G15933JJ1V0DS Search Results

G15933JJ1V0DS Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	MFG & Type	PDF	Document Tags
SC-95 Abstract: No abstract text available Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	PDF	PA1952 PA1952 G15933JJ1V0DS SC-95
SC-95 Abstract: No abstract text available Text: データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA1952 P チャネルパワーMOS FET スイッチング用 µ PA1952 は，1.8 V 電源系による直接駆動が可能なス外形図（単位：mm）イッチング素子です。	Original	PDF	PA1952 PA1952 PA1952TE SC-95 G15933JJ1V0DS SC-95

Catalog Datasheet

MFG & Type

PDF

Document Tags

SC-95

Abstract: No abstract text available
Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

Original

PDF

PA1952 PA1952 G15933JJ1V0DS SC-95

SC-95

Abstract: No abstract text available
Text: データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA1952 P チャネルパワーMOS FET スイッチング用 µ PA1952 は，1.8 V 電源系による直接駆動が可能なス外形図（単位：mm）イッチング素子です。

Original

PDF

PA1952 PA1952 PA1952TE SC-95 G15933JJ1V0DS SC-95