TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111
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GEMY6050
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Q65110A6342
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
fototransistor BPW 39
SFH415U
sidelooker smd DIODE
transistor smd 3401
SFH 4740
LPT80
BPY62
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fototransistor
Abstract: GEOY6976 OHLY0598 OHF00369 k 4110
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • Wellenlänge der Strahlung 950 nm Enger Abstrahlwinkel Hohe Strahlstärke
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STR G 8654
Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date
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k 4110
Abstract: Q62702-P5073
Text: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter SFH 3100 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik
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3100y
k 4110
Q62702-P5073
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barcode reader circuit
Abstract: barcode reader opto counter fototransistor led k 4110 transistor k 4110 GEOY6976
Text: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3100 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter SFH 3100 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 850 nm bis 1100 nm
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Q62702-P5073
Q62702-P5475
GEOY6976
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GEOY6976
Abstract: OHLY0598
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • Wellenlänge der Strahlung 950 nm Enger Abstrahlwinkel Hohe Strahlstärke
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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Text: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com
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GEXY6713
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
DIODE B-10
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28
TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM
SFH4450
GEOY6969
SFH 4232
SFH 4740
702 transistor smd code
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diode 9306
Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)
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GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
diode 9306
FA 4301
SFH 9500
SFH 5110
bpx 48
BP104
SFH 4552
SFH9240
GEOY6972
GPXY6992
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fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
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EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
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k 4110
Abstract: GEOY6976 Q62702-P5073 radiant 3100
Text: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3100 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 850 nm bis 1100 nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter SFH 3100 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik
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GEOY6976
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-03 GaAs Infrared Emitter Mini Sidelooker GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) Version 1.0 SFH 4110 Features: Besondere Merkmale: • • • • • • Peak wavelength of 950 nm Narrow half angle High radiant intensity Small outline dimensions
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-09-18 Silicon NPN Phototransistor with Daylight - Cutoff Filter NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 SFH 3100 F Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 850 . 1100 nm • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
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D-93055
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IC 3130
Abstract: 4110 P525 Q62702-P5250 GEOY6976
Text: Fotodarlington Transistor im Sidelooker-Gehäuse Photodarlington Transistor in Sidelooker-Package SFH 3130 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Fotodarlington Transistor im Sidelooker-Gehäuse Photodarlington Transistor in Sidelooker-Package SFH 3130 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik
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Q62702-P5250
suita10
GEOY6976
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor with Daylight - Cutoff Filter NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Version 1.3 SFH 3100 F Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 850 . 1100 nm • Special: Narrow half angle
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411teil,
D-93055
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k 4110
Abstract: Q62702-P5072 GEOY6976
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) SFH 4110 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • Wellenlänge der Strahlung 950 nm Enger Abstrahlwinkel Hohe Strahlstärke Geringe Außenabmessungen Gehäusegleich mit Fototransistor SFH 3100 F
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2013-05-22 Silicon NPN Phototransistor with Daylight - Cutoff Filter NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 SFH 3100 F Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 850 . 1100 nm • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
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D-93055
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Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3100 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 850 nm bis 1100 nm
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