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transistor 2sc2909 Abstract: 2SA1207 2SC2909 778D N778 Text: 注文コード No.N 7 7 8 E 2SA1207 / 2SC2909 No. N778E O0899 半導体ニューズ No.778A ’ 87 - 88 データブック個別半導体素子トランジスタ編 No.778D とさしかえてください。 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ	Original	2SA1207 2SC2909 N778E O0899 AF60W 2SA1207 ITR03001 transistor 2sc2909 2SC2909 778D N778	PDF
2SA1207 Abstract: 2SC2909 ITR02989 Text: Ordering number:ENN778F PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1207/2SC2909 High-Voltage Switching AF 60W Predriver Applications Features Package Dimensions • Adoption of FBET process. · High breakdown voltage. · Excellent linearity of hFE and small Cob.	Original	ENN778F 2SA1207/2SC2909 2003B 2SA1207/2SC2909] 2SA1207 2SA1207 2SC2909 ITR02989	PDF

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transistor 2sc2909

Abstract: 2SA1207 2SC2909 778D N778
Text: 注文コード No.N 7 7 8 E 2SA1207 / 2SC2909 No. N778E O0899 半導体ニューズ No.778A ’ 87 - 88 データブック個別半導体素子トランジスタ編 No.778D とさしかえてください。 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ

Original

2SA1207 2SC2909 N778E O0899 AF60W 2SA1207 ITR03001 transistor 2sc2909 2SC2909 778D N778

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2SA1207

Abstract: 2SC2909 ITR02989
Text: Ordering number:ENN778F PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1207/2SC2909 High-Voltage Switching AF 60W Predriver Applications Features Package Dimensions • Adoption of FBET process. · High breakdown voltage. · Excellent linearity of hFE and small Cob.

Original

ENN778F 2SA1207/2SC2909 2003B 2SA1207/2SC2909] 2SA1207 2SA1207 2SC2909 ITR02989

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