Q62702-P5014
Abstract: Q62702-P5200
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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Q62702-P5043
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität
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Original
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Q62702-P1667
Abstract: Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1754
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform
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Original
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OHF02340
GEX06260
Q62702-P1667
Q62702-P1674
Q62702-P1751
Q62702-P1752
Q62702-P1754
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Q62702-P1796
Abstract: Q62702-P3605
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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TRANSISTOR K 314
Abstract: SFH 314 SFH314FA
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 314) und bei 880 nm (SFH 314 FA)
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Original
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Q62702P1668
TRANSISTOR K 314
SFH 314
SFH314FA
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Q62702-P5209
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet
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Original
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Q62702-P5043
Q62702-P5209
GEOY6982
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foto transistor
Abstract: P1103 phototransistor 500-600 nm TRANSISTOR C 460 GEO06953 Q62702-P1103 Q62702-P1796 Q62702-P1805
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 0.1 0.0 4.8 4.4 not connected 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Active area 0.55 0.7 0.3 Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06953 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GEO06953
OHF00309
OHF00327
OHF02341
foto transistor
P1103
phototransistor 500-600 nm
TRANSISTOR C 460
GEO06953
Q62702-P1103
Q62702-P1796
Q62702-P1805
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-03 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 314, SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 460 nm.1080 nm SFH 314 , 740 nm. 1080 nm (SFH 314 FA) • Package: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2008-07-30 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 3401 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 460 . 1080 nm • Package: Smart DIL • High linearity • Available only on tape and reel • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
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Original
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D-93055
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Q62702-P5200
Abstract: Q62702-P5014
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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OHF00309
OHF00334
GEO06973
Q62702-P5200
Q62702-P5014
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SFH 314
Abstract: Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757 Q62702-P1758 TRANSISTOR K 314
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform
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Original
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OHF02342
GEX06630
SFH 314
Q62702-P1668
Q62702-P1675
Q62702-P1755
Q62702-P1756
Q62702-P1757
Q62702-P1758
TRANSISTOR K 314
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Q62702-P1103
Abstract: Q62702-P1796 Q62702-P1805 Q62702-P3605
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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OHF00327
OHF02341
GEO06953
Q62702-P1103
Q62702-P1796
Q62702-P1805
Q62702-P3605
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GEX06260
Abstract: Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1753 Q62702-P1754
Text: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA fex06626 .Neu: Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 1.8 1.2 29 27 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fexf6626 Cathode Diode Collector (Transistor)
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Original
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fex06626
GEX06260
fexf6626
OHF02336
OHF02342
OHF02340
GEX06260
Q62702-P1667
Q62702-P1674
Q62702-P1751
Q62702-P1752
Q62702-P1753
Q62702-P1754
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Q62702-P5014
Abstract: Q62702-P5200 fototransistor
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • Nur gegurtet lieferbar
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Original
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Q65110A2629
Q65110A2634
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • Nur gegurtet lieferbar
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Original
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Q65110A2635
Q65110A2644
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TRANSISTOR K 314
Abstract: foto transistor SFH 314 phototransistor 500-600 nm GEX06630 Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757
Text: SFH 314 SFH 314 FA NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor Area not flat 6.9 6.1 5.7 5.5 5.9 5.5 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor) ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 SFH 314 SFH 314 FA feo06652 .Neu: 4.0
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Original
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feo06652
GEX06630
feof6652
OHF02340
OHF02338
OHF02342
TRANSISTOR K 314
foto transistor
SFH 314
phototransistor 500-600 nm
GEX06630
Q62702-P1668
Q62702-P1675
Q62702-P1755
Q62702-P1756
Q62702-P1757
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pdso6
Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06982
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data 6.2 5.8 3.4 3.0 A B 2.45 spacing 2.1 1.7 0.0.1 Active area 0.55 6 1 2 3 5 4 0.7 0.4 0.5 0.3 4.2 3.8 1.27 spacing 0.15 0.13
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Original
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GEO06982
OHF00327
OHF02344
pdso6
phototransistor 500-600 nm
GEO06982
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TRANSISTOR K 314
Abstract: foto transistor Q62702-P1668 Q62702-P1675
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität
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Original
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PDF
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Q62702-P1668
Q62702-P3600
Q62702-P16any
TRANSISTOR K 314
foto transistor
Q62702-P1668
Q62702-P1675
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2013-08-20 Silicon NPN Phototransistor in SMT Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Version 1.1 SFH 3201 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 460 . 1080 nm • Package: Reflective Interrupter • Special: High linearity
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Original
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D-93055
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Q62702-P5043
Abstract: ee 3201 IC 3201 Q62702-P5209
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für
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Original
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Q62702-P5043
Abstract: IC 3201
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor in SMT Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Version 1.2 SFH 3201 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 460 . 1080 nm • Package: Reflective Interrupter • Special: High linearity
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Original
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D-93055
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