Q62702-P5014
Abstract: Q62702-P5200
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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Q62702-P5043
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität
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Original
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Q62702-P1794
Abstract: GEO06972 Q62702-P5035
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA SFH 2400 SFH 2400 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 2400 und bei
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Original
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OHF01402
OHF00331
GEO06972
Q62702-P1794
GEO06972
Q62702-P5035
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Fotodiode
Abstract: GEOY6972 Q62702-P1794 Q62702-P5035
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA SFH 2400 SFH 2400 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 2400 und bei
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Original
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GEOY6972
Fotodiode
GEOY6972
Q62702-P1794
Q62702-P5035
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Q62702-P1796
Abstract: Q62702-P3605
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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Q62702-P5209
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet
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Original
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Q62702-P5043
Q62702-P5209
GEOY6982
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foto transistor
Abstract: P1103 phototransistor 500-600 nm TRANSISTOR C 460 GEO06953 Q62702-P1103 Q62702-P1796 Q62702-P1805
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 0.1 0.0 4.8 4.4 not connected 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Active area 0.55 0.7 0.3 Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06953 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GEO06953
OHF00309
OHF00327
OHF02341
foto transistor
P1103
phototransistor 500-600 nm
TRANSISTOR C 460
GEO06953
Q62702-P1103
Q62702-P1796
Q62702-P1805
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Q62702-P5200
Abstract: Q62702-P5014
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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OHF00309
OHF00334
GEO06973
Q62702-P5200
Q62702-P5014
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Q62702-P1103
Abstract: Q62702-P1796 Q62702-P1805 Q62702-P3605
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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PDF
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OHF00327
OHF02341
GEO06953
Q62702-P1103
Q62702-P1796
Q62702-P1805
Q62702-P3605
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data 6.2 5.8 3.4 3.0 A B 2.45 spacing 2.1 1.7 0.0.1 Active area 0.55 6 1 2 3 5 4 0.7 0.4 0.5 0.3 4.2 3.8 1.27 spacing 0.15 0.13
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Original
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PDF
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GEO06982
OHF02341
OHF02342
OHF00327
OHF02344
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pdso6
Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06982
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data 6.2 5.8 3.4 3.0 A B 2.45 spacing 2.1 1.7 0.0.1 Active area 0.55 6 1 2 3 5 4 0.7 0.4 0.5 0.3 4.2 3.8 1.27 spacing 0.15 0.13
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Original
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PDF
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GEO06982
OHF00327
OHF02344
pdso6
phototransistor 500-600 nm
GEO06982
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2013-08-20 Silicon NPN Phototransistor in SMT Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Version 1.1 SFH 3201 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 460 . 1080 nm • Package: Reflective Interrupter • Special: High linearity
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Original
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D-93055
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Q62702-P5043
Abstract: ee 3201 IC 3201 Q62702-P5209
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität
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Original
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GEOY6972
Abstract: Q62702-P1794 Q62702-P5035 lichtschranke 2400FA MARKING CODE FA
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA SFH 2400 SFH 2400 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 2400 und bei
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor in SMT Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Version 1.2 SFH 3201 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 460 . 1080 nm • Package: Reflective Interrupter • Special: High linearity
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-03-30 Silicon NPN Phototransistor in SMT Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Version 1.0 SFH 3201 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 460 . 1080 nm • Package: Reflective Interrupter • Special: High linearity
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Original
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D-93055
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GEO06972
Abstract: Q62702-P1794 SFH2400
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA Vorläufige Daten / Preliminary Data 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position not connected 0.5 0.3 1.1 0.9 0.9 0.6 2.1 1.9 0.8 0.6 Active area
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Original
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PDF
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GEO06972
OHF01026
OHF01402
OHF00331
GEO06972
Q62702-P1794
SFH2400
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IC 3201
Abstract: Q65110A2479
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3201 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität
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Original
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Q65110A1207
Q65110A2479
IC 3201
Q65110A2479
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P1103
Abstract: GEO06953 Q62702-P1103 Q62702-P1796 Q62702-P1805
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 0.1 0.0 4.8 4.4 not connected 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Active area 0.55 0.7 0.3 Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06953 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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PDF
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GEO06953
OHF00309
OHF00327
OHF02341
P1103
GEO06953
Q62702-P1103
Q62702-P1796
Q62702-P1805
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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PDF
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GEOY6953
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foto transistor
Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06973 Q62702-P5014
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3 0.1 0.0 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Base Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06973 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GEO06973
phas33
OHF00309
OHF00334
foto transistor
phototransistor 500-600 nm
GEO06973
Q62702-P5014
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Q65110A2479
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3201 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität
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Original
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GEO06973
Abstract: Q62702-P5014
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 0.1 0.0 4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Base Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06973 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GEO06973
suitabl33
OHF00309
OHF00334
GEO06973
Q62702-P5014
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Chip position CO CM O o ¿mm 4.8 4.4 Active area C3 CD not Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im
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OCR Scan
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PDF
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OHF02342
OHF00309
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