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PA2450B Abstract: No abstract text available Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	PA2450B G16635JJ1V0DS M8E02 PA2450B	PDF
pa2450b Abstract: hwson 6pin Text: データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA2450B N チャネル MOS FET スイッチング用徴 5 3 4 ○2.5 V 駆動可能 ○低オン抵抗です。 RDS on 1 = 17.5 mΩ MAX.（VGS = 4.5 V, ID = 4.0 A）	Original	PA2450B PA2450BTL PA2450B G16635JJ1V0DS M8E02 hwson 6pin	PDF

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PA2450B

Abstract: No abstract text available
Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

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PA2450B G16635JJ1V0DS M8E02 PA2450B

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pa2450b

Abstract: hwson 6pin
Text: データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA2450B N チャネル MOS FET スイッチング用徴 5 3 4 ○2.5 V 駆動可能 ○低オン抵抗です。 RDS on 1 = 17.5 mΩ MAX.（VGS = 4.5 V, ID = 4.0 A）

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