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    OHR01457 Search Results

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    Catalog Datasheet MFG & Type Document Tags PDF

    opto 7800

    Abstract: E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    OHR01461 GET06625 opto 7800 E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse


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    GETY6625 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit


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    E7800 Anwendungen2007-12-07 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 gemäß OS-PCN-2009-021-A2 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung


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    E7800 OS-PCN-2009-021-A2 OS-PCN-2009-021-A2 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit


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    E7800 Anwendungen2007-04-02 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung


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    E7800 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 2012-05-21 High Power Infrared Emitter 850 nm IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 / acc. to: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4850 E7800 Features: Besondere Merkmale: • High Power Infrared LED • Anode is electrically connected to the case


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    OS-PCN-2009-021-A2 E7800 OS-PCN-2009-021-A2 D-93055 PDF

    E7800

    Abstract: GETY6625 OHLY0598 measurement of humidity in das
    Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung


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    E7800 E7800 GETY6625 OHLY0598 measurement of humidity in das PDF

    SFH483ME7800

    Abstract: SFH483-M sfh483m E7800 LME7800
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit


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    E7800 E7800 Q62703Q4755 SFH483ME7800 SFH483-M sfh483m LME7800 PDF

    BPX osram

    Abstract: E7800
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    E7800 Q62703-Q4755 BPX osram PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit


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    E7800 Anwendungen2006-12-07 E7800 Q62703Q4755 PDF

    E7800

    Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641
    Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


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    GET06625 fet06625 OHR01461 OHR01457 E7800 GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641 PDF

    E7800

    Abstract: GETY6625 OHLY0598
    Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung


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    E7800 E7800 GETY6625 OHLY0598 PDF

    din 40 040 gqg

    Abstract: high power infrared LEd sfh4850e7800
    Text: Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden


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    E7800 850nm din 40 040 gqg high power infrared LEd sfh4850e7800 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung


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    E7800 PDF

    opto 7800

    Abstract: E7800 GET06625 7800 opto opto 7800 a
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse


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    SFH4881b OHR00948 GET06625 opto 7800 E7800 GET06625 7800 opto opto 7800 a PDF

    BPX osram

    Abstract: E7800 GETY6625
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    E7800 Q62703-Q4755 BPX osram GETY6625 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-16 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 464 E7800 Features: Besondere Merkmale: • Radiation without IR in the visible red range • Cathode is electrically connected to the case • • • • • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil


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    E7800 D-93055 PDF

    7800 opto

    Abstract: opto 7800 BPX osram E7800 GETY6625 Q62702-Q1745
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


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    A52 opto sensor

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit


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    E7800 E7800 Q62703Q4755 A52 opto sensor PDF

    LME7800

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    E7800 LME7800 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden


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    E7800 850nm 850nm PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAIAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAIAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IRAnteil


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    Sam1998-07-15 SFH464 OHR01457 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter 2.7 00.45 SFH 483 Chip position A CO 1 -; o o 3.6 ‘i 1.0 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g IO C\J CO CO o M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified.


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    OHR01457 PDF