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    HALBLEITERBAUELEMENTE DDR T 218 Search Results

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    HALBLEITERBAUELEMENTE DDR T 218 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik information applikation Mikroelektronik Information Applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft sy 710 applikation heft
    Text: m o t ^ o e l e l - c f a n c i r Information Applikation Bauelemente der Leistungs­ elektronik SW77 Bipolare SchaltTransistoren i i l - c m t n r D o lk in î^ e lB l-c ta n a r iik Information Applikation H e f t : BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
    Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


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    PDF DOR102 Halbleiterbauelemente DDR GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
    Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


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    PDF 6x10x12 Halbleiterbauelemente DDR Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C

    VEB mikroelektronik

    Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft
    Text: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP


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    PDF 57AHNSDORP VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft

    mikroelektronik ddr

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
    Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn­ daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden


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    VQB71

    Abstract: vqb 71 Halbleiterbauelemente DDR "halbleiterwerk frankfurt" U105D diode sy-250 U107D u311d hfo frankfurt sy 170
    Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente D ie v o r lie g e n d e Ü b e rs ic h t e n t h ä l t i n g e d rä n g te r Form d ie w ic h tig s te n G renz- und K enndaten d e r i n d e r DDR g e f e r t i g t e n H a lb le ite r b a u e le m e n te . D ie K ennw erte werden im a llg e m e in e n f ü r e in e U m gebungstem peratur von


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    C520D

    Abstract: D347D D147d information applikation D348D Halbleiterbauelemente DDR "halbleiterwerk frankfurt" lt 8216 diode "Mikroelektronik" Heft applikation heft
    Text: E n n f lk ln lä B lQ Information Applikation l- C tS n o r T ik Autoren: Dipl.-Ing. Siegfried Güldner Dipl.-Ing. Henning Zinke Redaktion und Layout: Heinz Schulz Pmachlag: Peter Hoffmann Redakt ionakommi aaion: Heinz Schulz, Vorsitzender Dipl.-Ing. Egbert Knopke


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    k3882

    Abstract: TAA 981 E25C5 TC8066PB sn 8400 sn 8408 selen-gleichrichter Halbleiterbauelemente DDR A109D SY 170
    Text: [ n r D D lk D ^ i^ B lB k f a n a n ilK Halbleiter-Bauelemente Kurzinformation D ie M ik ro e le k tro n ik e rw e is t sich in te rn a tio n a l m e h r u n d m eh r a ls e in e n ts c h e id e n d e r F a k to r be i d e r D u rc h s e tz u n g d e s w isse n s c h a ftlic h -te c h n is c h e n F o rts c h ritte s a lle r B ere ich e d e r W irts c h a ft un d


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    IC 7447

    Abstract: "halbleiterwerk frankfurt" IC 7495 dioda by 238 SYk 04 vergleichsliste BY 235 D147d IC 7474 ic 74193
    Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Vergleichsliste Hersteller Bi BA Bi Bi Bi Bi Bi Bi 100 103 106 116 127 147/25 147/50 152 i E S 8 Ti 8 T. T Se B i 152 Hl B i 170 B i 177 B i 178 B i 1«B BA 187 B i 204 B i 216 B i 217 B i 216 B i 219 B i 220 BA 221 B i 222


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    A109d

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR a211d B109D "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat zf filter VEB Kombinat halbleiterwerk
    Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors 1981 D ie vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der D D R gefertigten H albleiterbauelem ente. Dem Anw ender soll durch diese Übersicht die Auswahl d er jew eils in Frage kommenden


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