Q62702P0956
Abstract: sfh203fa SFH203 RoHS SFH203
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 203 SFH 203 FA SFH 203 SFH 203 FA Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich (S10%) 400nm bis 1100nm (SFH203) und 750nm bis 1100nm (SFH203FA) • Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
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400nm
1100nm
SFH203)
750nm
SFH203FA)
203FA)
Q62702P0955
Q62702P0956
sfh203fa
SFH203 RoHS
SFH203
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BPX osram
Abstract: GMOY6011 BPX61
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5) • Especially suitable for applications from 400 nm
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Q62705-P25
BPX osram
GMOY6011
BPX61
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405nm photodiode
Abstract: 780nm led 1 mw SFH2332 photodiode 650nm nep photodiode dvd cd GEOY6653 OHLY0598 405nm LED Q65110A6342 photodiode bluray
Text: Schnelle PIN-Fotodiode High Speed PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 2332 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen von 350nm bis 780nm • Sehr kurze Schaltzeit im spezifizierten Wellenlängenbereich • Sehr kurze Schaltzeiten bei geringer
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350nm
780nm
405nm photodiode
780nm led 1 mw
SFH2332
photodiode 650nm nep
photodiode dvd cd
GEOY6653
OHLY0598
405nm LED
Q65110A6342
photodiode bluray
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Q65110A2627
Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
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GEOY6061
Abstract: SFH5130
Text: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode
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GEX06260
Abstract: Q62702-P1671 Q62702-P930 SFH213FA 870nm
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 213 und bei 880 nm (SFH 213 FA)
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OHR00883
OHF01026
GEX06260
GEX06260
Q62702-P1671
Q62702-P930
SFH213FA
870nm
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850 nm LED
Abstract: GEOY6647 Q62702-P129 S8050
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar
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Q62702-P129
850 nm LED
GEOY6647
Q62702-P129
S8050
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FSR Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 S BPW 34 S Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2011-02-08 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2400 FA, SFH 2400 FAR SFH 2400 FA Features: SFH 2400 FAR Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 750 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 5 ns • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 203 P, SFH 203 PFA SFH 203 P Features: SFH 203 PFA Besondere Merkmale: • Wavelength range S10% 400 nm to 1100 nm (SFH 203 P) and 750 nm to 1100 nm (SFH 203 PFA) • Short switching time (typ. 5 ns)
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 BPW 34 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
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D-93055
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BPW21
Abstract: Q62702-P885 GMOY6011
Text: Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 820 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity BPW 34 B Cathode marking spacing ' Photosensitive area 2.65 mm X 2.65 mm Approx. weight 0.1 g GE006643 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
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GE006643
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight-Cutoff Filter Reverse Gullwing Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm BPW 34 FS (E9087) en Cathode lead CD O GEO06916 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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E9087)
GEO06916
E9087:
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter Area n ot flat SFH 204 F SFH 204 FA Chip position 5.1 4.7 is W GE006964 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GE006964
SFH204F
OHF2O31O10*
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter Area not fla t SFH 205 SFH 206 Radiant sensitive area Cathode i L •«-; r-s _ t o -si 1 _ A- 3.7 GE0Û665 A p pro x. w e ig h t 0 .25 g Area not fla t 0 .6 x 0 .5
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00575flfl
fl235bOS
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Abstract: No abstract text available
Text: S IE M E N S Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current SFH 212 Maße in mm, w enn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im
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A235bOS
0057bDÃ
fl23SbOS
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tagelichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei
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fi235b05
0D57b42
SFH235
fl23SbQ5
D0S7b43
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT BP 104 BP 104 FS sp acing -R a d ia n t sensitive area C athode A pp ro x. w e ig ht 0.1 g C hip p osition P hotosensitive Area = 2 .2 0 m m x 2 .2 0 m m
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEM ENS Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaitzeit Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 217 SFH 217 F Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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fi235bG5
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS 6fach-Silizium-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon Photodiode Array KOM 2033 A KOM 2033 AF Maße in mm, w enn nicht anders a ngegeben/D im ensions in mm. unless otherw ise specified W esentliche M erkm ale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im
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0235bGS
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-4-Quadranten-Fotodiode Silicon Four Quadrant Photodiode Chip position • SFH 234 S Common Cathode 2.0 s 0.45 i— L LO O Ni O OCO ct>ct> c o c o c d m* ^ rrfl 3 .0 j _14.5 12.5" 0.3max Radiant sensitive area 0.5x0.5mm each Approx. weight 1.5 g
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fl235b05
6535b05
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