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4051M Abstract: SC-95 Text: データ・シートショットキバリア・ダイオード内蔵 MOS 形電界効果トランジスタ MOS FET with Schottky Barrier Diode µ PA508TE ショットキバリア・ダイオード内蔵 N チャネル MOS FET スイッチング用 µ PA508TE は，2.5 V 電源系による直接駆動が可能なス	Original	PDF	PA508TE PA508TE G16627JJ1V1DS M8E02 4051M SC-95
SC-95 Abstract: No abstract text available Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	PDF	PA508TE PA508TE G16627JJ1V1DS M8E02 SC-95

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Abstract: SC-95
Text: データ・シートショットキバリア・ダイオード内蔵 MOS 形電界効果トランジスタ MOS FET with Schottky Barrier Diode µ PA508TE ショットキバリア・ダイオード内蔵 N チャネル MOS FET スイッチング用 µ PA508TE は，2.5 V 電源系による直接駆動が可能なス

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