TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111
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GEMY6050
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Q65110A6342
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
fototransistor BPW 39
SFH415U
sidelooker smd DIODE
transistor smd 3401
SFH 4740
LPT80
BPY62
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Q62703-Q1093
Abstract: Q62703-Q1092 Q62703-Q1547 Q62703-Q1755 Q62703-Q1756 of max 485 SFH 340
Text: SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 fex06305 fex06271 GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
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fex06305
fex06271
Q62703-Q1093
Q62703-Q1092
Q62703-Q1547
Q62703-Q1755
Q62703-Q1756
of max 485
SFH 340
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osram ir ld 274
Abstract: IR photodetectors design opto interrupter SFH 250 sfh diode sfh203
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2010-11-29 GaAlAs Infrared Emitters 880 nm GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 484 Features: • • • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability UL version available Spectral match with silicon photodetectors
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D-93055
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Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2010-11-29 GaAlAs Infrared Emitters 880 nm GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 484 Features: • • • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability UL version available Spectral match with silicon photodetectors
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D-93055
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Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)
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GEXY6271
GEXY6305
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Q62703-Q1756
Abstract: Q62703-Q1092 Q62703-Q1093 Q62703-Q1547 4842 sfh484
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)
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GEX06271
GEX06305
Q62703-Q1756
Q62703-Q1092
Q62703-Q1093
Q62703-Q1547
4842
sfh484
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Q62703-Q1092
Abstract: Q62703-Q1093 Q62703-Q1547 Q62703-Q1756 4842 sfh203
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)
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Q62703-Q1092
Abstract: Q62703-Q1093 Q62703-Q1547 Q62703-Q1756
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)
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fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
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EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
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osram ir ld 274
Abstract: E9548 Q65110A1434
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
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E9548
Abstract: Q65110A1434
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
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Q62703-Q1756
Abstract: marking 55 485 DSA0051095 SFH 340 GEX06271 GEX06305 Q62703-Q1092 Q62703-Q1093 Q62703-Q1547 Q62703-Q1755
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 Area not flat Cathode 5.9 5.5 0.6 0.4 5.7 5.1 fex06271 1.8 1.2 29 27 9.0 8.2 7.8 7.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.5 0.6 0.4 Chip position GEX06271 Approx. weight 0.5 g
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fex06271
GEX06271
fex06305
GEX06305
OHR00949
OHR01892
Q62703-Q1756
marking 55 485
DSA0051095
SFH 340
GEX06271
GEX06305
Q62703-Q1092
Q62703-Q1093
Q62703-Q1547
Q62703-Q1755
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Q62703Q1820
Abstract: Q62703Q5195 20MS Q62702-Q1745
Text: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS 3. Emitter im Plastikgehäuse Package T 1¾ λpeak 3. Emitters in Plastic Package ϕ deg. Ie VF nm mW/sr V IRL 81 A 880 ± 25 ≥ 1.0 1.5 SFH 484 SFH 484-2 880 ±8 ≥ 50 ≥ 80 SFH 486 880 ± 11 SFH 485-2 880 SFH 487
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Q68000-A8000
Q62703-Q1092
Q62703-Q1756
Q62703-Q1094
Q62703-Q1547
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
Q62702-P5524
Q62702-P5525
Q62702-P5526
Q62703Q1820
Q62703Q5195
20MS
Q62702-Q1745
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4842
Abstract: 16ctg
Text: SENSITRON SEMICONDUCTOR FEP16AT-G-FEP16JT -G Green Products TECHNICAL DATA DATA SHEET 4842,REV.- FEP16AT-G-FEP16JT-G ULTRAFAST PLASTIC RECTIFIER Mechanical Data • Case: JEDEC TO-220AB molded plastic body over passivated chips • Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026
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FEP16AT-G-FEP16JT
FEP16AT-G-FEP16JT-G
O-220AB
MIL-STD-750,
4842
16ctg
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 Area not flat 9-0 Cathode Chip position Approx. weight 0.5 Area not fla t Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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SFH484
SFH485
m1000
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SFH415T
Abstract: SFH415U Q62703-Q1546 SFH415-T sfh 487-2 Q62703-Q1762
Text: IR-Lumineszenzdioden Gehäuse/Package Infrared Emitters h Type deg. Bestellnummer Ordering code mW/sr 1.3 im SMT-Gehäuse /-peak = 950 nm VF = 1,3 V ( / F = 100 mA) ♦ 8 1.3 in SMT-package (>ipeak = 950 nm) VF = 1.3 V ( / F = 100 mA) SFH420 SFH420-N ±60
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Q62702-P1690
Q62702-P1132
SFH420
SFH420-N
SFH425
Q62702-P330
SFH415
SFH415-S"
SFH415-T
SFH415-U
SFH415T
SFH415U
Q62703-Q1546
sfh 487-2
Q62703-Q1762
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SFH 485-2
Abstract: No abstract text available
Text: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 A rea not flat • ■ Cathode GEX06271 Approx. weight 0.5 g Area not flat 9.0 Cathode 8.2 CO I LO oo E 05 7.8 7.5 Js«_ 'S LO Q C\J LO t T Q Q CO 1.5 4.8 4.2 29
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GEX06271
GEX06305
SFH484
SFH 485-2
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wavelength of sfh484
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 Area not flat ,-c # #*• 1 ^ C\J (O o GEX06271 Area not flat Cathode 5.9 5.5 W 0.6 *04 in o CO (O o X 0) GEX06305 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GEX06271
GEX06305
OHR01891
SFH484
wavelength of sfh484
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485AP
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) A p p ro x. A p p ro x. w e ig h t 0 .5 w e ig h t 0 .5 SFH 484 SFH 485 g g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkm ale
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4842B
Abstract: 4042
Text: COS/MOS INTEGRATED CIRCUIT R 4 ° 4iL5 h c c /h c f 4842B Q U A D C LO CK ED " D " LATCH • • • • • • • • • • C L O C K ^ O L A R IT Y C O NTRO L Q A N D Q OUTPUTS COMMON CLO CK LOW POWER T T L C O M PATIBLE S T A N D A R D IZ E D S Y M M E T R IC A L O U TPU T C H A R A C T E R IS T IC S
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4842B
4842B
4042
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 1 I l 8 lE0 rS ‘o n REV. e N iM V ü Q ^ # a a A o ( -y v DESIGNATION fcf> M •+>£ ) X I NO. ñ 5 D E S C R IP T IO N 1 5.Apr.1998 41929 ADDED 2.JU 1.2001 48424 R E V IS E D 2O.D0o.2OO2 51162 REDRAW N ±0. 3 (DIMENSION OF SPACING BETWEEN HOOK PIN) DON
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T35W
Abstract: transistor kt 606A 65e9 transistor sr 6863 D 2SC965 CS9011 sr1k diode KT850 TRANSISTOR st25a transistor 130001 8d
Text: NEW PRODUCTS BULLETIN SINGLE-ENDED MOLDED BRIDGES Fig. 1 International Rectifier expands its quality line of highly reliable molded \ bridges with the new 10DB series of 1 amp full-wave silicon bridge rectifiers. The single-ended, in-line configuration is suitable for PC board applications,
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10DB2P
10DB4P
10DB6P
180B6A
T35W
transistor kt 606A
65e9 transistor
sr 6863 D
2SC965
CS9011
sr1k diode
KT850
TRANSISTOR st25a
transistor 130001 8d
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