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ISS193 Abstract: ISS193 F3 marking f3 sot-23 1SS193 Text: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes 1SS193 Switching DIODES SOT-23 FEATURES y Low forward voltage : VF 3 =0.9V(typ.) y Fast reverse recovery time : trr=1.6ns(typ.) 1. ANODE MARKING: F3 2. N.C. 3. CATHODE Maximum Ratings @TA=25℃	Original	PDF	OT-23 1SS193 OT-23 100mA ISS193 ISS193 ISS193 F3 marking f3 sot-23 1SS193
mg75n2ys40 Abstract: 2N3055 TOSHIBA mg150n2ys40 TLR103 TOSHIBA 2N3055 MG15N6ES42 2SK150A TOSHIBA MG150N2YS40 2sk270a S2530A Text: 小信号ダイオード SMD ● 当社は品質､信頼性の向上に努めておりますが､一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります｡当社半導体製品をご使用いただく場合は､半導体製品の誤作動や故障により､生命･身体･財産が侵害されることのないように､購入	Original	PDF	050106DAA1 YTF842 2SK2387 YTF441 2SK2149 YTF613 2SK2381 YTF843 YTF442 mg75n2ys40 2N3055 TOSHIBA mg150n2ys40 TLR103 TOSHIBA 2N3055 MG15N6ES42 2SK150A TOSHIBA MG150N2YS40 2sk270a S2530A

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ISS193

Abstract: ISS193 F3 marking f3 sot-23 1SS193
Text: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes 1SS193 Switching DIODES SOT-23 FEATURES y Low forward voltage : VF 3 =0.9V(typ.) y Fast reverse recovery time : trr=1.6ns(typ.) 1. ANODE MARKING: F3 2. N.C. 3. CATHODE Maximum Ratings @TA=25℃

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OT-23 1SS193 OT-23 100mA ISS193 ISS193 ISS193 F3 marking f3 sot-23 1SS193

mg75n2ys40

Abstract: 2N3055 TOSHIBA mg150n2ys40 TLR103 TOSHIBA 2N3055 MG15N6ES42 2SK150A TOSHIBA MG150N2YS40 2sk270a S2530A
Text: 小信号ダイオード SMD ● 当社は品質､信頼性の向上に努めておりますが､一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります｡当社半導体製品をご使用いただく場合は､半導体製品の誤作動や故障により､生命･身体･財産が侵害されることのないように､購入

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050106DAA1 YTF842 2SK2387 YTF441 2SK2149 YTF613 2SK2381 YTF843 YTF442 mg75n2ys40 2N3055 TOSHIBA mg150n2ys40 TLR103 TOSHIBA 2N3055 MG15N6ES42 2SK150A TOSHIBA MG150N2YS40 2sk270a S2530A