VOLTAGE 10V VDSS 150V ID 50A MOS FET Search Results

VOLTAGE 10V VDSS 150V ID 50A MOS FET Result Highlights (5)

Part	Manufacturer	Description
TK190U65Z	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	MOSFET, N-ch, 650 V, 15 A, 0.19 Ohm@10V, TOLL
TK7R0E08QM	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	MOSFET, N-ch, 80 V, 64 A, 0.0070 Ohm@10V, TO-220AB
XPJ1R004PB	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	N-ch MOSFET, 40 V, 160 A, 0.001 Ω@10V, S-TOGL
TK4K1A60F	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	MOSFET, N-ch, 600 V, 2.0 A, 4.1 Ohm@10V, TO-220SIS
TK090U65Z	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	MOSFET, N-ch, 650 V, 30 A, 0.09 Ohm@10V, TOLL

VOLTAGE 10V VDSS 150V ID 50A MOS FET Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	MFG & Type	Document Tags	PDF
FS50SM-5A Abstract: FS50SM-5A-A8 Text: FS50SM-5A High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G0277-0100 Rev.1.00 Aug.20.2004 Features • • • • Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS ON (max) : 0.068 Ω ID : 50 A Outline TO-3P 2, 4 4 1. 2. 3. 4. 1 1 2 Gate Drain Source Drain 3 3 Applications	Original	FS50SM-5A REJ03G0277-0100 FS50SM-5A-A8 FS50SM-5A FS50SM-5A-A8	PDF
2SK2477 Abstract: No abstract text available Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2477 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2477はNチャネル縦型パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適	Original	2SK2477 2SK2477N D10269JJ2V0DS00 D10269JJ2V0DS MP-88) M8E02 2SK2477	PDF
voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet Abstract: 2SK2482 Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2482 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2482はNチャネル縦型パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適	Original	2SK2482 2SK2482N D10274JJ2V0DS00 D10274JJ2V0DS MP-88) M8E02 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet 2SK2482	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: FK30SM-5 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1402-0200 Previous: MEJ02G0204-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 250 V rDS (ON) (max) : 0.108 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A	Original	FK30SM-5 REJ03G1402-0200 MEJ02G0204-0101) PRSS0004ZB-A	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: FK30SM-5 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1402-0200 Previous: MEJ02G0204-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 250 V rDS (ON) (max) : 0.108 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A	Original	FK30SM-5 REJ03G1402-0200 MEJ02G0204-0101) PRSS0004ZB-A	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: FK30SM-6 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1403-0200 Previous: MEJ02G0214-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 300 V rDS (ON) (max) : 0.143 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A	Original	FK30SM-6 REJ03G1403-0200 MEJ02G0214-0101) PRSS0004ZB-A	PDF
2SK2488 Abstract: No abstract text available Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2488 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2488はNチャネル縦型パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適	Original	2SK2488 2SK2488N D10284JJ3V0DS00 D10284JJ3V0DS MP-88) M8E02 2SK2488	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: FK30SM-6 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1403-0200 Previous: MEJ02G0214-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 300 V rDS (ON) (max) : 0.143 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A	Original	FK30SM-6 REJ03G1403-0200 MEJ02G0214-0101) PRSS0004ZB-A	PDF
7824 3A Abstract: 2SK2480 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2480 NチャネルパワーMOS FET スイッチング用工業用 2SK2480はNチャネル縦型パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適	Original	2SK2480 2SK2480N O-220MP-45F D10272JJ2V0DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 7824 3A 2SK2480 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet	PDF
2SK2487 Abstract: voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2487 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2487はNチャネル縦型パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適	Original	2SK2487 2SK2487N D10283JJ3V0DS00 D10283JJ3V0DS MP-88) M8E02 2SK2487 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet	PDF
2SK2478 Abstract: No abstract text available Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2478 NチャネルパワーMOS FET スイッチング用工業用 2SK2478はNチャネル縦型パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適	Original	2SK2478 2SK2478N O-220MP-45F D10270JJ2V0DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 2SK2478	PDF
ZD 103 Abstract: 200V 50A mos fet FS50SM-5A FS50SM-5A-A8 Text: FS50SM-5A High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G0277-0100 Rev.1.00 Aug.20.2004 Features • • • • Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS ON (max) : 0.068 Ω ID : 50 A Outline TO-3P 2, 4 4 1. 2. 3. 4. 1 1 2 Gate Drain Source Drain 3 3 Applications	Original	FS50SM-5A REJ03G0277-0100 ZD 103 200V 50A mos fet FS50SM-5A FS50SM-5A-A8	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: FS50SM-5A High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G0277-0100 Rev.1.00 Aug.20.2004 Features • • • • Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS ON (max) : 0.068 Ω ID : 50 A Outline TO-3P 2, 4 4 1. 2. 3. 4. 1 1 2 Gate Drain Source Drain 3 3 Applications	Original	FS50SM-5A REJ03G0277-0100	PDF
PC1094C Abstract: 2SK2486 G13006J TEA-572 7824 MAX INPUT VOLTAGE pc1094 Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2486 NチャネルパワーMOS FET スイッチング用工業用 2SK2486はNチャネル縦型パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適	Original	2SK2486 2SK2486N OP-3MP-88 D10282JJ2V0DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC PC1094C 2SK2486 G13006J TEA-572 7824 MAX INPUT VOLTAGE pc1094	PDF

FM2018 Abstract: 2sk1193 2SK1368 fkv550 2SK3332 T03EB0 2SK2245 2SK2943 2SK3460 2SK3199 equivalent Text: Bulletin No. T03EB0 Nov., 2000 MOS FET CAUTION / WARNING • The information in this publication has been carefully checked and is believed to be accurate; however, no responsibility is assumed for inaccuracies. • Sanken reserves the right to make changes without further notice to any products herein	Original	T03EB0 H1-T03EB0-0011010TA FM2018 2sk1193 2SK1368 fkv550 2SK3332 T03EB0 2SK2245 2SK2943 2SK3460 2SK3199 equivalent	PDF
MA 7824 3A Abstract: 7824 3A 2SK2480 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet IEA-631 Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	2SK2480 2SK2480N 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC MA 7824 3A 7824 3A 2SK2480 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet IEA-631	PDF
2SK2478 Abstract: No abstract text available Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	2SK2478 2SK2478N 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 2SK2478	PDF
2SK2486 Abstract: No abstract text available Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	2SK2486 2SK2486N 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 2SK2486	PDF
2SK2477 Abstract: No abstract text available Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	2SK2477 2SK2477N D10269JJ2V0DS MP-88) M8E02 2SK2477	PDF
2SK2482 Abstract: voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	2SK2482 2SK2482N D10274JJ2V0DS MP-88) M8E02 2SK2482 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet	PDF
2SK2488 Abstract: No abstract text available Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	2SK2488 2SK2488N D10284JJ3V0DS MP-88) M8E02 2SK2488	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: MG50D2YM1 GTR MODULE SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. Unit in nun MOTOR CONTROL APPLICATIONS. FEATURES: . The Drain is Isolated from Case. . 2 MOS FETs are Built-in to 1 Package . With Built-in Free Wheeling Diode. . Low Drain-Source ON Resistance	OCR Scan	MG50D2YM1 085il	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: TOSHIBA - C D I S C R E T E / O P T O J T D 9097250 TOSHIBA <DISCRETE/OPTO> TOSHIBA SEMICONDUCTOR DE \| ^D^TaSO DGlb4Sl S 90D 16421 TOSHIBA GTR MODULE .MG50D2DM1 TECHNICAL DATA SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. MOTOR CONTROL APPLICATIONS.	OCR Scan	MG50D2DM1 085il MG50D2DM1-4 DT7a50 HG50D2DM1-5	PDF
MG50D2YM1 Abstract: No abstract text available Text: TOSHIBA {DISCRETE/OPT0> TD 9097250 TOSHIBA DISCRETE/OPTO TOSHIBA SEMICONDUCTOR DE~\| TGTT E S G □Dlb4Eti 1 90D D T -3 9 -5 7 16426 TOSHIBA GTR MODULE MG50D2YM1 TECHNICAL DATA SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. flOTOR CONTROL APPLICATIONS.	OCR Scan	MG50D2YM1 085ii 31/C2) MG50D2YM1-4 MG50D2YM1-5 T1A20 MG50D2YM1	PDF

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