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    G16205JJ1V0DS Search Results

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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PA653TT PA653TT 6205JJ1V0DS G16205JJ1V0DS PDF

    UPA65

    Abstract: ed101
    Text: データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA653TT P チャネル MOS FET スイッチング用 外形図（単位: mm） µPA653TT は，4.0 V 電源系による直接駆動が可能なスイッ チング素子です。


    Original     		PA653TT PA653TT 6205JJ1V0DS G16205JJ1V0DS UPA65 ed101 PDF