CPH5809
Abstract: MCH3411 SBS005
Text: 注文コード No. N 7 2 6 7 CPH5809 三洋半導体データシート N MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5809 特長 DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の N チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間
|
Original
|
CPH5809
CPH5809
MCH3411
SBS005
600mm2
IT00627
IT04655
IT04640
IT00630
MCH3411
SBS005
|
PDF
|
CPH5839
Abstract: MCH3409 SBS005 MARKING X.R
Text: CPH5839 Ordering number : ENN8181 CPH5839 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a N-Channel Sillicon MOSFET MCH3409 and a schottky barrier diode (SBS005)
|
Original
|
CPH5839
ENN8181
MCH3409)
SBS005)
CPH5839
MCH3409
SBS005
MARKING X.R
|
PDF
|
CPH5801
Abstract: 2SK3119 SBS005 TA-2491
Text: Ordering number:EN6427 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5801 DC/DC Converter Applications Package Dimensions unit:mm 2171 [CPH5801] 2.9 0.15 0.2 4 3 0.6 5 0.05 2.8 1.6 • The CPH5801 composite device consists of following two devices to facilitate high-density mounting.
|
Original
|
EN6427
CPH5801
CPH5801]
CPH5801
2SK3119
SBS005,
SBS005
TA-2491
|
PDF
|
SBS005
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number:ENN6273 Schottky Barrier Diode SBS005 30V, 1A Rectifier Applications Package Dimensions • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit:mm 1293 [SBS005] 2.9 · Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.40V) (IF=1.0A, VF max=0.47V).
|
Original
|
ENN6273
SBS005
SBS005]
SBS005applied
SBS005
|
PDF
|
SBS005
Abstract: SBS805
Text: Ordering number : ENN6944A SBS805 Schottky Barrier Diode SBS805 30V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1294 • 3 0.4 0.4 1 0.05 2 0.95 0.7 4 2.8 1.6 1 Electrical Connection
|
Original
|
ENN6944A
SBS805
SBS805
SBS005.
SBS805]
SBS005
|
PDF
|
CPH5839
Abstract: MCH3409 SBS005 81812
Text: CPH5839 注文コード No. N 8 1 8 1 三洋半導体データシート N CPH5839 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
|
Original
|
CPH5839
MCH3409)
SBS005)
600mm2
11205PE
TB-00001085
DS360°
IT00629
CPH5839
MCH3409
SBS005
81812
|
PDF
|
SBS005
Abstract: SBS805
Text: SBS805 Ordering number : ENN6944B SBS805 Schottky Barrier Diode 30V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • • Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.40V) (IF=1.0A, VF max=0.47V).
|
Original
|
SBS805
ENN6944B
SBS805
SBS005.
SBS005
|
PDF
|
CPH5809
Abstract: MCH3411 SBS005
Text: Ordering number : ENN7267 CPH5809 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5809 DC / DC Converter Applications Preliminary • Package Dimensions 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5809] 2.9 0.05 2.8 The CPH5809 composite device consists of followunit : mm
|
Original
|
ENN7267
CPH5809
CPH5809]
CPH5809
MCH3411
SBS005,
SBS005
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6944 SBS805-TL Schottky Barrier Diode SBS805-TL 30V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1294 • 3 0.4 0.4 1 0.05 2 0.95 0.7 4 2.8 1.6 1
|
Original
|
ENN6944
SBS805-TL
SBS805-TL
SBS005.
SBS805-TL]
|
PDF
|
62732
Abstract: SBS005 62731
Text: 注文コード No. N 6 2 7 3 SBS005 No. 6 2 7 3 三洋半導体ニューズ 62599 新 SBS005 ショットキバリアダイオード 30V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。
|
Original
|
SBS005
100mA,
600mm2
Duty10%
IT00629
IT00627
IT00630
IT00631
62732
SBS005
62731
|
PDF
|
SBS005
Abstract: SBS805 TA-3239 3239 ir 30V1A
Text: SBS805 注文コード No. N 6 9 4 4 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N6944A とさしかえてください。 SBS805 ショットキバリアダイオード 30V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
|
Original
|
SBS805
N6944A
SBS005
100mA,
600mm2
22505SB
IT00629
IT00630
SBS005
SBS805
TA-3239
3239 ir
30V1A
|
PDF
|
2SK3119
Abstract: CPH5801 IT01081 SBS005 TA-2491
Text: 注文コード No. N 6 4 2 7 CPH5801 No. N 6 4 2 7 N1999 新 CPH5801 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の N チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間
|
Original
|
CPH5801
N1999
CPH5801
2SK3119
SBS005
600mm2
IT00628
IT00627
IT01084
2SK3119
IT01081
SBS005
TA-2491
|
PDF
|
CPH5809
Abstract: MCH3411 SBS005
Text: 注文コード No. N 7 2 6 7 CPH5809 No. N 7 2 6 7 83002 新 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5809 特長 DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の N チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間
|
Original
|
CPH5809
CPH5809
MCH3411
SBS005
600mm2
IT00627
IT04655
IT04640
IT00630
MCH3411
SBS005
|
PDF
|