diode E1110
Abstract: lN4002 LN4003 ANA 618 20010 TDB 0123 km b3170 E1110 Diode UB8560D MAA723 moc 2030
Text: elektronik-bauelem ente I WT VD AVL 1 /8 7 Bl. 2 E r l ä u t e r u n g e n z u m I n h a l t und zu d e n A n g a b e n d e r B a u e l e m e n t e - V e r g l e i c h s l i s t e D ie B a u e l e m e n t e - V e r g l e i c h s l i s t e e n t h ä l t a l l e in d e r B i l a n z v e r a n t w o r t u n g d e s V E B K o m b i n a t
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Abstract: No abstract text available
Text: 0 U p 0 T e c h n i s c h e In f o r m a t io n / T e c h n ic a l In f o r m a t io n £ £ £ £ . C B S M 1 0 0 G D 1 2 0 D L C vorläufige Daten preliminary data H öchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
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100GD120DLC
BSM100GD120DLC
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Eupec bsm 25 gb 120
Abstract: No abstract text available
Text: eu p ec Technische Information / Technical Information BSM 50 GB 60 DLC «£££. vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte Elektrische Eigenschaften / Maximum rated values / Electrical properties K o lle k to r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g
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Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / eupec Technical Information BSM25GD120DLCE3224 lü B T - M o d u le s vorläufige Daten preliminary data H öchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties K o lle kto r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g
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BSM25GD120DLCE3224
BSM25GD120DLC-E3224
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Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1600 R 12 KL4C vorläufige Daten preliminary data H öchstzulässige W erte / M axim um rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties K o lle kto r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g
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FZ1600R12KL4C
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Abstract: No abstract text available
Text: e u DEC Technische Information / Technical Information !Ü£££. FZ 1600 R 17 KF6 B2 Hfvb vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte Elektrisch e Eigensch aften / Maximum rated values / Electrical p ro p erties K o lle k to r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g
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FZ166B
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Abstract: No abstract text available
Text: eu Technische Information / Technical Information FD 600 R 17 KF6 B2 !Ü £ £ £ . DEC H fvb vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte Elektrische Eigenschaften / Maximum rated values / Electrical properties K o lle k to r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g
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Abstract: No abstract text available
Text: e u DEC Technische Information / Technical Information !Ü£££. FF 400 R 17 KF6 B2 Hfvb vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte Elektrische Eigenschaften / Maximum rated values /Electrical properties K o lle k to r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g
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FF46B2@
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Abstract: No abstract text available
Text: e u DEC Technische Information / Technical Information !Ü£££. FF 800 R 17 KF6 B2 Hfvb vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte Elektrische Eigenschaften / Maximum rated values /Electrical properties K o lle k to r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g
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FF86B2@
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Abstract: No abstract text available
Text: eu Technische Information / Technical Information FD 800 R 17 KF6 B2 !Ü £ £ £ . DEC H fvb vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte Elektrische Eigenschaften / Maximum rated values / Electrical properties K o lle k to r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g
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LVJ DIODE
Abstract: No abstract text available
Text: e u DEC Technische Information / Technical Information !Ü£££. FF 600 R 17 KF6 B2 Hfvb vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte Elektrisch e Eigensch aften / / Maximum rated values Electrical p ro p erties K o lle k to r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g
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FF66B2@
LVJ DIODE
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2SD1624
Abstract: u 5601 2SB1124
Text: Ordering num ber: EN 2019A 2SB1124/2SD1624 NO.2019A SA VYÖ PN P/N PN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications Applications . Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. Features . Adoption of FBIT, MBIT processes.
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2SB1124/2SD1624
2SB1124
250mm
35M-0
2SD1624
u 5601
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Eupec BSM
Abstract: No abstract text available
Text: Technische In form atio n /T ech n ical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 50 GD 60 DLC vorläu fige Daten p relim inary data H ö ch stzu lässig e W erte / M axim um rated values K o lle k to r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g VcES 600 V T c = 8 0 °C
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Eupec BSM
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 30 GD 60 DLC E3224 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values K o lle k to r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g c o lle c to r-e m itte r v o lta g e
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E3224
Eupec BSM
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Eupec BSM
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information/Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 30 GD 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values K o lle k to r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g c o lle c to r-e m itte r v o lta g e
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FZ 800 R 12 KF6
Abstract: No abstract text available
Text: e u DEC Technische Information / Technical Information !Ü£££. FZ 800 R 17 KF6 B2 Hfvb vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte Elektrische Eigenschaften / Maximum rated values /Electrical properties K o lle k to r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g
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FZ86B2@
FZ 800 R 12 KF6
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Text: TOSHIBA 2SD1187 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE S D 2 1 1 8 7 INDUSTRIAL APPLICATIONS Unit in mm HIGH PO W ER SWITCHING APPLICATIONS DC-DC CONVERTER AND DC-AC INVERTER APPLICATIONS / V 15-9MAX. • Low Collector-Emitter Saturation Voltage : V q e sat = 0-5V
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2SD1187
15-9MAX.
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Abstract: No abstract text available
Text: e u DEC Technische Information / Technical Information !Ü£££. FD 400 R 17 KF6 B2 Hfvb vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte E le k tris c h e E ig e n s c h a fte n / / Maximum rated values E le c tric a l p ro p e rtie s K o lle k to r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g
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FD46B2
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B120D
Abstract: No abstract text available
Text: eupec Technische Information / Technical Information ££££. BSM 150G B120D LC vorläufige Daten preliminary data H öchstzulässige W erte Elektrische Eigenschaften / M axim um rated values / Electrical properties K o lle kto r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g
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B120D
BSM150GB120DLC
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Abstract: No abstract text available
Text: e u p e c T e c h n i s c h e In f o r m a t io n / T e c h n ic a l In f o r m a t io n ¡GBT-Modules B S M 15 G D 1 2 0 D L C E3224 vorläufige Daten preliminary data H öchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical
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E3224
BSM15GD120DLC-E3224
BSM15GD120DLC
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Abstract: No abstract text available
Text: eupec Technische Information / Technical Information ££££. BSM 100G B120D LC vorläufige Daten preliminary data H öchstzulässige W erte Elektrische Eigenschaften / M axim um rated values / Electrical properties K o lle kto r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g
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B120D
BSM100GB120DLC
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Abstract: No abstract text available
Text: * ._ f £lv ^ KINGBRIGHT ELECTRONIC \- \v 0.-' • ETE D • za: \ M Æ _ Sn ?D D 4 ^ Ü00007S 5 ■ T - ^ f l - Q . 'S Kingbright Electronic Co., Ltd. Mail Address: P.O.Box 81-153 Taipei, Taiwan
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00007S
L-156
L-156HGW
L-156YGW
L-156EGW
L-156YEW
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1823-01R
Abstract: 2SK1823-01R T151 FA-MT A2260
Text: 2SK1823-01R FUJI POWER MOS-FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET FAP-IIIA SERIES I Features Outline Drawings ►High current ►-ow on-resistance ►slo secondary breakdown ►.ow driving power ►High forward Transconductance ►\valanche-proof ►ncluding G-S Zenner diode
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2SK1823-01R
1823-01R
2SK1823-01R
T151
FA-MT
A2260
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Abstract: No abstract text available
Text: KODENSHI CORP 25E D FZLPIN j PIN PHOTODIODES • S242t,Da OQQQ113 S ■ K HPI-1K1, HPI-1K3B* / ? f-v ? '> -' > z 3 > P \ m ? * b ¥ 4 * - KT*t\> S 8 # & # f f i a * * £ L T l ' i t . HPI-1K1B, j t * ) U ' r - x £ * V - K i S B - t f & f f l L T t ' S t o HPI-1K3B* S ? J l , ! - - * £&%%
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S242t
OQQQ113
Z856KÂ
QODQ114
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