DCA50e
Abstract: DCA50 germanium transistors NPN 6F22 MN1604 SK17 germanium transistoren
Text: DCA50e Komponenten-Analysator erweitert Hergestellt in Großbritannien. Peak Electronic Design Ltd. Atlas House, Kiln Lane, Harpur Ind. Est, Buxton, SK17 9JL, U.K. Einleitung Der DCA50e KomponentenAnalysator ist ein zukunftsweisendes Instrument, das eine Vielzahl von
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DCA50e
DCA50e
DCA50
germanium transistors NPN
6F22
MN1604
SK17
germanium transistoren
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transistors EB202
Abstract: EB202 transistor EB202 EB202 transistor TL7726 Texas Germanium
Text: EB202 Spannungsbegrenzer EB202 SPANNUNGSBEGRENZERSCHALTUNG TL7726 Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 17.01.1992 Rev.: * Überarbeitet 13.01.1995 Texas Instruments 1 Applikationslabor EB202 Spannungsbegrenzer In vielen Anwendungen läßt es sich nicht verhindern, Halbleiterbauelemente in
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EB202
TL7726
TL7726
transistors EB202
EB202
transistor EB202
EB202 transistor
Texas Germanium
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AD162
Abstract: AD161 ad 162 AD 161 valvo transistoren valvo AD-161 germanium transistoren ScansUX7 ad161ad
Text: AD 162 GERMANIUM - PNP - NF - LEISTUNGSTRANSISTOR für Endstufen, als Transistorpaar für Gegentakt-B-Schaltungen, mit AI 161 als komplementäres Paar Mechanische Daten: GehKuse: Metal1 9 A 2 nach DIN 41875 Der Kollektor ist mit dem Metal1gehäuse 1e itend verbunden.
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Asy transistor
Abstract: ASY 15 asy70 Asy 00 ASY48-V germanium transistor asy Q62901-B1 semix igbt GAL ASY50 ASY48
Text: ASY48 A SY 70 PNP-Transistoren für Schalteranwendungen A S Y 48 und A S Y 70 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 1 A 3 DIN 41871 TO-1 ähnl. . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet. Die Transistoren sind besonders
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Q60118-Y48-
Q60118-Y48-
Q60118-Y70-
Q62901-B1
Asy transistor
ASY 15
asy70
Asy 00
ASY48-V
germanium transistor asy
Q62901-B1
semix igbt GAL
ASY50
ASY48
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AC126
Abstract: AC125 AC 126 VALVO valvo transistoren ac125 germanium germanium transistoren VALVO ac 126 DIN41871 17Z10
Text: AC 125 AC 126 NIC HT FÜR N E U E N T W I C K L U N G E N -GERMANIUM - PNP - NF - TRANSISTOREN für Vor- und Treiberstufen Mechanische Daten; Gehäuse; Metall, JEDEC TO-1, 1 A 3 DIN 41 871 Alle Elektroden sind vom Gehäuse isoliert* Farbpunkt: Kollektoranschluß
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AC125
AC1200(
Rg-5003,
B-200
450kHz;
AC126
AC 126
VALVO
valvo transistoren
ac125 germanium
germanium transistoren
VALVO ac 126
DIN41871
17Z10
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103MA
Abstract: Q62901-B1 transistor ACY PNP Q60103-Y32-F ACY 23 V legiert
Text: ACY 23 ACY 32 PIVIF’-Transistoren fü r NF-Vorstufen ACY 23 und ACY 32 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 1 A 3 DIN 41 871 TO-1 ähnl. . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet. Die Transistoren sind besonders
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Q60I03-Y23-E
Q60I03-Y23-F
Q60130-Y32-E
Q60103-Y32-F
Q62901-B1
/ACY32
101mA
103MA
Q62901-B1
transistor ACY PNP
Q60103-Y32-F
ACY 23 V
legiert
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AUY 10
Abstract: AUY19 legiert Q62901-B11-A pnptransistor W130 AUY20V PNP-Germanium
Text: PNP-Transistoren für Schalteranw endungen bis 3 A A U Y 19 A U Y 20 A U Y 19, A U Y 20 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 3 A 2 DIN 41872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden. Die Transistoren sind besonders für den Einsatz als NF-Leistungsschalter geeignet.
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Q62901-B11-A
Q62901-B13-B
Q60120-Y19-C
Q62901-B13-B
Q60120-Y19-D
Q62901-B11-A
AUY19
Q60120-Y19-E
Q60120-Y20-C
Q60120-Y20-D
AUY 10
legiert
pnptransistor
W130
AUY20V
PNP-Germanium
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AD149
Abstract: ad 149 valvo transistoren valvo OC 74 germanium transistor valvo oc 26 valvo transistor valvo transistoren germanium AD-149 valvo germanium
Text: AD 149 GERMANIUM - PNP - NF - LEISTUNGSTRANSISTOR Mechanische Da ten; Gehäuse: Metall, JEDEC T0-3 3 A 2 DIN 41 872 Der Kollektor ist mit dem Gehäuse leitend verbunden. Für isolierten Einbau können Gl immerscheibe Typ P und Isolier buchsen (Typ C) gelie
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-0t25
AD149
ad 149
valvo transistoren
valvo
OC 74 germanium transistor
valvo oc 26
valvo transistor
valvo transistoren germanium
AD-149
valvo germanium
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keramische Werke Hermsdorf
Abstract: Mischstufen VEB Keramische Werke OA741 OA645 OA625 hermsdorf OA665 neue halbleiterbauelemente Amateur
Text: HalbleiterBauelemente Dioden Germanium dioden Type Durchlaß spannung U a k IVI Durchlaß strom Sperr spannung lA K l m A l U k a |V| Sperrstrom IKA li'AI max. zuläss. Sperr spannung jEä max. zuass. Durchlaß strom UKAma* IVI ^AKmax !mAl Bau
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acy transistor
Abstract: Q62901-B1 transistor ACY PNP ACY33 uz00 legiert
Text: PN P-Transistor für NF-Treiber- und Endstufen A C Y 33 ACY 33 ist ein legierter PNP-Germanium-Transistor im Gehäuse 1 A 3 DIN 41871 TO-1 ähnl. , Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet.
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ACY33
Q62901-B1
Q60103-Y33-G
Q60103â
Y33-G
Q60103-Y33-H
10ZK8
acy transistor
transistor ACY PNP
uz00
legiert
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AC128
Abstract: transistor AC128 AC128 transistor germanium transistor ac 128 valvo transistoren ac128 pnp germanium transistor ac128 ac128 germanium valvo valvo transistor
Text: NICHT FÜR N E U E N T W I C K L U N G E N AC 128 GERMANIUM - PNP - NF - TRANSISTOR für Endstufen, als Transistorpaar für Gegentakt-B-Schaltungen, in Verbindung mit AC 127 als komplementäres Paar Mechani sehe Daten: Gehäuse: Metall, JEDEC T0-1, 1 A 3 DIN 41 871
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AC128
transistor AC128
AC128 transistor
germanium transistor ac 128
valvo transistoren
ac128 pnp
germanium transistor ac128
ac128 germanium
valvo
valvo transistor
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GY 123
Abstract: SY 170 gd 241 c gd241c funkamateur sy 166 sy 164 VSF203 VSF200 SF 127
Text: Preisliste für Halbleiterbauelemente gültig ab 18. November 1969 Type EVP alt M ark EVP neu M ark Germanium- und Silizium-Gleichrichter GY 099 GY 100 GY 101 GY 102 GY 103 GY 104 GY 105 GY 109 GY 110 GY 111 GY 112 GY 113 GY 114 GY 115 GY 120 GY 121 GY 122
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GAZ14
GY 123
SY 170
gd 241 c
gd241c
funkamateur
sy 166
sy 164
VSF203
VSF200
SF 127
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AFY18D
Abstract: AFY18E AFY18C AFY18 K13 transistor Transistor C126 f6004 Q60I06-Y18-D mesa
Text: Nicht für N e u e n tw ick lu n g PIMP-Mesatransistor fü r Antennenverstärker 2,5 GHz AFY 18 AFY 18 ist ein epitaktischer PNP-Germanium-Hochfrequenz-Transistor in Mesa-Technik im Gehäuse 5 C 3 DIN 41 873 T O -3 9 . Der Collektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden.
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Q60106-Y18-C
Q60I06-Y18-D
Q60106-Y18-E
AFY18
-C12e
AFY18D
AFY18E
AFY18C
AFY18
K13 transistor
Transistor
C126
f6004
Q60I06-Y18-D
mesa
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ac187
Abstract: Transistor AC 187 AC 187 npn transistor TO 1 ac188 valvo Transistor AC 188 AC 188 valvo transistoren valvo transistor valvo germanium
Text: NICHT FÜR N E U E N T W I C K L U N G E N AC 187 GERMANIUM - NPN - NF - TRANSISTOR für Endstufen, mit AC 188 als komplementäres Paar Mechanische Daten: Gehäuse: Metall, JEDEC TÜ-1, 1 A 3 DIN 41 871 Alle Elektroden sind vom Gehbluse isoliert. Farbpunkt: Kollektorseite
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Transistor AC 187
Abstract: AC187K ac187 AC 187 npn transistor TO 1 ac188k Transistor AC 187 k valvo valvo transistor valvo germanium valvo transistoren
Text: NICHT FÜR N E U E N T W I C K L U N G E N AC 187 K GERMANIUM - NPN - NF - TRANSISTOR für Endstufen, in Verbindung mit AC 188 K als komplementäres Paar Mechanische D a t e n : GehKuse: Metall JEDEC TO-1 bzw. 1 A 3 nach DIN 41 871 in Kdhlklotz Alle Elektroden sind
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germanium transistor ac 128
Abstract: AC 128 pnp transistor AC128 AC128K germanium transistoren transistor ac 128 valvo valvo transistoren AC 128 valvo germanium
Text: NICHT FÜR N E U E N T W I C K L U N G E N AC 128 K GERMANIUM - PNP - TRANSISTOR für Endstufen als Transistorpaar für Gegentakt-B-Schaltungen Mechanische Daten: Gehäuse: Metall, JEDEC TO-1, 1 A 3 nach DIN 41 871 mit ) Kühlklotz Alle Elektroden sind vom Gehäuse isoliert.
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Ko11ektor-SperrSpannung
germanium transistor ac 128
AC 128 pnp transistor
AC128
AC128K
germanium transistoren
transistor ac 128
valvo
valvo transistoren
AC 128
valvo germanium
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ac188k
Abstract: Transistor AC 188 ac188 AC 188 pnp transistor TO 1 valvo valvo transistoren valvo transistor AC 188 Transistor AC 188 k germanium transistor ac 188
Text: N ICH T FÜR N E U E N T W I C K L U N G E N GERMANIUM - P NP - NF - TRANSISTOR fUr Endstufen, als Transistorpaar für Gegentakt-B-Schaltungen, in Verbindung mit A C 18? E als komplementäres Paar Mechanische Daten: Gehäuse: Metall JEDEC TO-1 bzw. 1 A 3 nach D IN 41 871 in Ktthlklotz
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emitter
Abstract: zo 103 ma Q62901-B17-B AUY18 transistor 7g legiert
Text: PN P-Transistor für Schalteranw endungen bis 8 A A U Y 18 A U Y 18 ist ein legierter PNP-Germanium-Transistor mit Gehäuse 8 A 3 DIN 41878 T O -8 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden. Für die Befestigung auf einem Chassis sind die Isolierteile bzw. Befestigungsteile Q 62910B 13-B , Q 62901-B 17-A und Q 62901-B 17-B vorgesehen. Diese sind zusätzlich zu bestellen.
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Q62910-B13-B,
Q62901-B17-A
Q62901-B17-B
Q60120-Y18-D
Q60120-Y18-E
Q62901-B17-B
Q62901-B17-A
Q62901-B13-B
300mV
emitter
zo 103 ma
AUY18
transistor 7g
legiert
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Siemens photodiode visible light
Abstract: siemens transistoren germanium
Text: Si-Fotodetektoren und IR-Lumineszenzdioden Silicon Photodetectors and Infrared Emitters Seite Page In h altsv erzeich n is S i-F o to d e tekto re n T ab le of C o n te n ts fo r P h o to d etec to rs 1. Fotomodule für Fernbedienungen 1. Photomodules for Remote Control Systems
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fotodiode oe 100
Abstract: siemens SFH nm SFH 462 BPY64 BPW 64 photo siemens germanium transistoren PX60 SIEMENS Phototransistors BPY siemens transistoren germanium
Text: SIEMENS Typenübersicht Selector Guide Inhaltsverzeichnis Fotodetektoren Contents Photodetectors Page Seite Fotomodul für Fernbedienungen.12 Photomodule for Remote Control Systems. 12
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MP21E
Abstract: sowjetische transistoren MP21D UdSSR KT904 ASZ16 KT315 OC1072 Transistoren DDR asz1015
Text: electronic Sowjetische Transistoren I n h a l t s v e r z e i c h n i s V o rw o rt K u rz c h a ra lc te rls tlk - G e rm a n iu n tra n s is to re n - S illz lu m tra n s ito re n S t a a t l i c h e r S ta n d a r d d e s S y ste m s f ü r d i e B e z e ic h n u n g d e r H a l b l e i t e r b a u e l e u e n t e d e r UdSSR
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BF679T
Abstract: BF606 VALVO GMBH BF440 funkamateur BF681 BF479T BF023 transistor BF936 transistor BF451
Text: FUNKAMATEUR - Bauelementeinformation Transistoren für die Hochfrequenztechnik Hinweise Symbole • Es wurden häufig verwendete und neue Typen zusammengestellt; SMDBauelem ente blieben unberücksich tigt. • Einsatzgebiete sind Video-, KW-, VHF- und UHF-Verstärkcr sowie Os
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UL224D30
Abstract: UB880D radio fernsehen elektronik selen-gleichrichter L6516DG15 selengleichrichter L224D U6516dg bauelemente Kombinat D74LS999DK U6516D L6516DG15
Text: Typbezeichnung u nd K ennzeichnung von H alb le iterb a u e lem e n te n Dipl.-Ing. PETER H A N D R A C K Mitteilung aus dem V EB Kombinat Mikroelektronik Erfurt Ziel der Überarbeitung der TGL 38015 war es, sowohl die bei der A rbeit m it der beste henden Ausgabe gewonnenen Erfahrungen
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der
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