovative Gehäusekonzept für die kleine und mittlere Leistung Merkmale Typische Anwendungen • Kompaktes Gehäusedesign konform mit UL 1557 und • Umrichter für Motorsteuerung VDE 0160 Normen • USV, Schaltnetzteile • Robuste Lötanschlüsse für Leiterplattenmontage
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SKiip 83 EC 125 T1
Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 SKiiP 81 AN 15 T1 semikron SKHI 22 SPICE MODEL semikron skiip 32 nab 12 T7 SKiip 83 EC 12 1 T1 SKiiP 24 NAB 063 T12 skiip 83 ac 128 BUZ78 equivalent SKIIP 81 AC 12 I T1
Text: 0 Betriebsweise von Leistungshalbleitern Betriebsweise von Leistungshalbleitern 0.1 Elementare Schaltvorgänge Leistungshalbleiter arbeiten bis auf wenige Sonderanwendungen im Schalterbetrieb. Daraus resultieren grundlegende Prinzipien und Funktionsweisen, die in allen leistungselektronischen
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semikron sk 50 et 12
Abstract: CHN 346 IGBT CHN 633 diode Semikron Semitop sk 70 kq 12 CHN 709 Semikron sk 51 Semikron Semitop sk 70 kq um 3567 CHN 633 Diodes semikron sk 23 gd 063
Text: SEMITOP Cool Components SEMITOP® "Coole Alternative" Merkmale einer von SEMIKRON aufgebrachten Wärmeleitschicht bezo- • Niedriger Wärmewiderstand gen werden. Dabei entfällt für den SEMITOP verwendet die bewähr- Anwender die aufwendige und te DCB Keramik zur elektrischen
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D-90253
semikron sk 50 et 12
CHN 346 IGBT
CHN 633 diode
Semikron Semitop sk 70 kq 12
CHN 709
Semikron sk 51
Semikron Semitop sk 70 kq
um 3567
CHN 633 Diodes
semikron sk 23 gd 063
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A66762-A4013-A58
Abstract: din IEC 747 leistungstransistoren Semiconductor Group igbt datenbuch
Text: Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters 1 Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode Anode
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kondensator
Abstract: elektrolytkondensatoren Kondensatoren bestec
Text: Direct Link 0910 Applications & Cases Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Januar 2004 Industrie-Elektronik / Lighting In kaum einem anderen Gerät sind Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren einem vergleichbar hohen Stress ausgesetzt wie in elektronischen Vorschaltgeräten: Hohe Wechselstrombelastbarkeit muss mit erweitertem
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datenbuch
Abstract: DATA SHEET OF IGBT FREDFET leistungstransistoren datenbuch transistor
Text: Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters 1 Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode Anode
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GERMANIUM
Abstract: No abstract text available
Text: EA 2112 2.98 6-STELLIGER VOR/RÜCKZÄHLER MIT BCDMUX-AUSGANG, VERGLEICHS-REGISTER, NULLAUSGANG, VOR-EINSTELLBAR Abmessungen 97mm x 65mm TECHNISCHE DATEN * * * * * * * * * * * * 6-STELLIGE KONTRASTREICHE LCD-ANZEIGE MIT 13mm ZIFFERNHÖHE VERSORGUNGSSPANNUNG 5V +10% BZW. 8V.15V UNSTABILISIERT
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WF VQE 13
Abstract: VQE 24 WF VQE 24 Wf vqe 14 vqe 23 VQE21 wf vqe 23 VQE24 WF VQE 12 vqe 13
Text: FUNKAMATEUR - Bauelementeinformation Anzeigen VD/VT Koppler Vergleichslisten Optoelektronik Anzeigen, IR-Dioden, Fotodioden- und Transistoren, Koppler Lichtemitteranzeigen o Farbe WF rot rot grün grün rot rot grün grün grün grün rot rot rot grün grün
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VQE11
TLR326
TLR327
VQE21
TLG327
TLR325
VQB201
HDSP-3906)
LTS3406LP)
DL3403)
WF VQE 13
VQE 24
WF VQE 24
Wf vqe 14
vqe 23
wf vqe 23
VQE24
WF VQE 12
vqe 13
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der
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sy 170
Abstract: SY 356 SY 360 05 sy 710 sy 360 Dioden SY 250 byx 21 SY 320 sy710 Halbleiterbauelemente DDR
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation VD Vergleichsliste für Dioden DDR/international D D R - Vergleichs Typ typ GA 100 G A 101 G A 102 GA 104 G A 105 GAY 61 GAY 64 SA 412 SA 415 SA 418 SAY 12 SAY 16 o SAY 17 SAY 18 SAY 20 SAY 30 SAY 32 SAY 40 SAY 42 SY 170
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N4001.
sy 170
SY 356
SY 360 05
sy 710
sy 360
Dioden SY 250
byx 21
SY 320
sy710
Halbleiterbauelemente DDR
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VEB mikroelektronik
Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik applikation Mikroelektronik Information Applikation a4100d "information applikation" Dioden SY 250 "halbleiterwerk frankfurt" halbleiterwerk
Text: m ö tk n n ^ e le l-c fa n a riil-c Information Applikation ~ in^joNFiggelB k tana n lk Information Applikation H e f t 4 2 : IBISÜIKSSELSKlHOlflK 5 j BijlQiaXßX leiatimgsgchalttranaiatpp ¡teil 1 vab hnlbleiterwark Trankfurt /od«f> im v a b k o m b in a t m ik r t M la k t r o n ü c
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TESLA KY 703
Abstract: TESLA NU 73 service-mitteilungen servicemitteilungen 2 PN 66 145 silizium diode "service-mitteilungen" Tesla Scans-048 Leipzig
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V EB IN D U ST R IE V E R T R IE B RU N D FU N K UND FE R N SE H E N r a d i o -television Als Weiterentwicklung des bekannten Rundfunkgerätes SELECT wird aus der Sozia listischen Republik Rumä nien der Heimempfänger R O Y A L AUSGABE:
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III/18/379
TESLA KY 703
TESLA NU 73
service-mitteilungen
servicemitteilungen
2 PN 66 145
silizium diode
"service-mitteilungen"
Tesla
Scans-048
Leipzig
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: information applikation mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik applikation heft VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft
Text: r ï n i k a r ^ e l e l - c Information Applikation t e n a n î l - c m [ n r L ü ^ i s i î s t e k t e n a r i i k Information Applikation HEFT 3 4 : H A LBLEITER V EN TILE und LEISTU N GSELEKTRO N IK v»bmikrooloVtronîk.kartItebknefchtiBtfthnnddtf imvobNombinfttmitiroeloktronik
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Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9
Abstract: "Mikroelektronik" Heft meuselwitz Rema Toccata Tesla katalog Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft NF-Pegelmesser MV 73 mikroelektronik ddr
Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATIO N KID i R l M i Information-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des AM-Empfängerschalt Kreises A 244 D und des AM-FM-ZF-Verstärkers A 281 D Mikroelektronik Heft 5 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder lo it b e t n e b im v e b k o m b in a t m ik r o e le k t r o n ik
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UL224D30
Abstract: UB880D radio fernsehen elektronik selen-gleichrichter L6516DG15 selengleichrichter L224D U6516dg bauelemente Kombinat D74LS999DK U6516D L6516DG15
Text: Typbezeichnung u nd K ennzeichnung von H alb le iterb a u e lem e n te n Dipl.-Ing. PETER H A N D R A C K Mitteilung aus dem V EB Kombinat Mikroelektronik Erfurt Ziel der Überarbeitung der TGL 38015 war es, sowohl die bei der A rbeit m it der beste henden Ausgabe gewonnenen Erfahrungen
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BD512 mosfet
Abstract: itt transistoren Relais ITT halbleiterwerk transistor 2N 3055 ITT Intermetall Leuchtdiode CQY 40 transistor BD 522 schaltregler BD512
Text: VMOS Transistoren Eigenschaften und Schaltungsbeispiele 6240-09-2 D INTERMETALL Halbleiterwerk der Deutsche ITT Industries GmbH VMOS-Transistoren Eigenschaften und Schaltungsbeispiele Zusammengestellt von folgenden Mitarbeitern der ITT Semiconductors Gruppe
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ic 74123
Abstract: 74123 Signetics 74123 ELEKTOR dioden siemens siemens dioden SN74123 DSAGER00060 MIC7
Text: 5V Cext. 0 -c 5 V TeFl f l Z W E IF A C H E R M O N O S T A B IL E R M U L T IV IB R A T O R f 15 SN 74123 14 Q1aus Q2aus C2ein B2ejn A 2ejn 13 -121 T H 10 I9 I A B C o Q i 1 t X 1 1 "L o l : negative Impulsflanke t : positive Impulsflanke X X: anliegendes Potentialniveau ist ohne Bedeutung.
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A66762-A4013-A58
Abstract: leistungstransistoren Transistor Datenbuch halbleiter index transistor
Text: SIEM ENS 1 Symbole, Begriffe, Normen Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbole Symbols Begriffe A Anode C Kapazität; Kollektor Ciss Eingangskapazität Í oss Ausgangskapazität rss Rückwirkungskapazität CDS Drain-Source Kapazität ^ GD Gate-Drain Kapazität
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