GPL06724
Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690 q62702p1690
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
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Q62702-P0330
Abstract: GPLY6724 GPLY6880 Q62702-P1690
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
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Original
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SMR 4000
Abstract: Q62702-P1825 20MS Q62702-P5000 Q62702-P331
Text: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS 1. Emitter in SMT Package 1. Emitters in SMT λpeak ϕ deg. Ie VF tr nm mW/Sr V ns SFH 4000 950 ± 80 > 1.6 typ. 3.5 at IF = 100 mA 1.5 tP = 20 ms (≤ 1.8) 10 Q62702-P5524 SFH 4010 950 ± 80 > 1.0 (typ. 2.5) at IF = 100 mA
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Original
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Q62702-P5524
Q62702-P5525
Q62702-Package
Q62702-P5319
Q62702-P5320
SMR 4000
Q62702-P1825
20MS
Q62702-P5000
Q62702-P331
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fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
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EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
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GPL06724
Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690
Text: 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 typ 0.9 0.7 1.1 0.5 3.7 3.3 2.4 3.4 3.0 SFH 420 SFH 425 fpl06724 GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector Approx. weight 0.03 g
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Original
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fpl06724
GPL06724
GPL06880
fpl06867
103ff.
169ff.
OHR00860
GPL06724
GPL06880
Q62702-P0330
Q62702-P1690
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package S ho 2.1 1.7 0.1 typ SFH 420 SFH 425 CL 0.9 0.7 •y0.\8my J Cathode/Colledor marking 0.12 / m|0.6 0.4 Cathode/Colledor Approx. weight 0.03 g Collector/Cathode marking
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I03ff.
169ff.
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SFH415T
Abstract: SFH415U Q62703-Q1546 SFH415-T sfh 487-2 Q62703-Q1762
Text: IR-Lumineszenzdioden Gehäuse/Package Infrared Emitters h Type deg. Bestellnummer Ordering code mW/sr 1.3 im SMT-Gehäuse /-peak = 950 nm VF = 1,3 V ( / F = 100 mA) ♦ 8 1.3 in SMT-package (>ipeak = 950 nm) VF = 1.3 V ( / F = 100 mA) SFH420 SFH420-N ±60
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Q62702-P1690
Q62702-P1132
SFH420
SFH420-N
SFH425
Q62702-P330
SFH415
SFH415-S"
SFH415-T
SFH415-U
SFH415T
SFH415U
Q62703-Q1546
sfh 487-2
Q62703-Q1762
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sm 4205
Abstract: 20MS
Text: I n f r a r e d E m it te r s IR -L u m in e s z e n z d io d e n 1. Emitters in SMT 1. Em itter in SM T Package Type nm <P deg. SFH 4000 950 ± 80 SFH 4010 950 ±80 SFH 4020 850 : 15 SFH 4080 880 ±80 SFH 420 950 SFH 4211 Ordering code I„ mW/Sr > 1.6 1.5
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Q62702-P5524
Q62702-P5525
Q62702-P5526
Q62702-P5527
Q62702-P1690
Q62702-P5319
Q62702-P5320
sm 4205
20MS
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors SFH 420 SFH 425 GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package TjC\J 3.0 h- C O O 2.1 1.7 0.1 typ Q_ 0.9 0.7 0.181y ; _Jm C a th o d e /C o lle cto r m arking 0.12“ j~ SFH 4 20 TOPLED 0.4 C a th o d e /C o lle cto r
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103ff.
169ff.
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