Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SK25GAD063T C- R PO S$@ 407,- %*8,23.-, -', .6.,+ Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT T$LA CU R PO S$ E$ CU R XPO S$ E$[¥ *'-) MWW T NW Y C- R ZW S$ PX Y MW Y ] PW T XW a- E$[¥R P : E$0%& T$$ R NWW T^ TFL _ PW T^ T$LA ` MWW T Inverse Diode IGBT Module
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SK25GAD063T
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VK-1000
Abstract: VK-1000V5 VK1000 EA 9401 S DVM VK1000A DVM 1000 EA9401-S 9401s 7 segment anzeige VK-1000HV5
Text: 6.99 EA VK-1000 MINIATUR LCD DIGITAL VOLTMETER 3½ DIGIT + SYMBOLE, 5V ODER 9V Modulabmessungen: 44 x 24 x10,5 mm incl. Frontabdeckung TECHNISCHE DATEN * * * * * * * * 3½-STELLIGE KONTRASTREICHE 7 SEGMENTANZEIGE MIT 10mm ZIFFERN DEZIMALPUNKTE U. DIMENSIONSANGABEN IM DISPLAY °C, mV, µA, .
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Original
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VK-1000
200mV,
VK-1000V5
VK-1000HV5
9401-S
VK-1000H
VK-1000
9401-S
VK-1000HV5,
VK-1000V5
VK1000
EA 9401 S DVM
VK1000A
DVM 1000
EA9401-S
9401s
7 segment anzeige
VK-1000HV5
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EA 9401 S DVM
Abstract: VK-1000V5 VK-1000HV5 7 segment anzeige VK-1000 VK1000
Text: 6.99 EA VK-1000 MINIATUR LCD DIGITAL VOLTMETER 3½ DIGIT + SYMBOLE, 5V ODER 9V Modulabmessungen: 44 x 24 x10,5 mm incl. Frontabdeckung TECHNISCHE DATEN * * * * * * * * 3½-STELLIGE KONTRASTREICHE 7 SEGMENTANZEIGE MIT 10mm ZIFFERN DEZIMALPUNKTE U. DIMENSIONSANGABEN IM DISPLAY °C, mV, µA, .
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VK-1000
200mV,
VK-1000V5
VK-1000HV5
9401-S
VK-1000H
VK-1000
9401-S
VK-1000HV5,
EA 9401 S DVM
VK-1000V5
VK-1000HV5
7 segment anzeige
VK1000
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White LED silicone OSRAM
Abstract: ZW DIODE
Text: Golden DRAGON Lead Pb Free Product - RoHS Compliant ZW W5SG Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes SMD Gehäuse, farbiger diffuser Silikon - Verguss • Typischer Lichtfluss: 60 lm bei 500 mA • Besonderheit des Bauteils: hocheffiziente Lichtquelle bei geringem Platzbedarf
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24-mm
800/Rolle,
White LED silicone OSRAM
ZW DIODE
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SKN 45 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE Stud Diode Rectifier Diode 3$>@ 3$$@ 3 V22 A22 0Z22 0V22 3 V22 A22 0Z22 0V22 >BC VW¥2V >BC VW¥2A >BC VW¥0Z >BC VW¥0V =MG3 R VW G P 6:X 0A2Y ;7 R 0ZW [JT >B$ VW¥2V >B$ VW¥2A >B$ VW¥0Z >BC VW¥0V 0122 0122 >BC VW¥01
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120h0D
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SK15GH063 C- R PO S$@ 407,- %*8,23.-, -', .6.,+ Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT T$LA CU R PO S$ E$ CU R XPO S$ E$¥] IGBT Module SK15GH063 *'-) MWW T PW Y C- R ZW S$ X[ Y NW Y ^ PW T CU R XPO S$ XW b- C- R PO S$ PW Y C- R ZW S$ XO Y PZ Y XWW
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SK15GH063
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SK 80 D 12 F SEMITOP 3 Bridge Rectifier SK 80 D 12 F RSPQ RSSQG R=SQ T= U VW B <6477 %0+4)*.%0D R R <X- U VW Y$D ZMWW P[ VW = ZM ? Symbol Conditions Values Units T= TSSQ ^22 X- U VW Y$ X@¥U ZMLY$ <P, ?./H JD X@¥U ML <ZMLDY$ <P, ?./H JD VW *A'H ]W *A'H K <VD
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239B diode
Abstract: bwz04 BZW04-5V8 BZW04-6V4 BZW04-7V0 BZW04-7V8 BZW04P5V8 BZW04P6V4 BZW04P7V0 BZW04P7V8
Text: BZW04-5V8,B/376,B BZW04P5V8,B/376,B TRANSILTM FEATURES PEAK PULSE POWER= 400 W @ 1ms STAND-OFF VOLTAGE RANGE : From 5V8 to 376 V UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES LOW CLAMPING FACTOR FAST RESPONSE TIME UL RECOGNIZED F126 Plastic DESCRIPTION Transil diodes provide high overvoltage protection by clamping action. Their instantaneous response to transients makes them particularly
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BZW04-5V8
B/376
BZW04P5V8
239B diode
bwz04
BZW04-6V4
BZW04-7V0
BZW04-7V8
BZW04P6V4
BZW04P7V0
BZW04P7V8
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SK 60 DTA FBGJ FBBJK F<BJ M< N DC O F REE CTEE F PEE CUEE ;I- N PE Q$> GS DE <IO EP GS DE <IO CU CVEE CDEE GS DE <IO CD Characteristics Symbol Conditions SEMITOP 3 3-phase bridge rectifier+ series thyristor Features # $%&' * +,-./0 # 10, -)2,3 &%40*.0/
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VK 1760
Abstract: V0017600 VK-1760 VK1760 VK-1763 VK 1760 H VK-1760H 1760H DA am/P55/SCKB2/RTP05/display 7 segment smd widerstand Roh
Text: EA VK-1760/63 03/97 3½-ST. DVM 5V/9V, SUPERFLACH, MIT DIMENSIONSANGABEN Abmessungen 60 x 38 mm TECHNISCHE DATEN * * * * * * * * * * * 3½-ST. KONTRASTREICHE 7 SEGMENTANZEIGE MIT 12.7mm ZIFFERN DEZIMALPUNKTE U. DIMENSIONSANGABEN IM DISPLAY °C, mV, µA, .
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VK-1760/63
200mV,
VK-1763:
0MB-10
VK-1760H
VK-1760H)
VK-1760
VK-1763
VK 1760
V0017600
VK1760
VK-1763
VK 1760 H
VK-1760H
1760H
DA am/P55/SCKB2/RTP05/display 7 segment smd
widerstand Roh
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transistor smd zG
Abstract: diode 400mw 4v7 smd transistor marking wy smd diode marking 325 smd transistor marking zg ZD 5V6 zener SMD XW transistor smd za transistor smd zc wy smd transistor
Text: Diodes SMD Type Zener Diodes BZX284 Series SOD110 Unit: mm Features Total Power Dissipation: Max. 400mW Two Tolerance Series: 2% and cathode idenfifier 5% Working Voltage Range: Nom. 2.4 to 75V Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Total Power Dissipation
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BZX284
OD110
400mW
BZX284
transistor smd zG
diode 400mw 4v7
smd transistor marking wy
smd diode marking 325
smd transistor marking zg
ZD 5V6
zener SMD XW
transistor smd za
transistor smd zc
wy smd transistor
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Abstract: No abstract text available
Text: SK25GD063 C- R PO S$@ 407,- %*8,23.-, -', .6.,+ Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT T$LA CU R PO S$ E$ CU R XPO S$ E$[¥ *'-) MWW T NW Y C- R ZW S$ PX Y MW Y ] PW T CU R XPO S$ XW a- C- R PO S$ NM Y C- R ZW S$ Pc Y E$[¥R P : E$0%& T$$ R NWW T^ TFL _ PW T^
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SK25GD063
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transistor C 2240
Abstract: transistor 224-1 base collector emitter
Text: ESC D • fl23SbOS Q0Q4677 2 ■SIEfi . Control Unit 25C 0487 7 ~Q . " f _ />r B ZW 20 — SIEMENS AKTIEN6ESELLSCHAF This component, a transistor with integrated base emitter resistance and a Z diode, in TO 236 case 24 A 3 DIN 41869 is designed for use as control unit in various professional and
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fl23SbOS
Q0Q4677
Q62702-Z1387
fi23Sfe
transistor C 2240
transistor 224-1 base collector emitter
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DIODE s2l
Abstract: DIODE FAST S2L
Text: K Super Fast Recovery Diode Axial Diode O U T L IN E D IM E N S IO N S S2L60 C a s e : 1 .0 ^ 600V 1.5A 26.5 ±z w zw m « +0 5 7 -o f 4.4- 26.5 i2 p -É * - 1* •» fflîŒ L L D T ! Caihodc ( I ) : Anode • trr5 0 n s • g s m s iìE ttô ffl(W ) ''C o lo r co d e (B lue)
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S2L60
DIODE s2l
DIODE FAST S2L
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ZW-101PG1
Abstract: ET 439 power module fuji LCD lg 500g monitor DUNT-5784NCZZ JW-12PM Fuse RH A4 2A 250V Fuse FGMB 250V 2A jw-13s schematic LG TV lcd backlight inverter Fuse FGMB 250V 5A
Text: Program mable controller Wew Satellite Jw Model name JW50H/70H/100H User's Manual/Hardware version We thank you for your purchase of the SHARP programmable controller new satellite JW 50H/ 70H/100H. This booklet user's manual, hardware version explains mainly the JW 30H’s hardware; the
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JW50H/70H/100H
70H/100H.
50H/70H/100H
ZW-101PG1
ET 439 power module fuji
LCD lg 500g monitor
DUNT-5784NCZZ
JW-12PM
Fuse RH A4 2A 250V
Fuse FGMB 250V 2A
jw-13s
schematic LG TV lcd backlight inverter
Fuse FGMB 250V 5A
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: EL 5 EL 5 Endpenthode Die Endpenthode EL 5 ist eine 18-W att-Endröhre m it 51 max. _ großer Steilheit. Interessant ist eine 18-W att-Endpenthode vor allem, weil sie die Möglichkeit bietet, auf billigerem Wege als m it zwei 9-W att-Penthoden in Gegentakt eine größere Ausgangsleistung zu erreichen.
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18-Watt-EndrÃ
18-Watt-End-penthode
18-Watt-Endpenthoden
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EL36
Abstract: ND5052-3G
Text: X TO K*BAND GaAs SCHOTTKY BARRIER MIXER DIODE FEATURES OUTLINE DIMENSIONS Untutnmm • X BAND MIXgR DIODE OUTLINE 3 6 • LOW NOISE GaAs SCHOTTKY DIODE NF = 5 dB TYP at I » 10 GHz • LOW TERMINAL CAPACITANCE C i =* 0.3 pF MAX at 1 M Hi • SMALL SIZE • LOW COST
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ND5052-3G
ND5052-3G
EL36
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: EUPEC blE D • 3 40 32 e!? 0G011b3 5S1 H U P E C TT 60 F, TD 60 F, DT 60 F Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state
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0G011b3
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: y -f> S U tipe Saper Fast Recovery Diode Twin Diode OUTLINE DIMENSIONS D8LC20UR 200V 8A •trr35ns h* •SRKÜ • 3 7 U — Ttv-^JU •a«- oa . « « . fa •Æ fêSi RATINGS Absolute Maximum Ratings m w m Ratings Unit Tstg -4 0 -1 5 0 “C Tj 150 °C 200
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D8LC20UR
trr35ns
IGEI3444
D003445
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RV12P2000
Abstract: iw 1688 RL12T1 RL12T15 N860 ScansU9X22 rd 1679
Text: TELIFUNKEN W e h r m a c h tr ö h re n Ausschließlich fUr kommerzielle Verwendung — nicht im Rundfunkhandel erhältlich Z u r B e ach tu n g : Für Neuentwicklungen dürfen nur die fettgedruckten Röhrentypen Verwendung finden. Die in Kursiv schrift aufgeführten Röhrentypen sind nur noch in beschränkter Stückzahl für Ersatzbestückung lieferbar.
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RV12P2000
iw 1688
RL12T1
RL12T15
N860
ScansU9X22
rd 1679
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rohre
Abstract: MINIWATT ABB diode
Text: Duodiode D ie erste D u odiode A B I ist ein so vollkom m en er E rfo lg gewesen, dass w ir diese T y p e auch in der neuen Serie beibehalten haben. N u r w urde die A usfüh run gsform etwas geändert, und zw ar sind je tzt beide D ioden nach unten ausgefü hrt; schaltungstechnisch ist dadurch der V o rteil ent
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Telefunken ebf 11
Abstract: telefunken beam pentode telefunken spezial Scans-048 TELEFUNKEN EM inkel DSAGER00042
Text: _L Anode Sekundärkatode Diodenanode Anoden- oder Gitter kappe Innenkreis Leuchtschirm Bremsgitter _j 1_ A Innenkreis Bremsblech Anoden- oder Gitterschraubanschluß Anodenanschluß für Senderöhren ¡nnenkreis S Schirmgitter A ußenkreis _ — Steuergitter
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DIODE aaz
Abstract: No abstract text available
Text: U tipe Super Fast Recovery Diode S in g le D iode OUTLINE DIMENSIONS D6L20U C a s e : ITO-220 » 3.3 ±a-z 200V 6A im i Type No. a -1 |,E i} m ~T36L2QU Date code • trr3 5 n s s it a r e • T 7 JL= E — J b h' 05 îy r ô r 1.3 ±0-2 0.5 ±( ffl Ü • S R S j
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D6L20U
ITO-220
T36L2QU
DIODE aaz
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: REFERENCE DATAI KV1811K S P E C I F I C A T I ON 199, 3 , 2 TABLE OF C O N T EN T S 1. PURPOSE 2. TOKO PART NUMBER 3. APPLICATIONS 4 . STRUCTURE - 5. PACKAGE OUTLINE 6. PIN LAYOUT S IG N A T U R E DATE 7. PACKAGE OUTLINE D IM EN SIO N S/ Drawn By MARKING °l
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KV1811K
DB3-K044
diodeKV1811K.
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