SMR 4000
Abstract: 495p topled SFH 4501
Text: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS TYPENÜBERSICHT IR-L SUMMARY OF TYPES (I UMINESZENZDIODEN 1. Emitter in SMT NFRARED EMITTERS) 1. Emitters in SMT TOPLED SFH 420 / SFH 4211 / SFH 421 / SFH 4200 SMARTLED SFH 4000 / SFH 4010 / SFH 4020 SFH 4080 / SFH 4209 / SFH 4219
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Q62703Q1820
Abstract: Q62703Q5195 20MS Q62702-Q1745
Text: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS 3. Emitter im Plastikgehäuse Package T 1¾ λpeak 3. Emitters in Plastic Package ϕ deg. Ie VF nm mW/sr V IRL 81 A 880 ± 25 ≥ 1.0 1.5 SFH 484 SFH 484-2 880 ±8 ≥ 50 ≥ 80 SFH 486 880 ± 11 SFH 485-2 880 SFH 487
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Original
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Q68000-A8000
Q62703-Q1092
Q62703-Q1756
Q62703-Q1094
Q62703-Q1547
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
Q62702-P5524
Q62702-P5525
Q62702-P5526
Q62703Q1820
Q62703Q5195
20MS
Q62702-Q1745
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sfh 520
Abstract: Aluminium gold detectors circuit Q62702-P419 Q62702-P429 SFH520
Text: SFH 520 SFH 520 A α-β-γ−Strahlungsdetektoren α-β-γ−Radiation Detectors fes06874 SFH 520 SFH 520 A Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Eigenschaften 4600 ± 1400 Ωcm 381 ± 15 µm Aluminiumkontakt 1,4 µm
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fes06874
sfh 520
Aluminium
gold detectors circuit
Q62702-P419
Q62702-P429
SFH520
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diode 9306
Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)
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GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
diode 9306
FA 4301
SFH 9500
SFH 5110
bpx 48
BP104
SFH 4552
SFH9240
GEOY6972
GPXY6992
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GMO06983
Abstract: Q62702-P5053
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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OHR00389
GMO06983
GMO06983
Q62702-P5053
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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OHR00389
GMOY6983
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Q62702P5053
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GMOY6983
Abstract: Q62702-P5053
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Q62702P5053
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GMO06983
Abstract: OHLY0598
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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GMO06983
Abstract: OHLY0598
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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design opto interrupter
Abstract: Q62703Q1094 GEX06626 OHLY0598 Q62703-Q1094
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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GEXY6626
Abstract: Q62703-Q1094
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2010-04-28 GaAlAs Infrared Emitter 880 nm GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 486 Features: • • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability Spectral match with silicon photodetectors UL Version available
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D-93055
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GEX06626
Abstract: OHLY0598 Q62703Q1094 SFH 486
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) • Gruppiert lieferbar
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OHR01733
GEX06626
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GEX06626
Abstract: Q62703-Q1094
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) • Gruppiert lieferbar
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OHR01733
GEX06626
GEX06626
Q62703-Q1094
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute spektrale Anpassung an
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E7517
Q62703Q1094
Q62703Q6175
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Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) • Gruppiert lieferbar
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OHR01733
GEXY6626
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-12-07 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.0 SFH 4860 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case • High reliability • Matches all Si-Photodetectors
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-16 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 4860 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case • High reliability • Matches all Si-Photodetectors
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D-93055
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ic 4580
Abstract: IC 4580 R sideled
Text: IR -L u m in e s z e n z d io d e n I n f r a r e d E m it t e r s T y p e n ü b e r s ic h t S umm ary 1. 1. Em itter in SMT TOPLED SFH 420 / SFH 4211 / SFH421 / SFH 4200 SIDELED SFH 425 / SFH 426 / SFH 4205 2. SMARTLED SFH 4000 / SFH 4 0 1 0 /SFH 4020 SFH 4080 / SFH 4 2 0 9 /SFH 4219
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SFH421
ic 4580
IC 4580 R
sideled
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schm elzepitaxieverfahren • Hohe Zuverlässigkeit
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schm elzepitaxieverfahren • Hohe Zuverlässigkeit
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