VQA 23
Abstract: Funkamateur VQA 13 ESBR5501 vqa 33 FUNKAMATEUR - Bauelementeinformation VQA13 esbg5501 CQX51 TLUY5400
Text: FUNKAMATEUR - Bauelementeinformation Vergleichslisten Optoelektronik Uchtemitterdioden Lichtemitterdioden, Durchmesser 5 mm o Farbe WF rot rot rot grün gelb rot grün gelb orange rot grün VQA VQA VOA VQA VQA VQA VQA VQA VQA VQA VQA 10 13 13-1 23 33 16 26
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LS5160
CQX51
HLMP-33
TLS1541)
SAR55114)
TLR116A3)
TLUR5400
CQY24
HLMP-3000
TLR114A3)
VQA 23
Funkamateur
VQA 13
ESBR5501
vqa 33
FUNKAMATEUR - Bauelementeinformation
VQA13
esbg5501
TLUY5400
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Diode KD 514
Abstract: B30C250 GD507A DIODE OA-172 kyx 28 SY360 ky 202 h thyristor B280C1500 C5000-3300 BZY79C
Text: Deutsche Post Studiotechnik Fernsehen BauelementeMitteilunq Nr.7 Diodenvergleichsliste Verfasser: Dipl.-Ing. Klaus-Peter Hartmann Abteilung PMM Herausgeber: \>y Studiotechnik Fernsehen Informationsstelle RIS 1429 1 19 9 Berlin Rudower Chaussee 3 Fernruf: 6 7 3 3381
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5252 F 1006
Abstract: 40r6 NF 846 RFT service-mitteilungen "service-mitteilungen" vqe 21 RFT Servicemitteilungen servicemitteilungen service-mitteilungen 5252 f 1201
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN 12-15 Iradio - television VEB RFT INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND F E R N S E H E N Ausgabe Seite S e p t. 88 1- 3 16 M itte ilu n g aus dem VEB S te r n -B a d io B e r l in , K u n d en d ien st Laufw erk MU 3oo S-DB - S e r v ic e v a r ia n te n
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K/10--
K/10-10
5252 F 1006
40r6
NF 846
RFT service-mitteilungen
"service-mitteilungen"
vqe 21
RFT Servicemitteilungen
servicemitteilungen
service-mitteilungen
5252 f 1201
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A277D
Abstract: applikation heft A225D "halbleiterwerk frankfurt" VQA 13 VQA13 information applikation A302D Transistoren DDR halbleiterwerk
Text: J motkr^elel-ctsnonH-c Information Information - Applikation v : 1 . •' LEDAnsteuerungsscbaltkreis A 277 D * Eigenschaften und Einsatzmöcjlichkeiten - M ikroelektronik H eft 10 v e b h albleiterw erk fr a n k fu r t/ o d e r laitbetrieb im veb Kombinat mikraelektronik
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UEI 20 SP 010
Abstract: Datenblattsammlung u82720 mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik UB8820M "halbleiterwerk frankfurt" UEI 15 SP 020 Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2 B4207D
Text: e l e k t r o m k - b a u e ì e m e n t e * W UKaÊÊi I Ä I L I I m V w •1 vît M •'4 n, ' I ill ■ DATEN BLATTSAMM LU NG elektronische bauelemente ?: V' I j| D A I Ï K B L A U S A MML ÜHG "E lektronische Bauelemente1' Ausgabe 1/89 14 : "Neue und weiterentwiekelte Bauelemente sowie ausgewählte Importbauelemente"
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64-KBit-Sehreib--Iese-Speicher
086/11/B9
UEI 20 SP 010
Datenblattsammlung
u82720
mikroelektronik datenblattsammlung
VEB mikroelektronik
UB8820M
"halbleiterwerk frankfurt"
UEI 15 SP 020
Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2
B4207D
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max4440
Abstract: No abstract text available
Text: APT10086BVFR A dvanced w Tæ p o w e r Te c h n o l o g y iooov i3a 0.8600 POWER MOS V FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
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APT10086BVFR
O-247
APT10086BVR
100V16
max4440
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: A dvanced APT8065BVFR pow er Te c h n o lo g y 800V POWER MOS V 13A 0.650Q FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
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APT8065BVFR
O-247
APT8065BVFR
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service-mitteilungen
Abstract: SAL 41 C-951 colortron Servicemitteilungen RFT Service Mitteilung Stassfurt Colortron Mitteilung VEB RFT SAY16 scans-048
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N M M IR a d io - Television I OKTOBER 1984 A 9 SEITE 1-4 Mitteilung aus dem VEB Fernsehgerätewerke "Friedr.Engels" Staßfurt Farbbildröhren vom Werk für Fernsehelektronik Berlin
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4000erSerie
67-cmund
51-cm-Diagonale
service-mitteilungen
SAL 41
C-951
colortron
Servicemitteilungen
RFT Service Mitteilung
Stassfurt Colortron
Mitteilung VEB RFT
SAY16
scans-048
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754C
Abstract: L3036 2082c K/EL2082J
Text: EL2082/EL2082C P ta n frf iHIGHl PtfffpAMANfiE l H iAilAlOG i pINTEGRATE W QftClJITS P • Current-Mode Multiplier F ea tu r es G en eral D esc rip tio n • Flexible inputs and outputs, all ground referred • ISO M Hz large and small-signal bandwidth • 46 dB of calibrated gain control
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EL2082/EL2082C
EL2082
EL3037
EL3038
754C
L3036
2082c
K/EL2082J
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TDB1080
Abstract: rms audio amplifier circuit diagram TDB1080T Limiting Amplifier fm detector phase detector 500 khz 5PQA audio signal detector circuit 100 audio amplifier circuit diagram Long-Tailed
Text: TDB1080 TDB1080T I.F. LIMITING AMPLIFIER, FM DETECTOR AND AUDIO AMPLIFIER G E N E R A L DESCRIPTIO N The TDB1080 is a bipolar integrated circuit comprising a limiting amplifier, a balanced FM detector and a class-B audio amplifier. It is intended for frequencies up to 500 kHz with either narrow-band or
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TDB1080
TDB1080T
TDB1080
115i2
TDB1080.
rms audio amplifier circuit diagram
TDB1080T
Limiting Amplifier
fm detector
phase detector 500 khz
5PQA
audio signal detector circuit
100 audio amplifier circuit diagram
Long-Tailed
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MSD INC. ENGINEERING DATA SHEET RELAYTYPE': HZA,-2iO'D^ô COMPUTERPARTNo.:922f 5 7 TEST PROCEDURE MSDP- 791 CUSTOMER/SPECIFICATION: CATAIOÔ- XTcM REV K /^ TEST REQUIREMENTS COIL CpRggviP A OPERATETIME:15mSM&* RELEASETIME:50fttS MAX CONTACT MAKEBOUNCE: \ mS MA*
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IIS4006
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A209K
Abstract: 1pm05 tda 7812 KA213A KP303D B342D sft353 GL 7812 u 711 service-mitteilungen
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN D US TR IEV E R TR IE B R U N D F U N K U N D FERNSEHEN jf jl f j= = Ì 3 I ra d io - television AUSGABE: 1985 3 S e ite 1 - 4 Ü b e r s i c h t über d ie w ic h tig s te n H a lb le ite r Stand* A p ril 1985 Die in den S e rv ic e -M itte ilu n g e n N r. 3 /8 2 v e r ö f f e n t l ic h t e Über
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3D24N2Y
Abstract: transistor sc 238 9008 transistor transistor sc 308 SAL 41 transistor 9013 1008 transistor X2C70 transistor D 1002 3D24N
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB INDUSTRIEVERTRIEB R U N O F U N K U N D FE R N SE H E N AUSGABE: M m ri r a d i o - t e i e v i s i o n l 1 9 8 4 14-16 S e ite 1 - 1 2 Mitteilung aus dem VSB RFT Industrievertrieb R.u.F. Leipzig Serviceinformationen zuin neuen Auto-Stereo-Kassettenabspielgerät
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Ge1012
3D24N2Y
transistor sc 238
9008 transistor
transistor sc 308
SAL 41
transistor 9013
1008 transistor
X2C70
transistor D 1002
3D24N
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VEB mikroelektronik
Abstract: "Mikroelektronik" Heft GWS servo VEB Kombinat zf filter lm 7803 3V Positive Voltage Regulator E355D "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft U706D VQB71
Text: H albleiter-B auelem ente Semiconductors D ie vorliegend e Übersicht en th ält in g ed rä n g te r Form d ie wichtigsten G renz- und Kenn d aten d e r in d er D D R g efertigten H a lb le ite rb au e le m e n te . Dem A n w en der soll durch diese Übersicht die Auswahl der jew eils in Frage kom menden
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: A dvanced PO W ER Te c h n o lo g y APT10050LVFR iooov 21 a o.sooq POWER MOS V FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
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APT10050LVFR
O-264
APT10050LVFR
100mS
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rema andante
Abstract: GER-A service-mitteilungen stern R 160 REMA VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN Stassfurt rema adagio 830 adagio rema adagio
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN DUSTRIEVERTRIEB RUNOFUNK UND FERNSEH EN r a d io -television CHROMAT 1060 Der VEB Fernsehgerätewerke Staßfurt wird, im Verlauf des 2. Halbjah res 1976 die ersten Farbfernsehgeräte vom neuen Typ "CHROMAT 1060" an den Handel ausliefera. Der "CHROMAT 1060" gilt offiziell als
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III/18/379
rema andante
GER-A
service-mitteilungen
stern R 160
REMA
VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN
Stassfurt
rema adagio 830
adagio
rema adagio
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sm 0038
Abstract: 0038Q
Text: A dvanced APT20M38BVR pow er Te c h n o lo g y 200V 67A 0.038Q POWER MOS V Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
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APT20M38BVR
O-247
APT20M38BVR
sm 0038
0038Q
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: A dvanced APT30M70BVR pow er Te c h n o lo g y 300V 48A 0.070Í2 POWER MOS V Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
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APT30M70BVR
O-247
APT30M70BVR
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vga plug
Abstract: vga D-sub connector D-Sub 9-pin female connector RoHS 1.5mm 5 pin connector 9 pin vga dvi plug spec VGA specification sheet Molex hst VGA PLUG Dimensions HST 2004
Text: N O T E :! A D A P T O R CO VER M A T E R IA L 1.1 UL G R AD E A B S 1.2 COLOR: P A N T O N E 661C M A TER IA L LIST: 2. DVI CONNCETOR SPEC IFIC ATIO N 2.1 R E F E R TO PRO DU CT SPEC. PS 74 320 - 0 01. 2.2 C O N T A C T P LA TIN G : A U F L A S H . 3. TH IS PRO DU CT M U ST M E E T MX RoH S COMPLIANCE.
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2005/10Z
SD-68802-004
vga plug
vga D-sub connector
D-Sub 9-pin female connector RoHS
1.5mm 5 pin connector
9 pin vga
dvi plug spec
VGA specification sheet
Molex hst
VGA PLUG Dimensions
HST 2004
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0038Q
Abstract: No abstract text available
Text: A dvanced APT20M38SVR pow er Te c h n o lo g y 200V P O W E R 67A 0.038Q M O S V Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
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APT20M38SVR
APT20M38SVR
0038Q
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SM 96 diode
Abstract: No abstract text available
Text: A dvanced PO W ER Te c h n o lo g y A PT10050JVFR iooov POWER MOS V 19 A o.sooq FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
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PT10050JVFR
OT-227
APT10050JVFR
E145592
SM 96 diode
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: APT5010LVFR A dvanced pow er Te c h n o lo g y 5 0 0 V POWER MOS V 4 7 A 0 .1 0 0 Q FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
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APT5010LVFR
O-264
APT5010LVFR
-10mS
-100mS
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5017B
Abstract: DIODE TH 5 N
Text: A P T 5017B V F R A dvanced PO W ER Te c h n o lo g y 500v POWER MOS V 30a 0.170s 2 FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®
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5017B
O-247
APT5017BVFR
APT5017BVFR
O-247AD
DIODE TH 5 N
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tic 1260
Abstract: E 212 JFET
Text: APT6015B2VR A dvanced pow er Te c h n o lo g y 600V 38A 0.150Í2 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V™
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APT6015B2VR
O-247
APT6015B2VR
tic 1260
E 212 JFET
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