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    Q62702-P790

    Abstract: Bpy 43 Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P96 Q62702-P98 SFH402 BPY 62
    Text: SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 fet06092 fet06091 fet06090 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren


    Original     		PDF fet06092 fet06091 fet06090 Q62702-P790 Bpy 43 Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P96 Q62702-P98 SFH402 BPY 62

    diode SR 315

    Abstract: sfh 482 diode E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 tci 537 Q62703-Q1667
    Text: SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 fet06092 fet06091 fet06090 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 537


    Original     		PDF fet06092 fet06091 fet06090 diode SR 315 sfh 482 diode E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 tci 537 Q62703-Q1667

    SFH400

    Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPX 38 sfh 400 BPY 62
    Text: SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 fet06092 fet06091 fet06090 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 501 10.95 SFH 400, SFH 401, SFH 402


    Original     		PDF fet06092 fet06091 fet06090 SFH400 Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPX 38 sfh 400 BPY 62

    SFH 350 V

    Abstract: GEO06314 GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g Chip position ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 package 1.1 .9 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06091


    Original     		PDF GET06091 fet06091 GEO06314 fet06090 OHR00395 OHR01937 SFH 350 V GEO06314 GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98

    GEO06314

    Abstract: GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g Chip position ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 package 1.1 .9 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06091


    Original     		PDF GET06091 fet06091 GEO06314 fet06090 OHR01040 OHR01937 GEO06314 GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62

    GEO06314

    Abstract: GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665 Q62703-Q1667
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing Chip position welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 1


    Original     		PDF GET06091 fet06091 GEO06314 fet06090 OHR00881 OHR00948 GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665 Q62703-Q1667

    isl 6251 schematic

    Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs
    Text: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.


    Original     		PDF Q62702-A772 Q62702-A731 Q62702-A773 OT-23 isl 6251 schematic smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs

    diode SR 315

    Abstract: GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) welded 14.5 12.5 Chip position (2.7) 5.3 5.0 6.4 5.6 5.5 5.0 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 GET06091 Radiant sensitive area 1.1 .9 1.1 0.9 ø4.8 ø4.6 ø0.45 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401


    Original     		PDF GET06091 fet06091 fet06090 GEO06314 OHR00396 diode SR 315 GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665

    IR photodetectors

    Abstract: diode SR 315 E7800 GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing Chip position welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 1


    Original     		PDF GET06091 fet06091 GEO06314 fet06090 OHR00881 OHR00948 OHR00396 IR photodetectors diode SR 315 E7800 GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663