a1273 transistor
Abstract: A1273 A3120 B1392 transistor a1273 b1182 transistor a1271 B82442-A1152-K SSB1220-C A1271
Text: EMV-Bauelemente EMC Components SIMIDs werden für die nieder- und hochfrequente Entkopplung von Signal- und Steuerkreisen sowie zum Aufbau von Schwingkreisen eingesetzt. Typische Anwendungsgebiete sind: Telekommunikation u. a. GSM, DECT , Automobilelektronik, MSR-Technik und Industrieanwendungen.
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Original
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-A1222-K
B82442-A1272-K
B82442-A1332-K
B82442-A1392-K
B82442-A1472-K
B82442-A1562-K
B82442-A1682-K
B82442-A1822-K
B82442-A1103-K
B82442-A1123-K
a1273 transistor
A1273
A3120
B1392
transistor a1273
b1182
transistor a1271
B82442-A1152-K
SSB1220-C
A1271
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hc-18 crystal
Abstract: quartz de pic HC-18/U HC18 HC80U CRYSTAL HC-18 22x0 27N0
Text: Sockets for Crystal Oscillators Fassungen für Schwingquarze Supports pour quartz 4,9 9 16 17 9,5 9,8 22 1,8 3,2 12,3 5 12,5 QS 25 GS Precision sockets for crystal oscillators in case HC 18 Ø 0,635 ∅ 1,5 13,08 7,4 Ø 1,55 4,9 ∅ 1,35 4,5 Ø 1,35 4,5 4,9
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114-18063
Abstract: pbt-GF15 PBT-GF15 CONNECTOR C-114-18063-16 GMW3191 114-18063-1 tyco mqs AMP PBT-GF20 pbtgf15 AMP PBT-GF15
Text: 11.55+0.05 -0.10 1.35 1.7-0.1 1.7-0.1 1.25 CODING 2 Kodierung 2 33 12.9 2.54 CODING 1 Kodierung 1 2.54 4.05 2:1 MATING FORCE CLASS Steckkraftklasse 17.8 2 1 SEALING CLASS Dichtheitsklass SC 1 TEMPERATURE CLASS Temperaturklasse TC 1 VIBRATION CLASS Schwingungsklasse
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GMW3191
PBT-GF15
QK006612
EU-040471
PCC0544793
114-18063
pbt-GF15
PBT-GF15 CONNECTOR
C-114-18063-16
114-18063-1
tyco mqs
AMP PBT-GF20
pbtgf15
AMP PBT-GF15
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B82442-A1103-K
Abstract: EPCOS 800 494 0 siemens B82422-A1222 B82496A3330J B82496-A3101-J B82494A1682K
Text: EMV-Bauelemente EMC Components SIMIDs werden für die nieder- und hochfrequente Entkopplung von Signal- und Steuerkreisen sowie zum Aufbau von Schwingkreisen eingesetzt. Typische Anwendungsgebiete sind: Telekommunikation u. a. GSM, DECT , Automobilelektronik, MSR-Technik und Industrieanwendungen.
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Original
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V23100-V6003-A101
Abstract: V23100-V6003-A112 V23100-V6002-A112 V23100-V6001-A201 V23100-V6002-A101 V23100-V6002-A201 v23100-v6003-a201 Tabelle v23100 foto transistor
Text: Reedrelais V6 V23100-V6 für Gleichspannung, neutral oder gepolt, monostabil Besondere Merkmale – Kleine Abmessungen – Schwingfestigkeit 250 ms-2, 50 bis 2000 Hz – Stoßfestigkeit 500 ms-2, 11ms Ausführung – Bestückung: 1 Schließer, 2 Schließer oder 1 Schließer und 1 Öffner
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Original
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V23100-V6
V23100-V6555
ECR0174-M
V23100-V6003-A101
V23100-V6003-A112
V23100-V6002-A112
V23100-V6001-A201
V23100-V6002-A101
V23100-V6002-A201
v23100-v6003-a201
Tabelle
v23100
foto transistor
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Schalenkerne
Abstract: B65662-A5000 Siemens P-Kerne Schalenkern siemens b65671w B65652-B-T3 B65662-B-T3 B65532-J1008-D1 B65655B10 B65622-A-M2
Text: P-Kerne Schalenkerne für Schwingkreisspulen hoher Güte sowie für klirrarme Kleinsignal-Breitbandübertrager und Leistungsanwendungen. P-Kerne P Cores P 9 x 5 bis P 30 x 19 mit verbreiterten, drahtschonenden Seitenschlitzen. Bei den übrigen Bauformen können die Schlitze von der
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Original
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B65705-B3
B65679
B65615-B1
B65623-A1
B65579
Schalenkerne
B65662-A5000
Siemens P-Kerne
Schalenkern
siemens b65671w
B65652-B-T3
B65662-B-T3
B65532-J1008-D1
B65655B10
B65622-A-M2
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hc-18 crystal
Abstract: HC18U CRYSTAL HC-18 hc-18 HC49 HC80U HC-18U
Text: Sockets for Crystal Oscillators Fassungen für Schwingquarze Supports pour quartz 4,9 9 16 17 9,5 9,8 22 1,8 3,2 12,3 5 12,5 QS 25 GS Precision sockets for crystal oscillators in case HC 18 Ø 0,635 ∅ 1,5 13,08 7,4 Ø 1,55 4,9 ∅ 1,35 4,5 Ø 1,35 4,5 4,9
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Original
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HC-80/U
HC-18/U,
HC-43/U
HC-49/U
hc-18 crystal
HC18U
CRYSTAL HC-18
hc-18
HC49
HC80U
HC-18U
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K1060
Abstract: K1271 K5020 k1020 k1150 tabellen K1390 kerko 1210 k1101 K1680
Text: Standard-Chip-Kondensatoren C0G/CG ● ● ● ● Temperaturstabil Hoher Isolationswiderstand Kleiner Verlustfaktor Induktivitätsarm Anwendungen ● Schwingkreise ● Filterschaltungen ● Zeitglieder ● Kopplung und Siebung, besonders in HF-Kreisen Anschlüsse
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Original
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-K5471-J01
-K5561-J01
-K5681-J01
-K5821-J01
-K5102-J01
C/C25
K1060
K1271
K5020
k1020
k1150
tabellen
K1390
kerko 1210
k1101
K1680
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: CleverLevel LBFS/ LFFS Switch Die wirklich clevere Alternative zum Schwinggabel-Füllstandsschalter Die wirklich clevere Alternative Mit der CleverLevel-Serie von Baumer bricht ein neues Zeitalter der Füllstands erkennung an. CleverLevel – ein Produkt für all Ihre
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CH-8501
DE-61169
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frolyt
Abstract: No abstract text available
Text: Kondensatoren und Bauelemente GmbH Freiberg Pseudo - SMD von FROLYT - Elko für Oberflächenmontage mit bleifreiem Reflowlötverfahren für höchste Anforderungen - Thermofixierung während des Lötprozesses zur Realisierung großer Schwingungsbelastungen 30g, 3 Ebenen, rascher Temperaturwechsel
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Original
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hc-18 crystal
Abstract: HC-18/U hc-18 HC18U CRYSTAL HC-18 HC-18U hc-80 crystal HC18
Text: Sockets for Crystal Oscillators Fassungen für Schwingquarze Supports pour quartz 4,9 9 16 17 9,5 9,8 22 1,8 3,2 12,3 5 12,5 QS 25 GS Supports de précision pour oscillateurs en boîtier HC 18 4,9 Ø 1,8 7,4 Ø 1,55 4,9 ∅ 1,8 ∅ 1,5 ∅ 1,5 ∅ 1,35 4,5
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Original
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HC-80/U
HC-18/U,
HC-43/U
HC-49/U
hc-18 crystal
HC-18/U
hc-18
HC18U
CRYSTAL HC-18
HC-18U
hc-80 crystal
HC18
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advantage of fm transmitter two stage
Abstract: audio bluetooth transmitter 3.5mm AN277 ESD Diodes Mifare* capacitor inductor epcos mip i mobile 3.5mm jack ESD3V3S
Text: ES D5 V3 L 1B and E SD 3V 3S 1 B Ge ner al P urpos e an d A udio E SD Pro t ecti on using E S D5 V3L 1B and ES D3 V3 S 1B TV S Di odes Applic atio n N ote A N 277 Revision: Rev. 1.1 2011-10-09 RF and P r otecti on D evic es Edition 2011-10-09 Published by
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AN277,
AN277
advantage of fm transmitter two stage
audio bluetooth transmitter 3.5mm
AN277
ESD Diodes
Mifare* capacitor inductor
epcos mip i
mobile 3.5mm jack
ESD3V3S
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ca33g
Abstract: EN 61210 TM12 overcurrent circuit protection shock schematic
Text: CIRCUIT BREAKERS FOR EQUIPMENT GERÄTESCHUTZSCHALTER TM12 Product description Produktebeschreibung The TM12 circuit breaker for equipment CBE is a single pole, thermal-magnetically operated device providing small size, low cost and reliable trip-free operation on overloads and short circuits within the
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TM12-.
TZZ02
ca33g
EN 61210
TM12
overcurrent circuit protection shock schematic
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iec 61210
Abstract: ahu ac AXP 209 ajs 75-7 AZZ51 AZZ05 AZZ61 EN 61210 AHp 45 61210
Text: CIRCUIT BREAKERS FOR EQUIPMENT, 2 POLE, PUSH BUTTON GERÄTESCHUTZSCHALTER, 2POLIG, DRUCKTASTENBETÄTIGT TA45 Product description Produktebeschreibung The 2 pole, push button actuated version of the TA45 line of thermal CBE’s can be used for various purposes. Basically it is a CBE for
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AZZ05
AZZ05
iec 61210
ahu ac
AXP 209
ajs 75-7
AZZ51
AZZ61
EN 61210
AHp 45
61210
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DW-AS-513-M12
Abstract: DW-AD-503-M12-120 DW-AD-501-M12 DW-AD-502-M12 DW-AD-503-M12 IEC 60255-5 power supply DW-AD-511-M12 DW-AD-504-M12 DW-AS-501-M12 DW-AS-502-M12
Text: data sheet Induktiver Näherungsschalter Détecteur de proximité inductif Inductive Proximity Switch DW - A - 50 - M12 Durchmesser Diamètre Diameter Schaltabstand Portée Operating distance M12 6 mm Ausführung mit grossem Schalt- Appareil à longue portée
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INDU500
M12analog
DW-AS-513-M12
DW-AD-503-M12-120
DW-AD-501-M12
DW-AD-502-M12
DW-AD-503-M12
IEC 60255-5 power supply
DW-AD-511-M12
DW-AD-504-M12
DW-AS-501-M12
DW-AS-502-M12
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DW-AS-503-C8
Abstract: DW-AD-501-C8 8x8x40 DW-AD-502-C8 DW-AD-503-C8 DW-AD-504-C8 DW-AS-501-C8 DW-AS-502-C8 DW-AS-504-C8 INDU500-C8
Text: data sheet Induktiver Näherungsschalter Détecteur de proximité inductif Inductive Proximity Switch DW - A - 50 - C8 Durchmesser Diamètre Diameter 8x8x40mm Schaltabstand Portée Operating distance Einbau quasi-bündig Montage quasi-noyable Mounting quasi-embeddable
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8x8x40mm
8x8x40
INDU500-C8
DW-AS-503-C8
DW-AD-501-C8
DW-AD-502-C8
DW-AD-503-C8
DW-AD-504-C8
DW-AS-501-C8
DW-AS-502-C8
DW-AS-504-C8
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LTT-6080-115
Abstract: bornier LTT-6080-165 LRT-6080-104 LRS-6080-115 LTS-6080-103 LTS-6080-165 LLT-6080-004 LRS-6080-165 LTS-6080-115
Text: Photelektrischer Näherungsschalter Détecteur de proximité photoélectrique Photoelectric Proximity Switch LT - 6080 - 1 Reflexions-Lichttaster Cellule à réflexion energetisch directe énergétique Diffuse Sensor, Energetic Das Gerät zeichnet sich durch
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000mm
1000Hz
CH-1762
LTT-6080-115
bornier
LTT-6080-165
LRT-6080-104
LRS-6080-115
LTS-6080-103
LTS-6080-165
LLT-6080-004
LRS-6080-165
LTS-6080-115
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tl072 spice
Abstract: D1N4007 QBC547B BF245B spice bf245b spice model inverter using irfz44n 2N5171 SPICE diode 1N750 LTspice 50HZ oscillator sinus vco
Text: SPICE-SchaltungsSimulation mit LTspice IV Tutorial zum erfolgreichen Umgang mit der frei im Internet www.linear.com erhältlichen SPICEVollversion der Firma Linear Technologies Tutorial-Version 2.2 Copyright by Gunthard Kraus, Oberstudienrat i.R. an der Elektronikschule Tettnang
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tungsram
Abstract: No abstract text available
Text: 51 TUNGSRAM R AD IO Type TCC 2 - Triode Die Röhre T C C 2 dient zu verschiedenen Zw ecken, so z. B. als N iederfreq u enzverstärker röhre nach der TCB 2 oder als Schwingröhre in Verbindung mit d er H exode TC H 1. Die T C C 2 kann auch in Kombination mit einer H. F. Penthode für die Mischstufe
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Ri-42
tungsram
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: TELEFUNKEN SD 1A Kurzwellen-Triode T ech n isch e D aten und S tre u w e rte 1. A llg e m e in e Daten Die SD 1 A ist zur Schwingungserzeugung bis zu ca. 50 cm Wellenlänge geeignet. H e i z s p a n n u n g .1,9 V
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UNG 230
Abstract: antenne
Text: VEBWERK FÜR FERNMELDEWESEN 1» I P -— « 5 - - Ci N. v. \ # 5 0 UKW-SENDEPENTODE eignet sich auch für Impulsbetrieb und N F-Verstärkung 8 4 b2 'njyii i I - i f 0-— Koibenabm essun e TECHNISCHE DATEN Heizung: Uf lf 12,6 0,7 > < Heizspannung Heizstrom
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/V/4/26
UNG 230
antenne
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ABB EH 250
Abstract: 12864 oszillator Oktode oszillatorfrequenz
Text: EH 2 E H 2 Heptode Die E H 2 ist eine Fünfgitterröhre, die als geregelte M odulatorröhre m it einer getrennten Oszillatorröhre bis zu sehr kurzen W ellen und als geregelter Hoch- oder Zwischenfrequenzverstärker m it kurzem Regel bereich vorteilhaft b en u tzt werden kann.
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: LORENZ 1. Heizdaten Heizspannung 2,0 V Heizstrom 780 mA Oxydkathode, indirekt geheizt, Serienschaltung nicht möglich. 2. Kapazitäten ^Gitter-Kathode 1,6 Ì 0,2 pF n Gitter-Anode Anode-Kathode 1,2 ± 0,2 pF 0,45 Ì 0,1 pF 3. Maximale Betriebsdaten Anodenspannung
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OA2WA
Abstract: ELECTRONIQUES Scans-0017245
Text: PHILIPS SQ OA 2WA Special Quality, shock and vibration resistant VOLTAGE STABILIZER TUBE TUBE STABILISATEUR DE TENSION à haute sécurité, résistant aux chocs et vibrations Zuverlässige, stoss- und. vibrationsfeste SPANNUNGSSTA BILISIERUNGSRÖHRE m ax 19
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