HF TRANSISTOREN Search Results

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reedrelais Abstract: zu 109 reedschalter Text: MEDER electronic REEDSCHALTER IN RELAIS Der Reedschalter als Schaltelement in einem Reedrelais Wird der Reedschalter in einem Reedrelais verwendet, erzeugt man das Magnetfeld durch eine Kupferspule. Abb. # 1 zeigt die einfache Wirkungsweise. Reedrelais benötigen in der Regeleine relativ geringe Steuerleistung und können durch Transistoren, TTL-Logik oder	Original		PDF
TFK 227 Abstract: BF255 BF254 tfk 226 bf254 tfk BF 225 tfk 4 227 tfk u 226 b TFK 877 TFK 4 232 Text: W BF 254 • BF 255 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-HF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar RF Transistors Anwendungen: BF 254: Allgem ein und geregelte H F-Verstärkerstufen bis 100 MHz BF 255: Allgem ein und HF-Verstärkerstufen bis 100 MHz Applications:	OCR Scan		PDF
BF679 Abstract: BF679S bf 679 Text: BF 679 S Silizium-PNP-HF-Transistoren Silicon PNP RF Transistors Anwendungen: R egelbare U HF/VH F-Eingangsstufen Applications: G ain controlled UHF/VHF input stages Besondere Merkmale: Features: • Hohe Verstärkung • H igh pow e r gain • Kleine R auschzahlen	OCR Scan	-30dBGpb BF679 BF679S bf 679	PDF
SS502 Abstract: M502 Q60218-Y34 Q60218-Y58 BSY34 Scans-0010549 Text: NPIM-HF-Transistoren für Schalteranw endungen B S Y 34 B SY 58 B S Y 34 und B S Y 58 sind doppeltdiffundierte epitaktische NPN-Silizium-HF-Transistoren in Planartechnik im Gehäuse 5 C3 DIN 41 873 T O -39 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden.	OCR Scan	Q60218-Y34 Q60218-Y58 100mA 100mA /c-150mA, SS502 M502 Q60218-Y34 Q60218-Y58 BSY34 Scans-0010549	PDF
KT925 Abstract: KT925b kt925a Funkamateur SA 925 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Leistungstransistor KTS25 KT 100 925a Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation KT 925 Silizium-HF-Leistungstransistor in Epitaxie-Planar-Technologie TG L 35490 UdSSR Kurzcharakteristik Grenzwerte Parameter Bedingungen Kurzzeichen Typ Kollektor/Basis-Spannung1 Kollektor/Emitter-Spannung1 (R be = 100 O)	OCR Scan	KT925 f-300 KT925b kt925a Funkamateur SA 925 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Leistungstransistor KTS25 KT 100 925a	PDF
Transistor BSX 95 Abstract: k 49 transistor LC 500-S BSX49 Q60218-X48 Q60218-X49 bsx 30 BSX48 Scans-0010549 Text: IMPIM-Transistoren fü r HF-Schalteranwendungen BSX 48 BSX 49 Die Transistoren BSX 48 und BSX 49 sind doppeltdiffundierte epitaktische Silizium-Transistoren in Planar-Technik im Gehäuse 18 A3 DIN 41 876 TO-18 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden.	OCR Scan	Q60218-X48 Q60218-X49 Transistor BSX 95 k 49 transistor LC 500-S BSX49 Q60218-X48 Q60218-X49 bsx 30 BSX48 Scans-0010549	PDF
HF-transistoren Abstract: No abstract text available Text: Transistoren Transistors HF-Transistoren und MMICs MOS Feldeffekt-Transistoren RF-Transistors and MMICs MOS Field-Effect Transistors Type Maximum Ratings Characteristics TA = 25 °C ^DS V Gps dB Fat dB Id mA Aot mW Vqs V Id mA / MHz gts mS Package Lead Code	OCR Scan	OT-143 23SbGS HF-transistoren	PDF
BF440 Abstract: BF441 IC 41 BF a1265 ir 441 c JEDECTO-92 Fm amplifier Text: BF 440 • BF 441 Siliziium-PNP-Epitaxial-Planar-HF-Transistoren Silicon PNP Epitaxial Planar RF Transistors Anwendungen: BF 440: G eregelte AM- und FM -Verstärkerstufen BF 441: AM- und FM-Verstärkerstufen Applications: BF 440: C ontrolled AM and FM am p lifier stages	OCR Scan		PDF
BF362 Abstract: TFK S 741 gain bandwidth product TFK 03 BF363 Text: BF 362 * BF 363 Silízium-NPN-HF-Planar-Transistoren Silicon NPN RF Planar Transistors Anwendungen: BF 362: Regelbare UHF/VHF-Eingangsstufen BF 363: Selbstschw ingende M ischerstufen Applications: BF 362: Gain co ntrolled UHF/VHF input stages BF 363: S elf oscillating m ixer stages	OCR Scan		PDF
mosfet bf 966 Abstract: smd bf BF965 BF963 Marking fs sot mg sot-143 BF964S marking 16 sot143 BF96 Text: -T -3 I-Ä S SIEMENS AKTIENGESELLSC HAF ÖE3SbOS GDSb27'i 4 « S I E G M7E » HF-MOS-Transistoren / RF MOS Transistors N-Channel MOSFET Tetrodes Plastic Package Type Max. ratings Characteristics CO Ï? P.O. G ps > mA mW mS Package Fig. F dB V mA f MHz dB 16.5	OCR Scan	GDSb27 BF965 OT-143 OT-142 OT-23 mosfet bf 966 smd bf BF963 Marking fs sot mg sot-143 BF964S marking 16 sot143 BF96	PDF
BFR 450 Abstract: bfr 135 BFR180W BFS17P BFS17W BFT92 BFT93 BFT92P bfr194 193W Text: Transistoren Transistors HF-Transistoren Forts. RF-Transistors (cont'd) BFR 92P Chara<;teristics (TA = 25 °C) Maximum Ratings Type N = NPN P = PNP N ^C EO k P \Ot fr F k V mA mW GHz dB mA V 15 30 280 30 Vce 5.00 1.5 2 280 5.00 1.5 1.7 1.7 ▼ BFR92W N 15	OCR Scan	OT-23 OT-323 BFR180W BFR 450 bfr 135 BFS17P BFS17W BFT92 BFT93 BFT92P bfr194 193W	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAF bOE D • ÖE3Sb05 O O S m V b 3G7 HISIE6 SIEMENS ^ 3 / - 0/ Transistoren Transistors HF-Transistoren Maximum Ratings ^CEO h Plot V mA mW Chariicteristics rA =25°C F Gp h le ^CE f GHz dB mA V MHz dB Package h mA LU Type N=NPN P=PNP	OCR Scan	E3Sb05 BF517 BF550 BF554 BF569 OT-143 BFQ82 BFQ196	PDF
BSY18 Abstract: BSY17 Q60218-Y17 Q60218-Y18 Q60218-Y62-A Q60218-Y62-B Q60218-Y63 bd 743 transistor Text: NPN-HF-Transistoren für Schalteranwendungen BSY BSY - BSY BSY 17 18 62 63 B SY 17, B SY 18, B S Y 62 und B S Y 63 sind doppeltdiffundierte epitaktische NPN-Silizium-HFPlanar-Transistoren im Gehäuse 18 A3 DIN 41 876 T O -18 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse	OCR Scan	Q60218-Y17 Q60218-Y18 Q60218-Y62-A Q60218-Y62-B Q60218-Y63 BSY18 BSY17 Q60218-Y17 Q60218-Y18 Q60218-Y62-A Q60218-Y62-B Q60218-Y63 bd 743 transistor	PDF
amplifier siemens sot-363 Abstract: BFS480 HF-transistoren SOT-363 fg 420 sot-363 SOT343 Text: Transistoren Transistors SIEGET -HF-BIPOLAR-Transistoren SIEGET^-RF-BIPOLAR-Transistors Type N = NPN P = PNP Maximum Ratings Characteristics r A = 25 °C Package G Fcèo V 1F min k mA -f*tot h mW GHz dB k mA Vce f V MHz dB G ms k mA Vce / V MHz Lead Code	OCR Scan	OT-343 OT-143 fl235b05 amplifier siemens sot-363 BFS480 HF-transistoren SOT-363 fg 420 sot-363 SOT343	PDF

BFX59 Abstract: Transistor BFX 25 BFX59F Text: B F X 59 B F X 59 F N PIM -Transistoren fü r Treiber- und Endstu fen in A ntennenverstärkern BFX 59 und BFX 59F sind epitaktische NPN-Silizium-Planar-HF-Transistoren im Gehäuse 1 8 A 4 DIN 41876 TO-72 . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Die Tran	OCR Scan	Q60206-X59 Q60206-X59-S5 BFX59 Transistor BFX 25 BFX59F	PDF
KT920A Abstract: KT920B KT907A KT904A KT610A KT930A KT925b kt904 KT911A KT925A Text: FUNKAM ATEUR - Bauelementeinformation VT Hochfrequenz-Leistungstransistoren aus der Sowjetunion Daten gebräuchlicher sowjetischer HF-Leistungstransistoren Typ Ucmi U cl.» CcAV M [V] [V] [A] [A] IW- Pu« [K/W] [W] fr Pom [MHz] [W] v P Bemer f.w [MHzj [dB] kungen	OCR Scan	KT610A KT610S KT61IIA-2 T610B-2 KT904A KT904B KT907A KT904E T911A KT920A KT920B KT930A KT925b kt904 KT911A KT925A	PDF
Funkamateur Abstract: SF128 sf126 SSY20 SU161 SF136 SF137 sf359 132 gd 120 sf358 Text: Funkam ateur-Tabeilen Halbleiter-Bauelemente aus der DDR-Produktion 1980 Typ P« mW [W] UcBO V U ceO Ic [ U c e r ] mA V [A] hin Bei UCE und Ic mA V [A] MHz Silizium-NF-Transistoren 200 SC 206 SC 207 200 sc 236 200 sc 237 200 200 sc 238 sc 239 200 Silizium-HF-Transistoren	OCR Scan	il21E Funkamateur SF128 sf126 SSY20 SU161 SF136 SF137 sf359 132 gd 120 sf358	PDF
KT920B Abstract: KT920A KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 kt 501 920B4 920a BT320 Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation KT 920 Silizium-npn-HF-Leistungstransistor in Epitaxie-Planar-Technologie TGL 35407 Hersteller: UdSSR Kurzcharakteristik Grenzwerte Param eter Bedingungen Typ K u rzzeichen K ollektor/B asis-S pannung1 UcBO U CER K o llek to r/E m itter-S p an n u n g 1(R aE s 100 fi)	OCR Scan	175MHz KT920B KT920A KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 kt 501 920B4 920a BT320	PDF
BFQ transistors Abstract: BFQ transistors 98 BFQ 58 BFQ57 BFQ196 bfq58 b20200 bfq59 siemens 350 98 5925B Text: T-3 I"Oí SIE M EN S A K T I E N G E S E L L S C H A F 47E D • ñ 2 3 S bQ S G Ü 5 b 57 ô 2 « S I E G HF-Bipolar-Transistoren / RF Bipolar Transistors Metal Ceramic Package NPN ID (II B B □ B □ 'c P,o. h V mA mW GHz dB BFQ 57 BFQ 58 16 16 35 30	OCR Scan	fi23SbQS GD5b57fl O-117 BFQ transistors BFQ transistors 98 BFQ 58 BFQ57 BFQ196 bfq58 b20200 bfq59 siemens 350 98 5925B	PDF
SSY20 Abstract: SF828 VEB mikroelektronik funkamateur BUX 127 SF126 SF 127 SF128 SF826 SF 829 B Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation DDR-SiliziumTransistoren Typenübersicht Si-Transistoren des VEB Kombinat Mikroelektronik Grenzdaten Zonen Vorzugs anwendungen2 folge P,o, [mW, W ] Typ1 Kenndaten UcBO U ceO T • T * 1C , ACsat [V] [V] [mA, (A)] fiT3	OCR Scan		PDF
BF259 Abstract: bf 233 BF257 BF 235 BF258 BF258-BF259 bf 258 bf 236 A1233 Text: Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: Video-Endstufen in Schwarz-Weiß- und Farb-FS-Empfängern. Schaltungen mit hoher Betriebsspannung Applications: Video power stages in black and white and colour TV receivers.	OCR Scan		PDF
c 337 25 Abstract: NPN 337 bc 170 c BC 337 bc 170 BC338 bc337 bc 338 npn bc 337 AF200 Text: BC 337 * BC 338 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-NF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar AF Transistors Anwendungen: T reiber und Endstufen Applications: D river and p o w e r stages Features: Besondere Merkmale: • Verlustleistung 625 mW • In G ruppen so rtie rt	OCR Scan		PDF
Transistoren DDR Abstract: service-mitteilungen stassfurt VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN Servicemitteilungen service mitteilung luxomat ddr veb "service-mitteilungen" netzteil veb Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D FER N S E H E N r a d i o -television AUSGABE: 9/72 DATUM: Okt. 1972 Ersatzteilversorgung für das teiltransistorisierte SW/FS-Gerät "Luxomat" vom VEB FSGW Staßfurt Der bereits mit SERVICE-MITTEILUNG, Ausgabe 3/72»angekündigte Fern	OCR Scan	Schichtdrehwiderst540 61-cm-Bildr Transistoren DDR service-mitteilungen stassfurt VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN Servicemitteilungen service mitteilung luxomat ddr veb "service-mitteilungen" netzteil veb	PDF
TESLA BP 4651 Abstract: tesla bm 388e TESLA TESLA BM 429 4090 dm hf nu bp 4490 BM 445E BP4650 tesla transistoren TESLA BS 488 ELEKTROMAGNET MIT STABILISIERTEM Text: Fertigungssortiment ELEKTRONISCHE MESSGERÄTE ELEKTRONENMIKROSKOPE NMR SPEKTROMETER EINHEITLICHE KLASSIFIKATION: FACHGEBIET391 TESLA BRNO NATIONALUNTERNEHMEN INHALT 39111 - ELEKTRONISCHE MESSGERÄTE FÜR SPANNUNGEN UND ABGELEITETE GROSSEN K L A S S IF IK A T IO N	OCR Scan	FACHGEBIET391 TESLA BP 4651 tesla bm 388e TESLA TESLA BM 429 4090 dm hf nu bp 4490 BM 445E BP4650 tesla transistoren TESLA BS 488 ELEKTROMAGNET MIT STABILISIERTEM	PDF

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