SBS004M
Abstract: marking SA
Text: Ordering number : ENN6907 SBS004M Schottky Barrier Diode SBS004M 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305 0.15 1 2.1 3 1.6 • 0.3 Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.35V)
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Original
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ENN6907
SBS004M
SBS004M]
SBS004M
marking SA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6907 SBS004M Schottky Barrier Diode SBS004M 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305 0.15 1 2.1 3 1.6 • 0.3 Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.35V)
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Original
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ENN6907
SBS004M
SBS004M]
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VEC2801
Abstract: marking BL
Text: VEC2801 Ordering number : EN9078 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2801 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features The best suited for DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
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Original
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VEC2801
EN9078
VEC2801
marking BL
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VEC2801
Abstract: No abstract text available
Text: 注文コード No. N 9 0 7 8 VEC2801 三洋半導体データシート N VEC2801 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用途に最適。
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Original
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VEC2801
900mm2
61009PE
TC-00001990
IT02958
IT02957
IT02960
IT00636
VEC2801
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W503
Abstract: D2502 mosfet FW503 D2502 MCH3306 SBS004 TA 73121
Text: 注文コード No. N 7 3 1 2 FW503 三洋半導体データシート N MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード FW503 特長 DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗超高速スイッチング、低電圧駆動の P チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間が
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Original
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FW503
FW503
MCH3306
SBS004
2000mm2
IT02958
IT02957
IT02959
IT02960
W503
D2502 mosfet
D2502
MCH3306
SBS004
TA 73121
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TA-3102
Abstract: N6907 SBS004M
Text: 注文コード No. N 6 9 0 7 SBS004M No. N6907 21001 新 SBS004M ショットキバリアダイオード 15V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい
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Original
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SBS004M
N6907
35VIF
100mA,
600mm2
IT02958
IT02957
IT02959
IT02960
TA-3102
N6907
SBS004M
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w503
Abstract: D2502 FW503 MCH3306 SBS004 Schottky Barrier 3A ENN7312
Text: Ordering number : ENN7312 FW503 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode FW503 DC / DC Converter Applications Composite type with a low ON-resistance, ultrahighunit : mm speed switching, low voltage drive, P-channel 2210 MOSFET and a short reverse recovery time, low
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Original
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ENN7312
FW503
FW503
MCH3306
SBS004
FW503]
w503
D2502
Schottky Barrier 3A
ENN7312
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