opto 7800
Abstract: E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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OHR01461
GET06625
opto 7800
E7800
GET06625
Q62702-Q1745
current sensor 7800
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E7800
Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641
Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GET06625
fet06625
OHR01461
OHR01457
E7800
GET06625
Q62702-Q1745
sfh4641
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BPX osram
Abstract: E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Sehr hoher Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
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Original
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EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
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7800 opto
Abstract: opto 7800 BPX osram E7800 GETY6625 Q62702-Q1745
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
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Original
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E7800
Q62702Q1745
103ou
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Q62703Q1820
Abstract: Q62703Q5195 20MS Q62702-Q1745
Text: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS 3. Emitter im Plastikgehäuse Package T 1¾ λpeak 3. Emitters in Plastic Package ϕ deg. Ie VF nm mW/sr V IRL 81 A 880 ± 25 ≥ 1.0 1.5 SFH 484 SFH 484-2 880 ±8 ≥ 50 ≥ 80 SFH 486 880 ± 11 SFH 485-2 880 SFH 487
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Original
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Q68000-A8000
Q62703-Q1092
Q62703-Q1756
Q62703-Q1094
Q62703-Q1547
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
Q62702-P5524
Q62702-P5525
Q62702-P5526
Q62703Q1820
Q62703Q5195
20MS
Q62702-Q1745
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E7800
Abstract: GETY6625 OHLY0598
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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GETY6625
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
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Original
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E7800
Q62702Q1745
103ou
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E7800
Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 marking code diode 04 to-18
Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g
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GET06625
fet06625
OHR01461
OHR01457
E7800
GET06625
Q62702-Q1745
marking code diode 04 to-18
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAIAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IRAnteil
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Sam1998-07-15
SFH464
OHR01457
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FP 310
Abstract: Q62902-B155-F222 Siemens LS 3369-fh irl 3034 SCF 5784 KTY 11-5 KTY 20-5 KTY 14-6 Q68000-A7820 LG 57A
Text: Alphanumerisches Typenverzeichnis Alphanumeric Type Index Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Typ Type Bestellnummer Ordering code 4N25 4N26
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6N135
6N136
6N138
6N139
BPW21
H62702-P3051
Q62702-P3009
Q62702-P3057
Q62702-P3058
Q62702-P3054
FP 310
Q62902-B155-F222
Siemens LS 3369-fh
irl 3034
SCF 5784
KTY 11-5
KTY 20-5
KTY 14-6
Q68000-A7820
LG 57A
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter SFH 464 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem
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0HR01457
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KTY 88
Abstract: KTY 20-6 Q62902-B152-F222 Q62902-B156-F222 Q62703-N0191 Q62902-B155 Q62702-P1088 Q62702P946 Q62703-N209 Q62902-B155-F222
Text: Alphanumerische Bestellnummern Q-Nummem Alphanumeric Ordering Codes (Q numbers) Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Bestellnummer Ordering code
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Q60215-Y111-S5
Q60215-Y1111
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y62
Q60215-Y63-S1
Q60215-Y65
Q60215-Y66
Q60215-Y67
Q62607-S60
KTY 88
KTY 20-6
Q62902-B152-F222
Q62902-B156-F222
Q62703-N0191
Q62902-B155
Q62702-P1088
Q62702P946
Q62703-N209
Q62902-B155-F222
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SFH 462
Abstract: SFH463 Q62703-Q2186 Q62703-Q2407
Text: IR-Lumineszenzdioden Infrared Emitters 3. GaAIAs IRED Forts. Package 3. GaAIAs IRED (cont’d) Type <P deg. Ordering code I. mW/sr 3.2 in metal package (A.peak = 880 nm) 3.2 im Metall-Gehäuse (/.De:i, = 880 nm) Vr = 1,5 V (/F = 100 mA) & & Fig. Vf = 1.5 V (/F = 100 mA)
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Q62703-Q1662
Q62703-Q1663
Q62703-Q1088
Q62703-Q1664
Q62703-Q1665
Q62703-Q1090
Q62703-Q1089
Q62703-Q1667
Q62703-Q1668
Q62703-Q1669
SFH 462
SFH463
Q62703-Q2186
Q62703-Q2407
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