MINI DIP-IPM
Abstract: POWEREX DIP-IPM simple conection igbt 1200V 20A igbt 20A 1200v tpm 02 DIP-IPM igbt 600v, dual CS 20A RoHS
Text: Latest Advances in Transfer Molded Package Technology J. F. Donlon, E. R. Motto Powerex Incorporated, Youngwood, Pennsylvania, USA www.pwrx.com IAS 2006 Transfer Molded Package Technology Past Present Future IAS 2006 Al wire FWDi, IGBT 2nd Mold resin IC Au wire
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Original
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O-220
MINI DIP-IPM
POWEREX DIP-IPM
simple conection
igbt 1200V 20A
igbt 20A 1200v
tpm 02
DIP-IPM
igbt 600v, dual
CS 20A RoHS
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CM3600HC-34N
Abstract: CM1200DC-34N CM2400HC-34H 600A 500v igbt CM1600HC-34H CM1200E4C-34N CM1800HC-34H CM1800HC-34N CM2400HC-34N CM600DY-34H
Text: New 1700V IGBT Modules with CSTBT and Improved FWDi 1 1 2 2 3 3 John Donlon , Eric Motto , Shinichi Iura , Eisuke Suekawa , Kazuhiro Morishita , Masuo Koga 1 Powerex Inc., Youngwood, PA, USA 2) Power Device Works, Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, Japan
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1000DUC-34NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - I C ….………………….…. 1000 A V CES …………….….…. 1700 V Flat base Type Copper non-plating base plate
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Original
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CM1000DUC-34NF
UL1557,
E323585
April-2012
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cm500ha-34a
Abstract: vmos CM100DY-34A CM400DY-34A series connection igbt cm200dy-34a IGBT cross CM100DU-34KA CM200DU-34KA CM300DY-34A
Text: NEW 1700V A-SERIES IGBT MODULES WITHS CSTBT AND IMPROVED FWDi By Nicholas Clark1, John Donlon1, Shinichi Iura2 1 Powerex Inc., Youngwood, PA, USA 2) Power Device Works, Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, Japan Abstract: This paper presents a new series of 1700V IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor) modules using
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MITSUBISHI IGBT MODULES CM900DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM900DUC-24NF ●IC ….………………….…. 900 A ●V CES …………….….…. 1200 V ●Flat base Type Copper non-plating base plate
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Original
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CM900DUC-24NF
E80276
September-2010
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - I C ….………………….…. 1400 A V CES …………….….…. 1200 V Flat base Type Copper non-plating base plate
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Original
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CM1400DUC-24NF
UL1557,
E323585
April-2012
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MITSUBISHI IGBT MODULES CM900DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - IC ….………………….…. 900 A V CES …………….….…. 1200 V Flat base Type Copper non-plating base plate
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Original
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CM900DUC-24NF
UL1557,
E323585
April-2012
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PDF
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CM1400DUC-24NF
Abstract: No abstract text available
Text: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM1400DUC-24NF ●I C ….………………….…. 1400 A ●V CES …………….….…. 1200 V ●Flat base Type ●Copper non-plating base plate
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Original
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CM1400DUC-24NF
UL1557,
E323585
April-2012
CM1400DUC-24NF
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JC201
Abstract: IC1400 VCC-600 0di2
Text: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM1400DUC-24NF ●I C ….………………….…. 1400 A ●V CES …………….….…. 1200 V ●Flat base Type Copper non-plating base plate
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Original
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CM1400DUC-24NF
E80276
September-2010
JC201
IC1400
VCC-600
0di2
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CM900duc-24nf
Abstract: No abstract text available
Text: MITSUBISHI IGBT MODULES CM900DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM900DUC-24NF ●IC ….………………….…. 900 A ●V CES …………….….…. 1200 V ●Flat base Type ●Copper non-plating base plate
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Original
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CM900DUC-24NF
UL1557,
E323585
April-2012
CM900duc-24nf
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1000DUC-34NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM1000DUC-34NF ●I C ….………………….…. 1000 A ●V CES …………….….…. 1700 V ●Flat base Type Copper non-plating base plate
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Original
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CM1000DUC-34NF
September-2010
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1000DUC-34NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM1000DUC-34NF ●I C ….………………….…. 1000 A ●V CES …………….….…. 1700 V ●Flat base Type ●Copper non-plating base plate
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Original
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CM1000DUC-34NF
UL1557,
E323585
April-2012
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600V200A
Abstract: E80276 PM200RSD060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200RSD060 フラットベース形 絶縁形 PM200RSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
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Original
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PM200RSD060
600V200A
15kHz
600V75A
E80276
E80271
600V200A
PM200RSD060
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E80276
Abstract: PM100RSD060 pm100R
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100RSD060 フラットベース形 絶縁形 PM100RSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
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Original
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PM100RSD060
100A15kHz
600V30A
E80276
E80271
PM100RSD060
pm100R
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E80276
Abstract: PM150RSE060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM150RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
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Original
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PM150RSE060
150A15kHz
600V50A
E80276
E80271
PM150RSE060
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E80276
Abstract: PM100CSD060 60N40 IC 7405 PM100*060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100CSD060 フラットベース形 絶縁形 PM100CSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
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Original
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PM100CSD060
600V100A
15kHz
E80276
E80271
PM100CSD060
60N40
IC 7405
PM100*060
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E80276
Abstract: PM200CSD060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200CSD060 フラットベース形 絶縁形 PM200CSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
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Original
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PM200CSD060
600V200A
15kHz
E80276
E80271
PM200CSD060
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E80276
Abstract: PM200CSE060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM200CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
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Original
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PM200CSE060
200A15kHz
E80276
E80271
PM200CSE060
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PM150RSD060
Abstract: E80276
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150RSD060 フラットベース形 絶縁形 PM150RSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
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PM150RSD060
600V150A
15kHz
600V50A
E80276
E80271
PM150RSD060
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PM200RSE060
Abstract: E80276
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM200RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
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Original
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PM200RSE060
200A15kHz
600V75A
E80276
E80271
20VCE
PM200RSE060
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PM100*060
Abstract: E80276 PM100RSE060 pm100R
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM100RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
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Original
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PM100RSE060
100A15kHz
600V30A
E80276
E80271
PM100*060
PM100RSE060
pm100R
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E80276
Abstract: PM50CSE060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM50CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
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PM50CSE060
50A15kHz
E80276
E80271
PM50CSE060
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E80276
Abstract: PM100CSE060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM100CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
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PM100CSE060
100A15kHz
E80276
E80271
PM100CSE060
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E80276
Abstract: PM50RSE060
Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM50RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用
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PM50RSE060
50A15kHz
600V15A
E80276
E80271
PM50RSE060
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