TO 126 LEISTUNGSTRANSISTOREN Search Results

TO 126 LEISTUNGSTRANSISTOREN Result Highlights (5)

Part	Manufacturer	Description
ADC1038CIWM	Rochester Electronics LLC	ADC, Successive Approximation, 10-Bit, 1 Func, 8 Channel, Serial Access, PDSO20, SOP-20
TL505CN	Rochester Electronics LLC	ADC, Dual-Slope, 10-Bit, 1 Func, 1 Channel, Serial Access, BIMOS, PDIP14, PACKAGE-14
ML2258CIQ	Rochester Electronics LLC	ADC, Successive Approximation, 8-Bit, 1 Func, 8 Channel, Parallel, 8 Bits Access, PQCC28, PLASTIC, LCC-28
CA3310AM	Rochester Electronics LLC	ADC, Successive Approximation, 10-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, Word Access, CMOS, PDSO24, PLASTIC, MS-013AD, SOIC-24
CA3310M	Rochester Electronics LLC	ADC, Successive Approximation, 10-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, Word Access, CMOS, PDSO24, PLASTIC, MS-013AD, SOIC-24

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Catalog Datasheet	MFG & Type	PDF	Document Tags
transistor et 454 Abstract: SK 50 et 12 transistor et 460 sk7650 SK129-25 leistungstransistoren ON SEMICONDUCTEUR A102A STS SOT SK454 Text: A Strangkühlkörper für Leiterplattenmontage Extruded heatsinks for PCB mounting Dissipateurs extrudés pour montage PCB 34,9 16 12,7 1,5 3,2 6,5 18,3 P 25,4 E Ø 2,3 max. …STC 6,5 1,5 6 max. 3 4,5 max. 10,8 25,4 Ø7 M3 Ø6 Ø 2,3 max. …STIC …STCB	Original	PDF
sk 473 Abstract: SK5137 A461A SK43A SK113 2SK519 SK1100 SK-1360 3SK122 SK1856 Text: A 1:1 Strangkühlkörper Dissipateurs extrudés Extruded heatsinks K/W 36 33 6,3 3,9 6,5 30 1,3 SK 522 27 10,6 12,6 24 15 25 37,5 50 1000 mm 15 30 45 50 mm 50 100 150 200 mm 50 100 150 200 mm 50 100 150 200 mm K/W 26 24 22 20 8 SK 521 3 18 15,3 25 37,5 50 75 100 1000 mm	Original	PDF
SK 50 et 12 Abstract: Heatsinks SK432 SK173 to 126 leistungstransistoren Text: 1:1 A Dissipateurs spéciaux 26 Special heatsinks 51 Spezialkühlkörper K/W 2,5 2,0 1,5 51,5 1,0 0,5 SK 46 50 100 150 200 mm 50 75 1000 mm Taraudages, trous débouchants et fentes de fixation suivant votre spécification. 12 ,5 Threads, through holes and fixing slots	Original	PDF
BU126 Abstract: to 126 leistungstransistoren spannungsregler IAM-B12 Text: 4H» BU 126 'W Silizium-NPN-Leistungstransistoren Silicon NPN Power Transistors Anwendungen: Spannungsregler, Inverter, getaktete Netzgeräte Applications: Voltage regulator, inverter, switching mode power supply Besondere Merkmale: • In Dreifachdiffusions-Mesa-Technik	OCR Scan	PDF	322/0474A1 BU126 to 126 leistungstransistoren spannungsregler IAM-B12
l 129 v Abstract: BD129 bd127 128bd bd128 0477A2 BD 127 V2412 127BD TFK BD 128 Text: BD 127 BD 128 BD 129 'V Silizium-NPN-Planar-Leistungstransistoren Silicon NPN Planar Power Transistors Anwendungen: Allgemein bei hohen Betriebsspannungen Applications: General at high supply voltages Features: Besondere Merkmale: • Hohe Sperrspannung • High reverse voltage	OCR Scan	PDF
IC 74157 Abstract: to 126 leistungstransistoren BD 176 BD176 BD180 BD178 "BO 180" B0180 TFK F BD 175 TFK G BD 175 Text: ► BD 176 • BD 178 • BD 180 Silizium-PNP-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon PNP Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Verstärker, -Treiber und -Endstufen Allgemein im NF-Bereich Applications: Audio amplifier, driver and output stages General in AF-range	OCR Scan	PDF	N125A IC 74157 to 126 leistungstransistoren BD 176 BD176 BD180 BD178 "BO 180" B0180 TFK F BD 175 TFK G BD 175
Tfk 880 Abstract: BD170 BD169 BD NPN transistors BD168 mbd165 NR119 bd165 BD166 Text: Æ . BD 165 • BD 167 • BD 169 Silicon NPN Epitaxial Planar Power Transistors Anwendungen: Allgemein im NF-Bereich Applications: General in AF-range Besondere Merkmale: • Verlustleistung 20 W • Power dissipation 20 W	OCR Scan	PDF	BD169 BD168, Tfk 880 BD170 BD NPN transistors BD168 mbd165 NR119 bd165 BD166
BD237 Abstract: BD 235 BD233 SD235 BD235 BD 100 V BD 237 to 126 leistungstransistoren 32-DIN BD NPN transistors Text: BD 233 * BD 235 - BD 237 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Treiber- und Endstufen Applications: Audio driver and output stages Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung Features: • High peak power	OCR Scan	PDF	2DIN125A 150mA1) BD237 BD 235 BD233 SD235 BD235 BD 100 V BD 237 to 126 leistungstransistoren 32-DIN BD NPN transistors
tfk 138 Abstract: tfk 136 tfk 140 BD 140 tfk 135 3 TFK 140 BD 139 140 72050 tfk bd 138 BD136 Text: BD 136 • BD 138 • BD 140 Silicon PNP Epitaxial Planar Power Transistors Anwendungen: Allgemein Im NF-Berelch Applications: General in AF-range Besondere Merkmale: • Verlustleistung 8 W Features: • Power dissipation 8 W	OCR Scan	PDF
rjr ce Abstract: BD170 Scans-0010668 BD 166, 168, 170 bd166 JEDECTO126 BD169 BD - 100 V Text: BD166 • BD168 • BD170 Silicon PNP Epitaxial Planar Power Transistors Anwendungen: Allgemein im NF-Bereich Applications: General in AF-range Besondere Merkmale: • Verlustleistung 20 W Features: • Power dissipation 20 W	OCR Scan	PDF	N125A 150mA 500mA 500mA rjr ce BD170 Scans-0010668 BD 166, 168, 170 bd166 JEDECTO126 BD169 BD - 100 V
BD234 Abstract: bd 236 BD - 100 V Bo 235 BD236 BD238 DIN125A JEDECTO126 din 125a BD 238 Text: BD 234 •BD 236 •BD 238 'W Silizium-PNP-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon PNP Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Treiber- und Endstufen Applications: Audio driver and output stages Features: Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung • High peak power	OCR Scan	PDF
tfk 434 Abstract: tfk 436 tfk 435 bd 435 Bo435 tfk u 436 BD433 bd435 DIN125A R 433 A Text: BD 433 *BD 435 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: NF-Endstufen Applications: AF-output stages Besondere Merkmale: • Niedrige Betriebsspannungen speziell für Autoradiobetrieb • Hohe Stromverstärkung	OCR Scan	PDF	BD433, tfk 434 tfk 436 tfk 435 bd 435 Bo435 tfk u 436 BD433 bd435 DIN125A R 433 A
tfk 135 Abstract: bd139 tfk BD 139 140 BD 139 N tfk bd 137 j BD 139 TFK bd139 tfk 136 BD139 bd 135 Text: V BD 135 • BD 137 • B D 139 Silicon NPN Epitaxial Planar Power Transistors Anw endungen: Allgemein Im NF-Bereich Applications: General in AF-range Features: Besondere Merkmale: • Verlustleistung 8 W	OCR Scan	PDF	erlegscheibe32D N125A tfk 135 bd139 tfk BD 139 140 BD 139 N tfk bd 137 j BD 139 TFK bd139 tfk 136 BD139 bd 135
B0680 Abstract: bd 682 0477A2 her32 bd676 Bd 676/BD 675 BD677 BD 678 BD680 BD681 Text: BD 676 'BD 678 -BD 680 -BD 682 'W Silizium-PNP-Darlington-Leistungstransistoren Silicon PNP Darlington Power Transistors Anwendungen: NF-Endstufen Applications: AF-output stages Besondere Merkmale: Features: • Sehr hohe Stromverstärkung • Very high current transfer ratio	OCR Scan	PDF	682are mentarytoBD675 BD677 BD679 BD681 B0680 bd 682 0477A2 her32 bd676 Bd 676/BD 675 BD 678 BD680 BD681

BD NPN transistors 177 Abstract: IC 74157 BD 2418 BD179 BD175 BD177 bd 175 236 TFK BD176 din 125a Text: BD 175 • BD 177 • BD 179 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anw endungen: Audio-Verstärker, -Treiber und -Endstufen Applications: Allgemein im NF-Bereich Audio amplifier, driver and output stages General in AF-range	OCR Scan	PDF	CEOsus80 BD NPN transistors 177 IC 74157 BD 2418 BD179 BD175 BD177 bd 175 236 TFK BD176 din 125a
BD 440 PNP transistors Abstract: BD PNP BD438 BD442 BD 438 b0438 b0440 BD440 BD - 100 V bd441 Text: BD 438 - BD 440 - BD 442 Silizium-PNP-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon PNP Epibase Power Transistors Anwendungen: Allgemein im NF-Bereich Applications: General in AF-range Besondere Merkmale: Features: • Hohe Spitzenleistung • Verlustleistung 36 W	OCR Scan	PDF	verb00 BD 440 PNP transistors BD PNP BD438 BD442 BD 438 b0438 b0440 BD440 BD - 100 V bd441
BD436 Abstract: BD 434 B0436 d341 LT 436 BD434 Text: BD 434 - BD 436 'W Silizium-PNP-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon PNP Epibase Power Transistors Anwendungen: NF-Endstufen Applications: AF-output stages Besondere Merkmale: • Niedrige Betriebsspannung speziell für Autoradiobetrieb Features: • Low supply voltage especially tor automobil radio	OCR Scan	PDF
BD441 Abstract: bd 426 BD 440 NPN transistors BD437 BD - 100 V BD 439 437 bd ic 437 BD439 B0439 Text: « BD 437 • BD 439 • BD 441 'W Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Allgemein Im NF-Berelch Applications: General in AF-range Features: Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung • High peak power	OCR Scan	PDF	N125A BD441 bd 426 BD 440 NPN transistors BD437 BD - 100 V BD 439 437 bd ic 437 BD439 B0439
TESLA KU 602 Abstract: TESLA KU 601 tesla ku 611 kd 501 KD 3055 vergleichsliste DDR kd 616 tungsram UNITRA vergleichsliste Text: r electronic Vergleichsliste Silizium-Leistungstransistoren 1 Vorwort» Die Verglcich8jiatc Silizium - Leistungstransistoren wurde in erste: Linie als Arbeitsmaterial fuer die Applikationsorgane unseres Kombinates zusanmengestellt. Um das Hauptziel dic.aer Liste - NSW - Bauelemente	OCR Scan	PDF	O-220 TESLA KU 602 TESLA KU 601 tesla ku 611 kd 501 KD 3055 vergleichsliste DDR kd 616 tungsram UNITRA vergleichsliste
101ra100 Abstract: 22RC10 71RA120 36RA80 101RC60 PR002W 40RCS60 151ra100 250pa120 250RA80 Text: EUROPEAN CATALOGUE CATALOGO EUROPEO EUROPAISCHER KATALOG CATALOGUE EUROPEEN In tro d u c tio n The products specified in this shortform catalogue have been selected from the comprehensive range manufactured by the International Rectifier group of Companies.	OCR Scan	PDF
VEB mikroelektronik Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft Text: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP	OCR Scan	PDF	57AHNSDORP VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft
7400 Abstract: No abstract text available Text: Literaturhinweise Information on Literature Auszug aus unserem Literaturverzeichnis 12.93 Exerpt from our Literature Guide 12.93 Bestell-Nr.: B192-H6763-X-X-7400 Ordering No.: B192-H6763-X-X-7400 Titel Title Bestell-Nr. Ordering Code Art Ausgabe Class. Edition	OCR Scan	PDF	B192-H6763-X-X-7400 B192-H6636-X-X-7400 B191-H6554 B191-H6554-X-X-7600 A19100-L531-F303-1 7400
SF126 Abstract: transistor SD335 SD349 SSY20 SF829 SD 338 SF826 mikroelektronik Berlin SD339 SD338 Text: Der Kollektor ist mit der metallischen Montageflache leitend verbunden Uw e Beier Transistoren aus dem Kombinat Mikroelektronik electrónica • Band 245 UWE BEIER Transistoren aus dem Kombinat M ikroelektronik M ILITARVERLAG DER DEUTSCHEN DEM OKRATISCHEN	OCR Scan	PDF
LDR 03 Abstract: valvo halbleiter LDR -03 cny63 CNY62 BYX 71 800 CXY19 VALVO ldr 07 BZW10-12 Text: Halbleiter bauelemente • 1981/82 N, Bauelemente l m für die gesamte i f Elektronik V A L V O Valvo bietet das breiteste Produktprogram m an Bauelementen für die gesamte Elektronik in Deutschland: Bildröhren A blenkteile Tuner Lautsprecher Transform atoren	OCR Scan	PDF

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VEB mikroelektronik

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