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    IR 409 K Search Results

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    IR 409 K Price and Stock

    Infineon Technologies AG AUIRFB8409XKMA1

    Infineon MOSFET_(20V 40V)
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    Mouser Electronics AUIRFB8409XKMA1
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    IR 409 K Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    TYP 513 309

    Abstract: Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860 SFH409 IR 409 K
    Text: SFH 409 SFH 409 fex06250 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit


    Original
    PDF fex06250 TYP 513 309 Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860 SFH409 IR 409 K

    IR 409 K

    Abstract: SFH 409 SFH 487 Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860 DIODE 409
    Text: SFH 409 SFH 409 fex06250 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit


    Original
    PDF fex06250 IR 409 K SFH 409 SFH 487 Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860 DIODE 409

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 3.5 29 27 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 4.1 3.9 6.3 5.9 0.6 0.4 Chip position Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487, SFH 4391) fex06250 5.2


    Original
    PDF fex06250 GEX06250 OHR00865 OHR01887

    Q62702-P1001

    Abstract: GEX06250 Q62702-P1002 Q62702-P860
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 0.7 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.8 0.4 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode SFH 409 Anode (SFH 487) (3.5) Chip position 0.6 0.4 GEX06250 fex06250 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.3 g


    Original
    PDF GEX06250 fex06250 OHR00865 OHR01887 Q62702-P1001 GEX06250 Q62702-P1002 Q62702-P860

    GEX06250

    Abstract: OHLY0598
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


    Original
    PDF

    GEXY6250

    Abstract: Q62702-P1002 Q62702-P860
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487


    Original
    PDF

    SFH 409 SFH 487

    Abstract: OPTOKOPPLER p1002 sensor Q62702-P1002 Q62702-P860 GEX06250 SFH409
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487


    Original
    PDF OHR01887 GEX06250 SFH 409 SFH 487 OPTOKOPPLER p1002 sensor Q62702-P1002 Q62702-P860 GEX06250 SFH409

    GEX06250

    Abstract: OHLY0598 SFH 409 SFH 487
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


    Original
    PDF

    GEX06250

    Abstract: OHLY0598 409 marking
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


    Original
    PDF

    osram sfh 309

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


    Original
    PDF

    GEX06250

    Abstract: Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487


    Original
    PDF OHR01887 GEX06250 GEX06250 Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487


    Original
    PDF GEXY6250

    409 marking

    Abstract: osram sfh 309
    Text: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409 Features: • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Same package as SFH 309, SFH 487


    Original
    PDF D-93055 409 marking osram sfh 309

    SFH 200 optokoppler

    Abstract: GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
    Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409


    Original
    PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409


    Original
    PDF GEXY6250

    OPTOKOPPLER

    Abstract: SFH 200 optokoppler GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
    Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409


    Original
    PDF GEXY6250 OPTOKOPPLER SFH 200 optokoppler GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174

    optokoppler

    Abstract: GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174 Q62703Q2174
    Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409


    Original
    PDF GEXY6250 optokoppler GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174 Q62703Q2174

    GEX06250

    Abstract: SFH 409 SFH 487 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
    Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Area not flat 0.7 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.8 0.4 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487) 0.6 0.4 (3.5) Chip position GEX06250 fex06250 2.54 mm spacing


    Original
    PDF 880nm) GEX06250 fex06250 OHR00881 OHR00880 OHR00886 OHR00949 GEX06250 SFH 409 SFH 487 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat Chip position -Cathode SFH 409 Anode (SFH 487, SFH 4391) O in C\J (O o X 0) G EX06250 M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale


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    PDF EX06250

    ls 487

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 4.0 3.6 0iffei 5 2 9 - ^ 6.3 27 5.9 ^ C a th o d e S F H 409 Anode (SFH 487) — (3.5) Chip position . _0.6 ,.v^ V 0.4 GEX06250 Approx. weight 0.3 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


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    PDF GEX06250 ls 487

    sfh 309 fr

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 A rea not tla t\ 0.6 0 .4 o :ö 1.8 3 .5 Chip position T i -29— 27 -C a th o d e (S FN Anode (S FH - I 6 .3 5 .9 409) 487) A p p ro x. weight 0 .3 g M a ß e in m m , w e n n n ic h t a n d e rs a n g e g e b e n /D im e n s io n s in m m , u n le s s o th e rw is e s p e c ifie d .


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    PDF

    sfh 309 fr

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEM EN S GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Area not flat* M f 0 .4 oo^ öö V 4.1 I—-3 .9 § .? !_ 4.0 3.6 -ífeÆ sa o -r Mw , 3.5 I Chip positio n X m 0 .4 — 29— 27 C athode=SFH 409 Anode =SFH487 A p p ro x. w e ig h t 0 .3 g


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    PDF SFH487 950nmK 023Sb05 sfh 309 fr

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 4 T H IS D R A W IN G IS 3 U N P U B L IS H E D . RELEASED FO R ALL 2 P U B L IC A T IO N R IG H TS R E V IS IO N S RESERVED. 50 C O P Y R IG H T LTR D E S C R IP T IO N P2 .409 TOTAL W IR E S IZ E SLOT H O U S IN G .0 3 2 + .001 x . 2 5 0 N S U LATI O N HOUSING: NYLON, C O L O R - B L A C K


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    PDF 11MAR1

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 4 T H IS D R A W IN G IS U N P U B L IS H E D . R ELEAS ED FO R ALL C O P Y R IG H T 2 3 P U B L IC A T IO N R IG H TS REVISIONS RESERVED. 50 - D E S C R IP T IO N L1 R E V IS E D PER DWN -004820 ECO- APVD RK HMR 1 MAR1 D D .409 TOTAL MATES 2 W IR E 3 IN S U L A T IO N


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    PDF 11MAR11