GPL06724
Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690 q62702p1690
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
|
Original
|
|
PDF
|
Q62702-P0330
Abstract: GPLY6724 GPLY6880 Q62702-P1690
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
|
Original
|
|
PDF
|
TOPLED with Lens
Abstract: GEOY6956 Q62702
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4219 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • TOPLED mit Linse GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen
|
Original
|
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
|
Original
|
|
PDF
|
GMOY6178
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, 300 µm Kantenlänge GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, 12 mil) F 0594A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 15 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2
|
Original
|
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
|
Original
|
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAs Infrared Emitter in SMT Package with lens Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4219 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • TOPLED mit Linse GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
|
Original
|
|
PDF
|
marking code 54
Abstract: Marking Code Sorted by Type SFH 110 GPLY6724 GPLY6880 960nM
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
|
Original
|
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2013-01-16 GaAs Infrared Emitter in SMT Package GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse Version 1.0 not for new design SFH 425 Features: • • • • • • • Besondere Merkmale: Replacement: SFH 4244 for SFH 425 High reliability High pulse handling capability
|
Original
|
D-93055
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 3.5 29 27 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 4.1 3.9 6.3 5.9 0.6 0.4 Chip position Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487, SFH 4391) fex06250 5.2
|
Original
|
fex06250
GEX06250
OHR00865
OHR01887
|
PDF
|
GEX06250
Abstract: OHLY0598
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
|
Original
|
|
PDF
|
409 marking
Abstract: osram sfh 309
Text: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409 Features: • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Same package as SFH 309, SFH 487
|
Original
|
D-93055
409 marking
osram sfh 309
|
PDF
|
GEXY6250
Abstract: Q62702-P1002 Q62702-P860
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
|
Original
|
|
PDF
|
F 0094U
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, 300 µm Kantenlänge GaAs Infrared Light Emitting Diode (950 nm, 12 mil) F 0094U F 0094V Vorläufige Daten / Preliminary data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 15 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse
|
Original
|
0094U
F 0094U
|
PDF
|
|
|
SFH 409 SFH 487
Abstract: OPTOKOPPLER p1002 sensor Q62702-P1002 Q62702-P860 GEX06250 SFH409
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
|
Original
|
OHR01887
GEX06250
SFH 409 SFH 487
OPTOKOPPLER
p1002 sensor
Q62702-P1002
Q62702-P860
GEX06250
SFH409
|
PDF
|
Q65110A2463
Abstract: SFH4243 Q65110-A2463
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Not for new design Replacement: SFH4243 (for SFH420) / SFH4244 (for SFH425) Wesentliche Merkmale
|
Original
|
SFH4243
SFH420)
SFH4244
SFH425)
Q65110A2463
SFH4243
Q65110-A2463
|
PDF
|
GEX06250
Abstract: OHLY0598 SFH 409 SFH 487
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
|
Original
|
|
PDF
|
GEX06250
Abstract: Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
|
Original
|
OHR01887
GEX06250
GEX06250
Q62702-P1001
Q62702-P1002
Q62702-P860
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
|
Original
|
|
PDF
|
GEX06250
Abstract: OHLY0598 409 marking
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
|
Original
|
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
|
Original
|
GEXY6250
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAs Infrared Emitter in SMT Package with lens Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4219 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • TOPLED mit Linse GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
|
Original
|
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
|
Original
|
|
PDF
|
osram sfh 309
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
|
Original
|
|
PDF
|