PM200RSE060
Abstract: E80276
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM200RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
|
Original
|
PDF
|
PM200RSE060
200A15kHz
600V75A
E80276
E80271
20VCE
PM200RSE060
|
PM100*060
Abstract: E80276 PM100RSE060 pm100R
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM100RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
|
Original
|
PDF
|
PM100RSE060
100A15kHz
600V30A
E80276
E80271
PM100*060
PM100RSE060
pm100R
|
E80276
Abstract: PM50CSE060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM50CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
|
Original
|
PDF
|
PM50CSE060
50A15kHz
E80276
E80271
PM50CSE060
|
PM100RSD120
Abstract: E80276 PM100CSA120 3PM10
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100RSD120 フラットベース形 絶縁形 PM100RSD120 特長 ➀第4世代 リファイン1µmルール プレーナ IGBT チップ採用 ➁ 新設計 FWDi 採用 ダイオードリカバリー特性改善
|
Original
|
PDF
|
PM100RSD120
3PM100CSA120
15kHz
5/22kW
E80276
E80271
PM100RSD120
PM100CSA120
3PM10
|
E80276
Abstract: PM100CSE060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM100CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
|
Original
|
PDF
|
PM100CSE060
100A15kHz
E80276
E80271
PM100CSE060
|
E80276
Abstract: PM150CSD120
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150CSD120 フラットベース形 絶縁形 PM150CSD120 特長 ➀第4世代 リファイン1µmルール プレーナ IGBT チップ採用 ➁ 新設計 FWDi 採用 ダイオードリカバリー特性改善
|
Original
|
PDF
|
PM150CSD120
15kHz
E80276
E80271
PM150CSD120
|
E80276
Abstract: PM75CSA120 PM75RSD120
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM75RSD120 フラットベース形 絶縁形 PM75RSD120 特長 ➀第4世代 リファイン1µmルール プレーナ IGBT チップ採用 ➁ 新設計 FWDi 採用 ダイオードリカバリー特性改善
|
Original
|
PDF
|
PM75RSD120
3PM75CSA120
75A15kHz
11/15kW
E80276
E80271
PM75CSA120
PM75RSD120
|
CM900duc-24nf
Abstract: No abstract text available
Text: MITSUBISHI IGBT MODULES CM900DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM900DUC-24NF ●IC ….………………….…. 900 A ●V CES …………….….…. 1200 V ●Flat base Type ●Copper non-plating base plate
|
Original
|
PDF
|
CM900DUC-24NF
UL1557,
E323585
April-2012
CM900duc-24nf
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - I C ….………………….…. 1400 A V CES …………….….…. 1200 V Flat base Type Copper non-plating base plate
|
Original
|
PDF
|
CM1400DUC-24NF
UL1557,
E323585
April-2012
|
CM3600HC-34N
Abstract: CM1200DC-34N CM2400HC-34H 600A 500v igbt CM1600HC-34H CM1200E4C-34N CM1800HC-34H CM1800HC-34N CM2400HC-34N CM600DY-34H
Text: New 1700V IGBT Modules with CSTBT and Improved FWDi 1 1 2 2 3 3 John Donlon , Eric Motto , Shinichi Iura , Eisuke Suekawa , Kazuhiro Morishita , Masuo Koga 1 Powerex Inc., Youngwood, PA, USA 2) Power Device Works, Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, Japan
|
Original
|
PDF
|
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1000DUC-34NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM1000DUC-34NF ●I C ….………………….…. 1000 A ●V CES …………….….…. 1700 V ●Flat base Type Copper non-plating base plate
|
Original
|
PDF
|
CM1000DUC-34NF
September-2010
|
E80276
Abstract: PM50RSE120
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50RSE120 フラットベース形 絶縁形 PM50RSE120 特長 ➀第4世代 リファイン1µmルール プレーナ IGBT チップ採用 ➁ 新設計 FWDi 採用 ダイオードリカバリー特性改善
|
Original
|
PDF
|
PM50RSE120
50A15kHz
E80276
E80271
PM50RSE120
|
E80276
Abstract: PM150RSE120
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150RSE120 フラットベース形 絶縁形 PM150RSE120 特長 ➀第4世代 リファイン1µmルール プレーナ IGBT チップ採用 ➁ 新設計 FWDi 採用 ダイオードリカバリー特性改善
|
Original
|
PDF
|
PM150RSE120
15kHz
E80276
E80271
PM150RSE120
|
E80276
Abstract: PM75RSE060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM75RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM75RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
|
Original
|
PDF
|
PM75RSE060
75A15kHz
600V30A
E80276
E80271
PM75RSE060
|
|
|
E80276
Abstract: PM100CSD060 60N40 IC 7405 PM100*060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100CSD060 フラットベース形 絶縁形 PM100CSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
|
Original
|
PDF
|
PM100CSD060
600V100A
15kHz
E80276
E80271
PM100CSD060
60N40
IC 7405
PM100*060
|
E80276
Abstract: PM200CSD060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200CSD060 フラットベース形 絶縁形 PM200CSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
|
Original
|
PDF
|
PM200CSD060
600V200A
15kHz
E80276
E80271
PM200CSD060
|
E80276
Abstract: PM200CSE060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM200CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
|
Original
|
PDF
|
PM200CSE060
200A15kHz
E80276
E80271
PM200CSE060
|
PM150RSD060
Abstract: E80276
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150RSD060 フラットベース形 絶縁形 PM150RSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
|
Original
|
PDF
|
PM150RSD060
600V150A
15kHz
600V50A
E80276
E80271
PM150RSD060
|
CM1400DUC-24NF
Abstract: No abstract text available
Text: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM1400DUC-24NF ●I C ….………………….…. 1400 A ●V CES …………….….…. 1200 V ●Flat base Type ●Copper non-plating base plate
|
Original
|
PDF
|
CM1400DUC-24NF
UL1557,
E323585
April-2012
CM1400DUC-24NF
|
JC201
Abstract: IC1400 VCC-600 0di2
Text: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM1400DUC-24NF ●I C ….………………….…. 1400 A ●V CES …………….….…. 1200 V ●Flat base Type Copper non-plating base plate
|
Original
|
PDF
|
CM1400DUC-24NF
E80276
September-2010
JC201
IC1400
VCC-600
0di2
|
PM50CSD120
Abstract: E80276 PM50RSA120
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50CSD120 フラットベース形 絶縁形 PM50CSD120 特長 ➀第4世代 リファイン1µmルール プレーナ IGBT チップ採用 ➁ 新設計 FWDi 採用 ダイオードリカバリー特性改善
|
Original
|
PDF
|
PM50CSD120
3PM50RSA120
50A15kHz
E80276
E80271
PM50CSD120
PM50RSA120
|
PM150CSD060
Abstract: E80276 ma80n
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150CSD060 フラットベース形 絶縁形 PM150CSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
|
Original
|
PDF
|
PM150CSD060
150A15kHz
E80276
E80271
PM150CSD060
ma80n
|
E80276
Abstract: PM50CSD060 UFO 128
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50CSD060 フラットベース形 絶縁形 PM50CSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
|
Original
|
PDF
|
PM50CSD060
50A15kHz
E80276
E80271
PM50CSD060
UFO 128
|
E80276
Abstract: PM300CSE060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM300CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM300CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
|
Original
|
PDF
|
PM300CSE060
300A15kHz
E80276
E80271
PM300CSE060
|