VC60
Abstract: E175067 D30VC60 10-32 UNF M5 vc20 VC80 diode
Text: D30 VC20 … D30 VC80 Silicon-Twin Rectifiers Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Nominal current Nennstrom Type ”F” 30 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60…250 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden
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Original
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E175067
UL94V-0
150LC
VC60
D30VC60
10-32 UNF M5
vc20
VC80 diode
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DIODE D60
Abstract: VC100 VC120 VC20 VC40 VC60 VC80 VC80 diode
Text: D60 VC20 … D60 VC120 Silicon-Twin Rectifiers Silizium-Doppeldioden Nominal current Nennstrom 60 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60…800 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden Dimensions Abmessungen 28.5 x 28.5 x 10 [mm]
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Original
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VC120
UL94V-0
UL94V-0
E175067
150/C
100/C
DIODE D60
VC100
VC120
VC20
VC40
VC60
VC80
VC80 diode
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D60VC60
Abstract: D60VC100 D60VC120 D60VC20 D60VC40 D60VC80
Text: D60VC20 . D60VC120 D60VC20 . D60VC120 Silicon-Twin-Rectifiers Silizium-Doppeldiode Version 2005-04-26 Nominal current Nennstrom 6.3 Type 21.6±1 10±0.2 0.8 60 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60.800 V Plastic case with alu-bottom
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Original
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D60VC20
D60VC120
UL94V-0
60a-1
D60VC60
D60VC100
D60VC120
D60VC20
D60VC40
D60VC80
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PDF
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D30VC60
Abstract: VC40 VC80 vc20 VC60
Text: D30 VC20 … D30 VC80 Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Silicon-Twin Rectifiers Center tap Nominal current Nennstrom Type ”F” 30 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60…250 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden
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Original
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E175067
UL94V-0
UL94V-0
100/C
D30VC60
VC40
VC80
vc20
VC60
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dan 208
Abstract: No abstract text available
Text: DAN 208 / DAP 208 1.2 W Silicon-Twin Diodes Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 1.2 W Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 150 V 3 Pin-Plastic case 3 Pin-Kunststoffgehäuse
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Original
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150/C
dan 208
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: DD810 DD810 Silicon Twin Rectifiers Silizium-Doppeldioden Version 2006-03-02 Nominal current Nennstrom 10.9±0.3 _ 10.9±0.3 = Ø 3.9 = 15.2 ±0.2 min. 24 1.0 6.3 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse
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Original
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DD810
UL94V-0
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PDF
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DD810
Abstract: No abstract text available
Text: DD810 DD810 Silicon Twin Rectifiers Silizium-Doppeldioden Version 2006-06-09 1.0 min. 24 6.3±0.2 10.9±0.3 _ = ~ 10.9±0.3 = ~ Ø 3.9 15.2±0.2 Nominal current Nennstrom 10 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse
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Original
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DD810
UL94V-0
DD810
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VC60
Abstract: VC80 vc20 VC80 diode VC40 VC80F
Text: D30 VC20 … D30 VC80 Silicon-Twin Rectifiers Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Nominal current Nennstrom Type ”F” 30 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60…250 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden
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Original
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E175067
UL94V-0
UL94V-0
100/C
tter\d30vc20-vc80
VC60
VC80
vc20
VC80 diode
VC40
VC80F
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DD810
Abstract: No abstract text available
Text: DD810 DD810 Silicon Twin Rectifiers Silizium-Doppeldioden Version 2006-02-17 Nominal current Nennstrom 10.9±0.3 10 A = Alternating input voltage Eingangswechselspannung 10.9±0.3 Ø 3.9 _ = Plastic case Kunststoffgehäuse 15.2±0.2 1.0 15.2 x 15.2 x 6.3 [mm]
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Original
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DD810
UL94V-0
DD810
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DIODE D60
Abstract: D60VC120F
Text: D60 VC20 F … D60 VC120 F Silicon-Twin Rectifiers Silizium-Doppeldioden Nominal current Nennstrom 60 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60…800 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden Dimensions Abmessungen 28.6 x 28.6 x 10 [mm]
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Original
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VC120
UL94V-0
VC100
100atur
150/C
100/C
100/C
DIODE D60
D60VC120F
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DAN208
Abstract: DAP208
Text: DAN208 / DAP208 1.2 W DAN208 / DAP208 (1.2 W) Silicon-Twin Rectifiers – Center Tap Silizium-Doppeldiode – Mittelpunktschaltung Version 2008-04-15 ±0.2 ±0.2 3.5 8.5 6.6 ±0.2 Type Typ 150 V 8.5 x 3.5 x 6.6 [mm] 0.7 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton
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Original
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DAN208
DAP208
DAP208
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: DAN 401 / DAP 401 200 mW Small Signal Twin Diode Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 200 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 80 V 5 Pin-Plastic case 5 Pin-Kunststoffgehäuse
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Original
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150/C
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D30VC20
Abstract: D30VC60F
Text: D30VC20 … D30VC80 Silicon-Twin Rectifiers Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Version 2004-10-01 Nominal current – Nennstrom Type ”F” Alternating input voltage Eingangswechselspannung 30 A 60…250 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden
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Original
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D30VC20
D30VC80
E175067
UL94V-0
UL94V-0
15a-1
D30VC20
D30VC60F
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VC60
Abstract: diode d60
Text: D60 VC20 … D60 VC120 Silicon-Twin Rectifiers Silizium-Doppeldioden Nominal current Nennstrom 60 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60…800 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden Dimensions Abmessungen 28.5 x 28.5 x 10 [mm]
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Original
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VC120
UL94V-0
UL94V-0
E175067
150/C
100/C
VC60
diode d60
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BAV74
Abstract: No abstract text available
Text: BAV74 S ilizium -P lan ar-D oppeldiode Die Silizium-Planar-Doppeldiode B A V 7 4 im Kunststoffgehäuse SO T -2 3 eignet sich zum Einsatz als schnelle Schaltdiode in Schichtschaltungen. Die Diode wird mit den Codebuch staben J A gekennzeichnet. Die angegebenen Daten gelten, sofern nicht anders angegeben
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BAV74
BAV74
OT-23
Q62702-A498
30-12x1
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EAA91
Abstract: 871 diode UB41
Text: PHILIPS UB 41 DOUBLE DIODE with separate cathodes for signal detection and other purposes DIODE DOUBLE avec cathodes séparées pour la détection de signaux et d ’autres utilisations DOPPELDIODE mit getrennten Kathoden für Empfangsgleichrichtung und andere Zwecke
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7R039A6
7R0391
7RQ286&
10VHF
Ifofeffj50
EAA91
871 diode
UB41
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MAX420
Abstract: No abstract text available
Text: PHILIPS AB 1 AB 2 DOUBLE DIODE for signal detection and other purposes DOUBLE DIODE pour la detection de signaux et d ’autres utilisations DOPPELDIODE für Empfangsgleichrichtung und andere Zwecke Heating indirect îparallel supply Chäuffage: indirect ¡alimentation- pa:
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4413
Abstract: No abstract text available
Text: EBF 2 P H ILIP S DOUBLE-DIODE PENTODE with variable mutual conductance for use as R.F., I.F. and A.F. amplifier DOUBIE-DIODE-PENTHODE à pente variable pour utili sation en amplificatrice H.F., M.F. et B.F. DOPPELDIODE-PENTODE mit veränderlicher Steilheit zur
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cbl6
Abstract: No abstract text available
Text: PHILIPS CBL 6 DOUBLE DIODE-OUTHJT PENTODE DOUBLE DIODE-PENTHODE DE SORTIE DOPPELDIODE-ENDPENTHODE Heating: indirect by A.C. or D.O.; series supply Chauffage: indirect par C.Â. ou C.C.; alimentation en série Heizung: indirekt durch Wechsel oder Gleichstrom;
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P 939 DIODE
Abstract: EBL1
Text: PHILIPS ABL1 DOUBLE DIODE-OUTPUT PENTODE DOUBLE DIODE-PENTHODE DE SORTIE DOPPELDIODE-ENDPENTODE Keating :indirect; parallel supply Vf =4,0 V Chauffage :indirect ; alimentation- parallèle =2 4 A Heizung :indirekt; Parallelspeisung * * m ax 46 Dimensions in mm
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EB41
Abstract: No abstract text available
Text: EB41 PH ILIPS D O UBLE DIODE with separate cathodes DIO D E DOUBLE avec cathodes séparées DOPPELDIODE mit getrennten Kathoden Heating: indirect by A.C. or D.C.; parallel supply Chauffage: indirect par C.A. ou C.C.; alimentation en parallèle Heizung: indirekt
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tube ebl1
Abstract: EBL1 EBL1 TUBE
Text: P H ILIP S EBL1 Double diode output pentode Duodiode-penthode de sortie Doppeldiode-Endpentode Heating: indirect by A.C. or D.C.; parallel supply Chauffage: indirect par C.A. ou C.C.; alimentation en parallèle Heizung: indirekt durch V,'echsel oder Gleichstrom; Parailelspeisung
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: PHILIPS EB 4 DOUBLE DIODE with separate cathodes for signal detec tion and other purposes DOUBLE DIODE avec cathodes séparées pour la détection et d'autres applications DOPPELDIODE mit getrennten Kathoden für Empfangs gleichrichtung und andere Zwecke
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EBC81 TUBE
Abstract: EBC 81 ebc81 939 diode 21958 tube double triode rs tube PF09
Text: PHILIPS E B C 81 DOUBLE DIODE-TRIODE for use as A.F. amplifier DOUBLE DIODE-TRIODE pour utilisation en amplificatrice B.F. DOPPELDIODE-TRIODE zur Verwendung als NF-Verstärker Heating : indirect by A.C. or D.C.; parallel supply Chauffage: indirect par C.A. ou C*C«;
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