transistors EB202
Abstract: EB202 transistor EB202 EB202 transistor TL7726 Texas Germanium
Text: EB202 Spannungsbegrenzer EB202 SPANNUNGSBEGRENZERSCHALTUNG TL7726 Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 17.01.1992 Rev.: * Überarbeitet 13.01.1995 Texas Instruments 1 Applikationslabor EB202 Spannungsbegrenzer In vielen Anwendungen läßt es sich nicht verhindern, Halbleiterbauelemente in
|
Original
|
PDF
|
EB202
TL7726
TL7726
transistors EB202
EB202
transistor EB202
EB202 transistor
Texas Germanium
|
NATIONAL IGBT
Abstract: IGBT Power Module siemens ag high temperature reverse bias Semiconductor Group igbt high temperature reverse bias IGBT
Text: Qualität und Zuverlässigkeit Quality and Reliability 1 Qualität 1 Quality Der Bereich Halbleiter HL der Siemens AG plant, entwickelt, fertigt und vertreibt ein breites Spektrum von HalbleiterBauelementen und optoelektronischen Komponenten und erbringt die dazu
|
Original
|
PDF
|
|
0642
Abstract: No abstract text available
Text: APPLICATION NOTE Seite 1 von 2 Thermische Ersatzschaltbilder Das thermische Verhalten von Halbleiterbauelementen läßt sich in Form verschiedener Ersatzschaltbilder beschreiben: Kettenbruchschaltung Tj Tcase Die Kettenbruchschaltung spiegelt den physikalischen Aufbau des Halbleiters - Wärmekapazitäten mit dazwischengeschalteten Wärmewiderständen - wider. Den einzelnen RC-Gliedern sind eindeutig der Schichtenfolge des Moduls Chip, Lot, Substrat, Bodenplatte zuordbar.
|
Original
|
PDF
|
D-59581
0642
|
PA66-GF30 RELAY
Abstract: PA66-GF30 RELAis PA66-GF30 RELAY schema PA66-GF30 Miniature glass fuses color coding subminiature fuses color coding JASO d 611 PA66-GF30 start relais PIV RATING 36 V DIODE with peak repetitive current 60A STK 4252
Text: Automotive Circuit Protection Products Contents Fuseology 1 Fuseology Relays 8 Relays ISO MINI Relays MICRO Relays STARTER Relays Surface Mount Varistors Multilayer Transient Voltage Surge Surpressor Resettable PTCs 1206L Series Surface Mount PTCs 1812L Series Surface Mount PTCs
|
Original
|
PDF
|
1206L
1812L
FHAC0001
FHAC0002
0FHA000x
0FHA0200
0FHM000x
0FHM0200
0MAH0001
PA66-GF30 RELAY
PA66-GF30 RELAis
PA66-GF30 RELAY schema
PA66-GF30
Miniature glass fuses color coding
subminiature fuses color coding
JASO d 611
PA66-GF30 start relais
PIV RATING 36 V DIODE with peak repetitive current 60A
STK 4252
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Marketing Information FS 300 R 12 KF4 61,5 61,5 M6 13 190 31,5 171 57 2,8x0,5 U V CX CU CY W CV CZ CW 4 deep 3,35 5,5 26,4 7 5 3x5=15 GX EX EU GU GY EY EV GV + + Cu Cv Cw Gu Gv Gw Eu Ev Ew Cx
|
Original
|
PDF
|
|
FD401R17KF6CB2
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FD 401 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung
|
Original
|
PDF
|
|
DD1200S33K2C
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules DD1200S33K2C Vorläufige Daten preliminary data Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values $ % ' * +, '() * +, 23 % 7 28 & 1 5*" & -. * & :
|
Original
|
PDF
|
DD1200S33K2C
DD1200S33K2C
|
FZ1600R12KE3
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1600R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage
|
Original
|
PDF
|
FZ1600R12KE3
FZ1600R12KE3
|
IGBT module FZ 1200 R17
Abstract: FZ400R17KE3 fz 1600 r17 ke3
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 400 R17 KE3 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
|
Original
|
PDF
|
|
BSM300GB120DLC
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM300GB120DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom
|
Original
|
PDF
|
BSM300GB120DLC
BSM300GB120DLC
|
NF 838 G
Abstract: FZ2400R17KF6C
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ2400R17KF6C B2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom
|
Original
|
PDF
|
FZ2400R17KF6C
NF 838 G
|
bsm 256
Abstract: igbt module bsm 300 Al2O3
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GB 60 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom
|
Original
|
PDF
|
|
FS25R12KT3
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FS25R12KT3 Vorläufige Daten preliminary data IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values !" " # # # " 0* 8 9 > " + ? > # !" " " # 9 $%& ' * +,-.
|
Original
|
PDF
|
FS25R12KT3
FS25R12KT3
|
FS15R06XL4
Abstract: wechselrichter
Text: Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS15R06XL4 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage
|
Original
|
PDF
|
FS15R06XL4
FS15R06XL4
wechselrichter
|
|
|
T112-16
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR Datenblattsammlung Tesla katalog tesla schaltkreise mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik RFT mikroelektronik DDR rft katalog
Text: Di vorliegenden Datenblätter dienen nur sur- Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente ©ingestuften Sortimente© Aus den Datenblättern können keine Liefer- oder ProduktVer bindlichkeiten abgeleitet werden*
|
OCR Scan
|
PDF
|
DDR-1035
T112-16
Halbleiterbauelemente DDR
Datenblattsammlung
Tesla katalog
tesla schaltkreise
mikroelektronik datenblattsammlung
VEB mikroelektronik
mikroelektronik RFT
mikroelektronik DDR
rft katalog
|
keramische Werke Hermsdorf
Abstract: Mischstufen VEB Keramische Werke OA741 OA645 OA625 hermsdorf OA665 neue halbleiterbauelemente Amateur
Text: HalbleiterBauelemente Dioden Germanium dioden Type Durchlaß spannung U a k IVI Durchlaß strom Sperr spannung lA K l m A l U k a |V| Sperrstrom IKA li'AI max. zuläss. Sperr spannung jEä max. zuass. Durchlaß strom UKAma* IVI ^AKmax !mAl Bau
|
OCR Scan
|
PDF
|
|
Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs temperatur von 25 °C angegeben.
|
OCR Scan
|
PDF
|
6x10x12
Halbleiterbauelemente DDR
Dioden SY 250
diode sy-250
B250C135
u103d
GD244
transistor gc 301
SAM42
diode sy 166
D172C
|
diode SY 192
Abstract: KP902A Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik transistor kp mikroelektronik datenblattsammlung "halbleiterwerk frankfurt" KP306a mikroelektronik DDR
Text: . • M ' - l ä r o u jk 1 U ’i m - í!Í'.>. "lA T T S A M M . 'Q elektronische Bauelemente IWT iO 1/87 I# %# S Die vorliegenden Datenblätter dienen nur zur Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente eingestuften Sortiments«
|
OCR Scan
|
PDF
|
|
Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: diode BZW 70-20 VEB mikroelektronik Datenblattsammlung mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik applikation information applikation mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt"
Text: 9 ¡M i n M W V S I I V I S N l l ¥ a Die vorliegenden Datenblätter dienen als Informationsmaterial für Geräteentwickler und Konstrukteure, Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in "den Listen elektronischer Baulemente eingestuften Sortiments.
|
OCR Scan
|
PDF
|
V4019
DDR-1035
Halbleiterbauelemente DDR
diode BZW 70-20
VEB mikroelektronik
Datenblattsammlung
mikroelektronik DDR
aktive elektronische bauelemente ddr
mikroelektronik datenblattsammlung
mikroelektronik applikation
information applikation mikroelektronik
"halbleiterwerk frankfurt"
|
B084D
Abstract: DL074D 74LS74N transistor vergleichsliste TRANSISTOR 132D VEB mikroelektronik schlenzig B4761D B761D B176D
Text: Neue Halbleiterbauelemente KLAUS SCHLENZIG/ DIETER JUNG Operations verstärker LowPower- SchottkyReihe KLAUS SCHLENZIG/DIETER JUNG Neue Halbleiter bauelemente Operationsverstärker und Low-Power-Schottky-Reihe Militärverlag der D eutschen Demokratischen
|
OCR Scan
|
PDF
|
|
RPY 86
Abstract: valvo halbleiter RPY94 CQY 24 BV EI 30-20 3001 LDR 03 diode byx 64 600 valvo transistoren KP101A BAV99-1
Text: Elektronik. Wir bauen die Elemente. v a i v D Halbleiterbauelemente Produktprogramm DH, April 1984 Elektronik. Wir bauen die Elemente Unser Arbeitsgebiet - besonders die Mikroelektronik - entwickelt sich immer rascher zum Motor für eine Vielzahl von Innovationen. Mit gründ
|
OCR Scan
|
PDF
|
|
VEB mikroelektronik
Abstract: Datenblattsammlung SY 625 V40511D mikroelektronik datenblattsammlung Diode KD 514 KD512A mikroelektronik Berlin "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat mikroelektronik Erfurt
Text: \ñ ñ lB rW *m X S á B Í4 ti& * 311' ill c e l e k t r o n i k - b a u e i e m e n t e ? 2/86 . Die vorliegenden Datenblätter beinhalten Listen i Infonmatic-aen ü b e r elektronischer Sie können abgeleitet beinhalten n ur z u r Information» Halbleiterbauelemente
|
OCR Scan
|
PDF
|
|
SAL 41
Abstract: SMY52 SMY60 GAZ17 Funkamateur GY102 smy50 SMY51 germanium GY100
Text: FUNKAMATEUR-Tabellen Halbleiterbauelemente aus der DDR-Produktion 1980 Typ Plot UDs U gs UGB V U DB mW V U dg Si-MOSFGT n-Kanal-Verarm ungstyp 20 SM 103 150 -1 5 /+ 5 SM 104 150 20 -1 5 /+ 5 U sb Id y 21 Bei V - U T Bei Re Id |aA T mA V erw endung A sc sc
|
OCR Scan
|
PDF
|
SMY511
SMY52
SMY602
GY100
SAL 41
SMY60
GAZ17
Funkamateur
GY102
smy50
SMY51
germanium
|
E412D
Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik applikation heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft 12 aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik DDR
Text: innjolkiij ii l _!Il j I h Information Applikation L . i m in i l- c Die vorliegende technische Information dient dea Informati. bedürfnis des Schaltungsentwicklers sowie interessierten Technikers im In- und Ausland eu speziellen aasgewählten Erzeugnissen der Halbleiterbauelemente-Industrie der
|
OCR Scan
|
PDF
|
|