DSA00551073.pdf by OSRAM

Partial File Text GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale · Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren · Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden · Hohe Zuverlässig
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