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    VOLTAGE 10V VDSS 150V ID 50A MOS FET Search Results

    VOLTAGE 10V VDSS 150V ID 50A MOS FET Result Highlights (5)

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    TK190U65Z Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-ch, 650 V, 15 A, 0.19 Ohm@10V, TOLL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TK7R0E08QM Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-ch, 80 V, 64 A, 0.0070 Ohm@10V, TO-220AB Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    XPJ1R004PB Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-ch MOSFET, 40 V, 160 A, 0.001 Ω@10V, S-TOGL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TK4K1A60F Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-ch, 600 V, 2.0 A, 4.1 Ohm@10V, TO-220SIS Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TK090U65Z Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-ch, 650 V, 30 A, 0.09 Ohm@10V, TOLL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

    VOLTAGE 10V VDSS 150V ID 50A MOS FET Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    FS50SM-5A

    Abstract: FS50SM-5A-A8
    Text: FS50SM-5A High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G0277-0100 Rev.1.00 Aug.20.2004 Features • • • • Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS ON (max) : 0.068 Ω ID : 50 A Outline TO-3P 2, 4 4 1. 2. 3. 4. 1 1 2 Gate Drain Source Drain 3 3 Applications


    Original     		PDF FS50SM-5A REJ03G0277-0100 FS50SM-5A-A8 FS50SM-5A FS50SM-5A-A8

    2SK2477

    Abstract: No abstract text available
    Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2477 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2477はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適


    Original     		PDF 2SK2477 2SK2477N D10269JJ2V0DS00 D10269JJ2V0DS MP-88) M8E02 2SK2477

    voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet

    Abstract: 2SK2482
    Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2482 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2482はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適


    Original     		PDF 2SK2482 2SK2482N D10274JJ2V0DS00 D10274JJ2V0DS MP-88) M8E02 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet 2SK2482

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: FK30SM-5 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1402-0200 Previous: MEJ02G0204-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 250 V rDS (ON) (max) : 0.108 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A


    Original     		PDF FK30SM-5 REJ03G1402-0200 MEJ02G0204-0101) PRSS0004ZB-A

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: FK30SM-5 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1402-0200 Previous: MEJ02G0204-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 250 V rDS (ON) (max) : 0.108 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A


    Original     		PDF FK30SM-5 REJ03G1402-0200 MEJ02G0204-0101) PRSS0004ZB-A

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: FK30SM-6 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1403-0200 Previous: MEJ02G0214-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 300 V rDS (ON) (max) : 0.143 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A


    Original     		PDF FK30SM-6 REJ03G1403-0200 MEJ02G0214-0101) PRSS0004ZB-A

    2SK2488

    Abstract: No abstract text available
    Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2488 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2488はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適


    Original     		PDF 2SK2488 2SK2488N D10284JJ3V0DS00 D10284JJ3V0DS MP-88) M8E02 2SK2488

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: FK30SM-6 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1403-0200 Previous: MEJ02G0214-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 300 V rDS (ON) (max) : 0.143 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A


    Original     		PDF FK30SM-6 REJ03G1403-0200 MEJ02G0214-0101) PRSS0004ZB-A

    7824 3A

    Abstract: 2SK2480 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet
    Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2480 NチャネルパワーMOS FET スイッチング用 工業用 2SK2480はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適


    Original     		PDF 2SK2480 2SK2480N O-220MP-45F D10272JJ2V0DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 7824 3A 2SK2480 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet

    2SK2487

    Abstract: voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet
    Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2487 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2487はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適


    Original     		PDF 2SK2487 2SK2487N D10283JJ3V0DS00 D10283JJ3V0DS MP-88) M8E02 2SK2487 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet

    2SK2478

    Abstract: No abstract text available
    Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2478 NチャネルパワーMOS FET スイッチング用 工業用 2SK2478はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適


    Original     		PDF 2SK2478 2SK2478N O-220MP-45F D10270JJ2V0DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 2SK2478

    ZD 103

    Abstract: 200V 50A mos fet FS50SM-5A FS50SM-5A-A8
    Text: FS50SM-5A High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G0277-0100 Rev.1.00 Aug.20.2004 Features • • • • Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS ON (max) : 0.068 Ω ID : 50 A Outline TO-3P 2, 4 4 1. 2. 3. 4. 1 1 2 Gate Drain Source Drain 3 3 Applications


    Original     		PDF FS50SM-5A REJ03G0277-0100 ZD 103 200V 50A mos fet FS50SM-5A FS50SM-5A-A8

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: FS50SM-5A High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G0277-0100 Rev.1.00 Aug.20.2004 Features • • • • Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS ON (max) : 0.068 Ω ID : 50 A Outline TO-3P 2, 4 4 1. 2. 3. 4. 1 1 2 Gate Drain Source Drain 3 3 Applications


    Original     		PDF FS50SM-5A REJ03G0277-0100

    PC1094C

    Abstract: 2SK2486 G13006J TEA-572 7824 MAX INPUT VOLTAGE pc1094
    Text: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2486 NチャネルパワーMOS FET スイッチング用 工業用 2SK2486はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適


    Original     		PDF 2SK2486 2SK2486N OP-3MP-88 D10282JJ2V0DS00 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC PC1094C 2SK2486 G13006J TEA-572 7824 MAX INPUT VOLTAGE pc1094

    FM2018

    Abstract: 2sk1193 2SK1368 fkv550 2SK3332 T03EB0 2SK2245 2SK2943 2SK3460 2SK3199 equivalent
    Text: Bulletin No. T03EB0 Nov., 2000 MOS FET CAUTION / WARNING • The information in this publication has been carefully checked and is believed to be accurate; however, no responsibility is assumed for inaccuracies. • Sanken reserves the right to make changes without further notice to any products herein


    Original     		PDF T03EB0 H1-T03EB0-0011010TA FM2018 2sk1193 2SK1368 fkv550 2SK3332 T03EB0 2SK2245 2SK2943 2SK3460 2SK3199 equivalent

    MA 7824 3A

    Abstract: 7824 3A 2SK2480 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet IEA-631
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF 2SK2480 2SK2480N 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC MA 7824 3A 7824 3A 2SK2480 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet IEA-631

    2SK2478

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF 2SK2478 2SK2478N 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 2SK2478

    2SK2486

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF 2SK2486 2SK2486N 108-0171NEC 46017NEC 54024NEC 2SK2486

    2SK2477

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF 2SK2477 2SK2477N D10269JJ2V0DS MP-88) M8E02 2SK2477

    2SK2482

    Abstract: voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF 2SK2482 2SK2482N D10274JJ2V0DS MP-88) M8E02 2SK2482 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet

    2SK2488

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF 2SK2488 2SK2488N D10284JJ3V0DS MP-88) M8E02 2SK2488

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MG50D2YM1 GTR MODULE SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. Unit in nun MOTOR CONTROL APPLICATIONS. FEATURES: . The Drain is Isolated from Case. . 2 MOS FETs are Built-in to 1 Package . With Built-in Free Wheeling Diode. . Low Drain-Source ON Resistance


    OCR Scan     		PDF MG50D2YM1 085il

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: TOSHIBA - C D I S C R E T E / O P T O J T D 9097250 TOSHIBA <DISCRETE/OPTO> TOSHIBA SEMICONDUCTOR DE | ^D^TaSO DGlb4Sl S 90D 16421 TOSHIBA GTR MODULE .MG50D2DM1 TECHNICAL DATA SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. MOTOR CONTROL APPLICATIONS.


    OCR Scan     		PDF MG50D2DM1 085il MG50D2DM1-4 DT7a50 HG50D2DM1-5

    MG50D2YM1

    Abstract: No abstract text available
    Text: TOSHIBA {DISCRETE/OPT0> TD 9097250 TOSHIBA DISCRETE/OPTO TOSHIBA SEMICONDUCTOR DE~| TGTT E S G □Dlb4Eti 1 90D D T -3 9 -5 7 16426 TOSHIBA GTR MODULE MG50D2YM1 TECHNICAL DATA SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. flOTOR CONTROL APPLICATIONS.


    OCR Scan     		PDF MG50D2YM1 085ii 31/C2) MG50D2YM1-4 MG50D2YM1-5 T1A20 MG50D2YM1