Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MN4SV17160T-A12 1/2 IL08 * C-MOS 16 M (524,288-WORD x 16 x 2) -BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM —TOP VIEW— 19 1 VDD (+3.3 V) GND 50 DQ0 2 49 DQ15 DQ1 3 48 DQ14 4 GND 20 32 31 30 29 GND 47 28 DQ2 5 46 DQ13 DQ3 6 27 24 45 DQ12 7 VDD (+3.3 V) 23 VDD
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Original
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MN4SV17160T-A12
288-WORD
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MBM29LV400T-10PFTN 1/2 IL08 4 M (512 K x 8/256 K x 16)-BIT FLASH MEMORY —TOP VIEW— A15 IN 1 48 A16 IN1 A14 IN 2 47 A13 IN 3 46 GND A12 IN 4 45 DQ15/A-1 I/O A11 IN 5 44 DQ7 I/O A10 IN 6 43 DQ14 I/O A9 IN 7 42 DQ6 I/O A8 IN 8 41 DQ13 I/O BYTE IN NC 9 40 DQ5 I/O
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Original
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MBM29LV400T-10PFTN
DQ15/A-1
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IC INFORMATION Function 128Mbit SDRAM CMOS Type M2V2840ATP-7L AVIC-H09 Model VDD 1 54 VSS DQ0 2 53 DQ15 VDDQ 3 52 VSSQ DQ1 4 DQ2 5 VSSQ 6 DQ3 7 DQ4 8 VDDQ 9 DQ5 10 DQ6 11 VSSQ 12 DQ7 13 J 1/1 E 51 DQ14 A0-A11 : Address input BA0-BA1 : Bank select address DQ0-DQ15 : Data input/output
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Original
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128Mbit
M2V2840ATP-7L
AVIC-H09
A0-A11
DQ0-DQ15
A10/AP
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: TMS418160-60DZ 1/2 IL08D C-MOS 16 M (1,048,576 x 16)-BIT HIGH SPEED DRAM —TOP VIEW— 17 1 VDD GND 42 18 DQ0 2 41 DQ15 DQ1 3 40 DQ14 DQ2 4 39 DQ13 DQ3 5 38 DQ12 6 VDD DQ4 7 19 20 23 24 25 26 27 GND 37 28 36 DQ11 A0 DQ 0 A1 DQ 1 A2 DQ 2 A3 DQ 3 A4 DQ 4
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Original
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TMS418160-60DZ
IL08D
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IC INFORMATION Function DRAM CMOS Type HY57V561620BLT-H Model AVIC-DRV150 VDD1 1 54 VSS3 DQ0 2 53 DQ15 VDDQ1 3 52 VSSQ4 DQ1 4 DQ2 5 VSSQ1 6 DQ3 7 DQ4 8 VDDQ2 9 DQ5 10 DQ6 11 J 1/1 E 51 DQ14 A0-A11 : Address input BA0-BA1 : Bank select address DQ0-DQ15 : Data input/output
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Original
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HY57V561620BLT-H
AVIC-DRV150
A0-A11
DQ0-DQ15
A10/AP
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: UPD4564163G5-A10B-9JF IL08 C-MOS 64 M 1 M WORD x 16-BIT x 4 -BIT DRAM —TOP VIEW— 1 VDD DQ0 2 3 QVDD GND 54 53 DQ15 QGND 52 INPUT A0 - A13 CAS CKE CLK DQ1 4 51 DQ14 CS DQ2 5 50 DQ13 LDQM 6 QGND QVDD 49 DQ3 7 48 DQ12 DQ4 8 47 DQ11 9 QVDD QGND 46 DQ5 10
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Original
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UPD4564163G5-A10B-9JF
16-BIT
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MT48v32m16
Abstract: No abstract text available
Text: PRELIMINARY‡ 256Mb and 512Mb: x16 TwinDie MOBILE SDRAM SYNCHRONOUS DRAM MT48LC32M16S2 MT48LC16M16T2 MT48LC16M16B2 Features • • • • • • • • • • • • • MT48V16M16B2 MT48H32M16S2 MT48H16M16T2 MT48H16M16B2 1 2 3 A VSS DQ15 B DQ14 C 4
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Original
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256Mb
512Mb:
192-cycle
MT48LC32M16S2
MT48LC16M16T2
MT48LC16M16B2
MT48V32M16S2
MT48H32M16S2
MT48V16M16T2
MT48H1a
MT48v32m16
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27pc240
Abstract: 27C240 texas instruments PC240-12 TMS27C240 TMS27PC240
Text: TMS27C240 262144 BY 16-BIT UV ERASABLE TMS27PC240 262144 BY 16-BIT PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES SMLS240D– NOVEMBER 1990 – REVISED SEPTEMBER 1997 D D D D D D D D D TMS27PC240 FN PACKAGE TOP VIEW DQ13 DQ14 DQ15 E V PP NC V CC A17 A16 A15 A14 Organization . . . 262 144 by 16 Bits
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Original
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TMS27C240
16-BIT
TMS27PC240
16-BIT
SMLS240D
PC240-10
PC240-12
PC240-15
27pc240
27C240 texas instruments
PC240-12
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416c256
Abstract: j5021
Text: 1 2 3 4 5 6 7 8 BANK 0 2 MB 9 AA[0.8] AA[0.8] 9 VMD[0.63] VMD[0.63] +5V 2 1 (-CASAH) (-CASAL) GND 16 17 18 19 22 23 24 25 26 15 11 12 30 13 14 27 28 29 21 35 40 GND DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQ8 DQ9 DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 DQ16 2 3 4 5 7 8
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Original
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416C256
SOJ40A
10P/NA
0603B
VMD10
VMD11
VMD12
VMD13
VMD14
j5021
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KM416C256ALJ-7
Abstract: No abstract text available
Text: KM416C256ALJ-7 1/2 IL00 * C-MOS 4M (256K X 16)-BIT DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE -TOP VIEW- 16 DQ1 I/O 1 VDD(+5V) 2 GND 40 39 DQ16 I/O 17 18 19 DQ2 I/O 3 38 DQ15 I/O DQ3 I/O 4 37 DQ14 I/O DQ4 I/O 5 36 DQ13 I/O 22 23 24 25 6 VDD(+5V) DQ5 I/O 7 GND 35
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Original
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KM416C256ALJ-7
144X16
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LH521028
Abstract: LH521028A 521028-1D
Text: LH521028A A14 A13 G A15 VSS ALE VCC VSS 9 W DQ10 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47 46 DQ8 45 DQ7 10 44 DQ6 11 43 VCC DQ11 12 42 VSS DQ12 13 41 DQ5 DQ13 14 40 DQ4 DQ14 15 39 DQ3 DQ2 VSS 16 38 VCC 17 37 VSS DQ15 18 36 VCC DQ0 A11 DQ1 34 A12 35 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
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Original
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LH521028A
52PLCC-A
52-Pin
52-pin,
PLCC52-P-750)
LH521028AU-15
521028AM
LH521028
LH521028A
521028-1D
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IC INFORMATION Function Flash Memory CMOS Type J 1/1 E PD6347A Model AVIC-H09 A15 1 48 A14 2 47 BYTE A13 3 46 A12 4 45 DQ15/A-1 A11 5 44 DQ7 A10 6 43 DQ14 A9 7 42 A8 8 NC 9 NC 10 A16 VSS DQ6 41 DQ13 DQ0-DQ15 :Data input/output A0-A18,A-1 :Address input RY/BY :Ready/busy output
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Original
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PD6347A
AVIC-H09
DQ15/A-1
DQ0-DQ15
A0-A18
16bit
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: KM416C254BJ 1/2 IL08 * C-MOS 4M(256K x 16)-BIT DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUT - TOP VIEW - 1 V DD (+5V) GND 40 DQ1 2 39 DQ16 DQ2 3 38 DQ15 DQ3 4 37 DQ14 DQ4 5 36 DQ13 V DD 6 (+5V) 34 DQ12 DQ6 8 33 DQ11 DQ7 9 32 DQ10 DQ8 10 31 DQ9 12 N.C W 13
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Original
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KM416C254BJ
DQ0-DQ16
DQ9-DQ16
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 4 5 6 7 2 DQ0 PIU402 4 DQ1 PIU404 5 DQ2 PIU405 7 DQ3 PIU407 PIU408 8 DQ4 10 DQ5 PIU4010 11 DQ6 PIU4011 13 DQ7 PIU4013 42 DQ8 PIU4042 44 DQ9 45 PIU4044 PIU4045 DQ10 47 DQ11 PIU4047 48 DQ12 PIU4048 50 DQ13 PIU4050 51 DQ14 PIU4053 PIU4051 53 DQ15 BA 0 BA 1 i PCB Rule
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Original
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PIU402
PIU404
PIU405
PIU408
PIU407
PIU4010
PIU4011
PIU4013
PIU4042
PIU4045
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IC INFORMATION Function 128Mbit SDRAM CMOS Type K4S281632D-TL1L Model AVIC-ZH8017ZT VDD 1 54 VSS DQ0 2 53 DQ15 VDDQ 3 52 VSSQ DQ1 4 DQ2 5 VSSQ 6 DQ3 7 DQ4 8 VDDQ 9 DQ5 10 DQ6 11 VSSQ 12 DQ7 13 VDD 14 J 1/1 E 51 DQ14 A0-A11 : Address input BA0-BA1 : Bank select address
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Original
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128Mbit
K4S281632D-TL1L
AVIC-ZH8017ZT
A0-A11
DQ0-DQ15
A10/AP
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IC INFORMATION Function 128Mbit SDRAM CMOS Type VDD K4S281632C-TL1L AVIC-H09 Model 1 54 VSS DQ0 2 53 DQ15 VDDQ 3 52 VSSQ DQ1 4 DQ2 5 VSSQ 6 DQ3 7 DQ4 8 VDDQ 9 DQ5 10 DQ6 11 VSSQ 12 DQ7 13 VDD 14 J 1/1 E 51 DQ14 A0-A11 : Address input BA0-BA1 : Bank select address
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Original
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PDF
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128Mbit
K4S281632C-TL1L
AVIC-H09
A0-A11
DQ0-DQ15
A10/AP
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DMA5
Abstract: tsop50 MD50 U-509 SO-DIMM 144-pin KM416V4104A U5-12 U509
Text: 2 3 4 GND GND GND GND 3,5 3,5 3,5 D_RAS2# D_CAS3# D_CAS2# 3,5 D_MWEB# 26 39 45 50 KM416V4104A TSOP50 GND RAS# UCAS# LCAS# OE# W# NC NC NC NC NC NC DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQ8 DQ9 DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 VCC VCC VCC VCC GND GND GND GND 2 3 4 5
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Original
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MA10/0
MA11/1
4mx16
1mx16
0603B
0603B
DMA5
tsop50
MD50
U-509
SO-DIMM 144-pin
KM416V4104A
U5-12
U509
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IC INFORMATION J 1/1 E PD6359A Function Flash Memory CMOS Type Model AVIC-XD8067ZT A15 1 48 A16 A14 2 47 byte A13 3 46 VSS LOW VCC DETECTION CIRCUIT A12 4 A11 5 45 DQ15/A-1 I/O BUFFER ERASE CIRCUIT A10 6 44 DQ7 43 DQ14 42 DQ6 A8 8 41 DQ13 NC 9 40 DQ5 NC 10
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Original
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PD6359A
AVIC-XD8067ZT
DQ15/A-1
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SUPERSEDED BY MT58LC64K18D8 I^IICRDN 64K OPTIONS A6 A7 CE# CE2 NC NC WEH# WEL# CE2# Vcc Vss CLK GW# BWE# OE# ADSC# ADSP# ADV# A8 A9 100-Pin TQFP SA-1 RRRRRRRRRRRRRRRRRRRR • Packages 100-pin TQFP VccQ ra n DQ12 vcc Vcc Nc Œ c n en c n c n DQ13 DQ14 VccQ
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MT58LC64K18D8
100-Pin
160-PIN
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740MIL
Abstract: No abstract text available
Text: DS 1258Y/A B DALLAS SEMICONDUCTOR FEATURES DS1258Y/AB 128K x 16 Nonvolatile SRAM PIN ASSIGNMENT • 10 year m inimum data retention in the absence of external power CEU 40 39 3 38 4 37 5 36 6 35 7 34 8 33 9 32 DQ8 1 10 31 1 A9 DQ14 DQ13 DQ12 • Unlimited write cycles
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1258Y/A
DS1258Y)
DS1258AB)
DS1258Y/AB
40-pin
740MIL
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: DS1258V/AB DALLAS SEMICONDUCTOR DS1258Y/AB 128K x 16 Nonvolatile SRAM FEATURES PIN ASSIGNMENT • 10 year minimum data retention in the absence of external power CEU 1 1 CEL 1 2 DQ15 1 3 DQ14 1 4 • Data is automatically protected during a power loss • Separate upper byte and lower byte chip select inputs
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DS1258V/AB
DS1258Y/AB
DS1258Y00:
40-pin
2bl413Q
0Qlb53S
DS1258Y/AB
40-PIN
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: DS1258Y/AB P R O D U C T P R EVIEW DALLAS DS1258Y/AB 128K x 16 Nonvolatile SRAM SEMICONDUCTOR FEATURES PIN ASSIGNMENT • 10 year minimum data retention in the absence of external power CEU CEL DQ15 DQ14 1 1 1 1 DQ13 1 DQ12 • DQ11 1 • Data is automatically protected during a power loss
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DS1258Y/AB
DS1258Y)
DS1258AB)
DS125BY/AB
DS1258Y/AB
40-PIN
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BUZ356
Abstract: T0218AA BUZ-356
Text: N AMER PH IL IP S/D ISCRETE ObE D PowerMOS transistor • =.1353^31 DQ14SH2 S BUZ356 * r= -5 l-i3 May 1987 GENERAL DESCRIPTION N-channel enchancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope. The device is intended for use in Switched Mode Power Supplies
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BUZ356
T0218AA;
BUZ356
T-39-13
T0218AA
BUZ-356
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RCD 2226
Abstract: No abstract text available
Text: ADVANCE M T 4C 16260/1 256K X 16 DRAM M IC R O N DRAM 256K X 16 DRAM ASYMMETRICAL, FAST PAGE MODE FEATURES 40-Pin SOJ 40-Pin ZIP Q-6 (0-4) DQ9 1 DQ11 3 Vss 5 DQ14 • Masked Write Not Available Available 4 DQ12 6 DQ 13 B 9 Vcc 11 DQ15 12 D01 D 02 13 DQ4
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500mW
MT4C16261
40-Pin
RCD 2226
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