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    SFH485P

    Abstract: OHLPY985
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    Q62703Q0516 720-SFH485P SFH485P OHLPY985 PDF

    osram ir ld 274

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484


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    Q62703Q1031 Q62703Q1819 Q62703Q1820 osram ir ld 274 PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4257 Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung • Schwarz eingefärbtes TOPLED-Gehäuse


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    720-SFH4257-Z 4257-Z PDF

    GPLY6880

    Abstract: sideled OHF04132
    Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255 gemäß OS-PCN-2009-021-A2 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung


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    OS-PCN-2009-021-A2 OS-PCN-2009-021-A2 GPLY6880 sideled OHF04132 PDF

    SFH4249

    Abstract: SFH4248 Q65110A7518 Q65110A7519 ns 4248 4248
    Text: IR-Lumineszenzdiode 940 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4248 SFH 4249 gemäß OS-PCN-2009-021-A2 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 Wesentliche Merkmale Features • • • • • •


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    OS-PCN-2009-021-A2 OS-PCN-2009-021-A2 SFH4249 SFH4248 Q65110A7518 Q65110A7519 ns 4248 4248 PDF

    4580

    Abstract: opto 2505 SFH4585 fotodiod
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR® Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4580 SFH 4585 SFH 4580 SFH 4585 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad


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    720-SFH4580 720-SFH4585-Z 4585-Z 4580 opto 2505 SFH4585 fotodiod PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    Q62703Q0516 PDF

    GPL06899

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 4281 Wesentliche Merkmale • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ιe = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4250 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung


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    4510

    Abstract: d 4515 GEOY6960 GEOY6968 OHRD1938 Q62702-P1798 Q62702-P1821
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm in SMR Gehäuse GaAs Infrared Emitters (950 nm) in SMR® Package SFH 4510 SFH 4515 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR® (Surface Mount Radial) Gehäuse


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    BPX osram

    Abstract: Q62703-Q72 GEOY6367 OHRD1938 Q62703-Q70 Q62703-Q71
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 262 … LD 264 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 80-Serie Miniatur-Gehäuse


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    80-Serie BPX osram Q62703-Q72 GEOY6367 OHRD1938 Q62703-Q70 Q62703-Q71 PDF

    C1406

    Abstract: No abstract text available
    Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 632 nm InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (632 nm) F 0280D Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 632 nm Technologie:InGaAIP


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    0280D C1406 PDF

    SFH 485-2

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 A rea not flat • ■ Cathode GEX06271 Approx. weight 0.5 g Area not flat 9.0 Cathode 8.2 CO I LO oo E 05 7.8 7.5 Js«_ 'S LO Q C\J LO t T Q Q CO 1.5 4.8 4.2 29


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    GEX06271 GEX06305 SFH484 SFH 485-2 PDF

    GE006367

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 260 LD 262 . LD 269 Chip 2.54 mm spacing GE006367 Cathode LD 263 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features


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    GE006367 80-Serie LD260 GE006367 PDF

    ls 487

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 4.0 3.6 0iffei 5 2 9 - ^ 6.3 27 5.9 ^ C a th o d e S F H 409 Anode (SFH 487) — (3.5) Chip position . _0.6 ,.v^ V 0.4 GEX06250 Approx. weight 0.3 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


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    GEX06250 ls 487 PDF

    JE800

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEM ENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAIAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 0.1 typ CM h* CO 0.18 0.12 Cathode/Collector marking O I Q. 0.4 SFH 4290 Cathode/Collector GPL06724 Collector Emitter GPLQ6880


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    GPL06724 GPLQ6880 OHF00360 JE800 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAIAs Infrared Emitter SFH 4391 Vorläufige Daten / Preliminary Data Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Hohe Pulsleistung sowie hoher Gesamtstrah­


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    LD271 IR LED

    Abstract: LD271 APPLICATIONS IR LD271 siemens LD
    Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 5.9 5.5 0.6 0.4 GEX06239 Approx. weight 0.5 g Cathode 5.9 5.5 OO T— ¡a 0.6 0.4 Area not flat GE006645 Chip position Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


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    GEX06239 GE006645 Ie100 LD271, LD271 IR LED LD271 APPLICATIONS IR LD271 siemens LD PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package S ho 2.1 1.7 0.1 typ SFH 420 SFH 425 CL 0.9 0.7 •y0.\8my J Cathode/Colledor marking 0.12 / m|0.6 0.4 Cathode/Colledor Approx. weight 0.03 g Collector/Cathode marking


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    I03ff. 169ff. PDF

    5mmled

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAIAs Infrared Emitter SFH 4591 SFH 4592 M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Hohe Pulsleistung sowie hoher Gesamtstrahlungsfluß Oe


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    100mA OHF00365 OHR00397 5mmled PDF

    SIEMENS sr 460

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter SFH 460 Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuse­ boden verbunden • Sehr hoher Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit


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    450k/W SIEMENS sr 460 PDF

    Q62702-P5072

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs-lnfrared Emitter (Mini Sidelooker) SFH 4110 Vorläufige Daten / Preliminary Data Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features •


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    3100F 3100F SFH4110 Q62702-P5072 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Gute Linearität /e = /[/p ] bei hohen Strömen • Sehr hoher Wirkungsgrad


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    fl235b05 0DS7717 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 405 1.1 5 , 0 .9 0 0 .5 0 .4 2 .5 4 m m s p a c in g \C a th o d e 1 D e t a c h in g f la s h area n o t tr u e GE006317 f o r to o ls , to s iz e . A p p r o x . w e ig h t 0 .0 2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


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    GE006317 535fciQ5 6235fci05 PDF