BPX osram
Abstract: GMOY6011 BPX61
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5) • Especially suitable for applications from 400 nm
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Original
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Q62705-P25
BPX osram
GMOY6011
BPX61
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FSR Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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Original
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D-93055
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 S BPW 34 S Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
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Original
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D-93055
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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Original
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D-93055
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 BPW 34 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
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Original
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D-93055
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GEOY6422
Abstract: Q62702-P273
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm Kurze Schaltzeit typ. 20 ns 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
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Original
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p945
Abstract: p945 transistor transistor P945 GEOY6643 Q62702-P945
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity BPW 34 B Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 25 ns
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Original
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BPW34S
Abstract: E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 S8050
Text: feo06643 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT and as Reverse Gullwing
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Original
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feo06643
E9087)
GEO06643
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
BPW34S
E9087
GEO06643
GEO06863
GEO06916
Q62702-P1602
Q62702-P1790
Q62702-P73
S8050
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bpw 104
Abstract: C 34 f
Text: Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPW 34 F, BPW 34 FS, BPW 34 FS (R18R) BPW 34 F BPW 34 FS BPW 34 FS (R18R)
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Original
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E9087
Abstract: GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1604 Q62702-P1826 Q62702-P929
Text: feo06075 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 F BPW 34 FS BPW 34 FS E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
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Original
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feo06075
E9087)
GEO06643
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
E9087
GEO06643
GEO06863
GEO06916
Q62702-P1604
Q62702-P1826
Q62702-P929
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Q62702-P1602
Abstract: Q62702-P1790 Q62702-P73
Text: Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S R18R BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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BPW 34 FAS
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Version 1.1 BPW 34 FAS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 730 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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Original
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D-93055
BPW 34 FAS
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SFH 225 FA
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-02 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 SFH 225 FA Features: • • • • Besondere Merkmale: Especially suitable for applications of 880 nm Short-switching time typ. 20 ns
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Original
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D-93055
SFH 225 FA
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BPX61
Abstract: GMOY6011 OHLY0598
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich
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Original
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Q62702P0025
BPX61
GMOY6011
OHLY0598
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GEOY6964
Abstract: Q62702-P1793 Q62702-P5052
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter SFH 204 F SFH 204 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
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Original
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equip20
OHF01402
GEOY6964
GEOY6964
Q62702-P1793
Q62702-P5052
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bpw 104
Abstract: E9087 Q62702-P1604 Q62702-P1826 Q62702-P929
Text: Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34 F, BPW 34 FS, BPW 34 FS E9087 BPW 34 F BPW 34 FS BPW 34 FS (E9087) Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
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Original
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E9087)
GEOY6863
GEOY6916
bpw 104
E9087
Q62702-P1604
Q62702-P1826
Q62702-P929
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GEOY6422
Abstract: Q62702-P1051 SFH 225 FA
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 225 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar
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Original
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OHF01402
GEOY6422
GEOY6422
Q62702-P1051
SFH 225 FA
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Q62702P0102
Abstract: GEOY6651 OHLY0598
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 205 F Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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GEOY6422
Abstract: OHLY0598
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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PDF
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top 204
Abstract: GEO06964 Q62702-P1793 Q62702-P5052
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter SFH 204 F SFH 204 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
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Original
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OHF01402
GEO06964
top 204
GEO06964
Q62702-P1793
Q62702-P5052
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GEOY6422
Abstract: OHLY0598
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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Q62702P0102
Abstract: GEOY6651 OHLY0598
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 205 F Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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p945
Abstract: transistor P945 GEOY6863 p945 transistor GEOY6643 Q62702-P945 BPW34BS
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit; in SMT Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity; in SMT BPW 34 B BPW 34 BS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 25 ns
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Original
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GEO06643
Abstract: GEO06863 Q62702-P1129 Q62702-P463 BPW 34 FAS
Text: 5.4 4.9 4.5 4.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.2 1.9 Chip position 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 34 FA BPW 34 FAS feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Neu: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter New: in SMT 0.6 0.4
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Original
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feo06075
feo06861
GEO06643
GEO06863
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
GEO06643
GEO06863
Q62702-P1129
Q62702-P463
BPW 34 FAS
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